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IGBT（5058）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXGP20N100	-	RFQ	8042	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP20	标准	150 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	800V，20A，47OHM，15V		pt	1000 v	40 a	80 a	3V @ 15V，20A	3.5MJ（）	73 NC	30NS/350NS
IXGA36N60A3	-	RFQ	8739	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA36	标准	220 w	TO-263AA	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	400V，30a，5ohm，15V	23 ns	pt	600 v		200 a	1.4V @ 15V，30a	740µJ（在）上，3MJ（）	80 NC	18NS/330NS
NGTD30T120F2WP	-	RFQ	4932	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	NGTD30	标准		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-		沟渠场停止	1200 v		200 a	2.4V @ 15V，40a	-		-
FGB20N6S2	0.6000	RFQ	8	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	125 w	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	390V，7a，25ohm，15V		-	600 v	28 a	40 a	2.7V @ 15V，7a	25µJ（在）（58µJ）（OFF）上）	30 NC	7.7NS/87NS
STGW25M120DF3	7.1900	RFQ	367	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW25	标准	375 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	600V，25a，15欧姆，15V	265 ns	沟渠场停止	1200 v	50 a	100 a	2.3V @ 15V，25a	850µJ（在）上，1.3mj off）	85 NC	28NS/150NS
SIGC81T60SNCX1SA1	-	RFQ	2072	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC81T60	标准		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1	400V，100A，3.3OHM，15V		npt	600 v	100 a	300 a	2.5V @ 15V，100a	-		65NS/450NS
IRG4PC40UPBF	-	RFQ	7898	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	160 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	480V，20A，10欧姆，15V		-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	320µJ（在）上，350µJ（350µJ）	100 NC	34NS/110NS
IRG4PH50S-EPBF	-	RFQ	5446	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PH50	标准	200 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	960V，33A，5OHM，15V		-	1200 v	57 a	114 a	1.7V @ 15V，33a	1.8MJ（在）中，19.6MJ OFF）	167 NC	32NS/845NS
NGTB40N120FL2WAG	-	RFQ	5248	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	NGTB40	标准	536 w	TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	600V，40a，10ohm，15V	240 ns	现场停止	1200 v	160 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	1.7MJ（在）上，1.1MJ off）	313 NC	30ns/145ns
IRGS6B60KDPBF	-	RFQ	8634	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	90 W	D2PAK	-				2156-IRGS6B60KDPBF			1	400V，5A，100OHM，15V	70 ns	npt	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
IRG8P25N120KD-EPBF	4.1400	RFQ	9	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	180 w	TO-247AD	下载					Ear99	8542.39.0001	1	600V，15a，10ohm，15V	70 ns	-	1200 v	40 a	45 a	2V @ 15V，15a	（800µJ）（在），900µJ（900µJ）中	135 NC	20N/170NS
IXGX100N160A	-	RFQ	5165	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3变体	IXGX100	-		加上247™-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	-		-				-	-		-
IKQ100N60TXKSA1	12.8600	RFQ	4383	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ100	标准	714 w	PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	400V，100A，3.6ONM，15V	230 ns	沟渠场停止	600 v	160 a	400 a	2V @ 15V，100a	3.1mj（在）上，2.5MJ off）	610 NC	30NS/290NS
IXB80IF600NA	-	RFQ	6574	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXB80IF600	标准		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	-		NPT，Pt	600 v	120 a		-	-		-
IGC15T65QEX1SA1	-	RFQ	4086	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	IGC15T65	标准		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1	-		沟渠场停止	650 v	30 a	90 a	2.32V @ 15V，30a	-		-
RGW60TS65CHRC11	12.8100	RFQ	8029	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGW60	标准	178 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGW60TS65CHRC11	Ear99	8541.29.0095	30	400V，15a，10ohm，15V	34 ns	-	650 v	64 a	120 a	1.9V @ 15V，30a	（70µJ）（在），220µJ（（（（）	84 NC	37NS/91NS
IGTM20N40A	2.3100	RFQ	6264	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-3	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	100	-		-	400 v	20 a		-	-		-
APT50GT120B2RG	16.4400	RFQ	228	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT50GT120	标准	625 w		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	800V，50a，4.7Ohm，15V		npt	1200 v	94 a	150 a	3.7V @ 15V，50a	2330µJ（）	340 NC	24NS/230NS
FGA40T65UQDF	-	RFQ	6336	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA40T65	标准	231 w	to-3pn	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	400V，40a，6ohm，15V	89 ns	npt	650 v	80 a	120 a	1.67V @ 15V，40a	（989µJ）（在310µJ上）	306 NC	32NS/271NS
ISL9V2040S3S	1.0000	RFQ	5345	Fairchild半导体	Ecospark®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		逻辑	130 w	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400	300V，1KOHM，5V		-	430 v	10 a		1.9V @ 4V，6A	-	12 nc	- /3.64µs
RGW80TS65EHRC11	8.0200	RFQ	8016	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGW80	标准	214 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGW80TS65EHRC11	Ear99	8541.29.0095	450	400V，20a，10ohm，15V	86 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	1.9V @ 15V，40a		110 NC	43ns/148ns
IXBL20N300C	-	RFQ	1340	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	ixbl20	标准	417 w	isoplusi5-pak™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	1500V，20a，3ohm，15v	864 ns	-	3000 v	50 a	430 a	6V @ 15V，20A	23MJ（在）上，2.6MJ（2.6MJ）	425 NC	33NS/370NS
APT80GA90B	10.8900	RFQ	8537	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT80GA90	标准	625 w	TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	600V，47A，4.7OHM，15V		pt	900 v	145 a	239 a	3.1V @ 15V，47a	1652µJ（在）（1389µJ）上	200 NC	18NS/149NS
IKW75N65ET7XKSA1	9.1500	RFQ	1061	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW75N65	标准	333 w	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	400V，75A，4.7OHM，15V	100 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	225 a	1.65V @ 15V，75a	2.17MJ（在）上，1.23mj off）	435 NC	28NS/310NS
FGAF20S65AQ	-	RFQ	7277	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGAF20	标准	75 w	TO-3PF-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	400V，10a，23ohm，15V	235 ns	沟渠场停止	650 v	40 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	345µJ（在）上，95µj（（）	38 NC	18NS/102NS
SGF23N60UFTU	1.4200	RFQ	154	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	SGF23N60	标准	75 w	to-3pf	下载					Ear99	8541.29.0095	1	300V，12a，23ohm，15V		-	600 v	23 a	92 a	2.6V @ 15V，12a	（115µJ）（在），135µJ（（（（）		17NS/60NS
IGA03N120H2XKSA1	1.8352	RFQ	9032	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IGA03	标准	29 W	pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	800V，3A，82OHM，15V		-	1200 v	3 a	9 a	2.8V @ 15V，3A	290µJ	8.6 NC	9.2NS/281NS
IXGH17N100	-	RFQ	4117	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH17	标准	150 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	800V，17a，82ohm，15V		-	1000 v	34 a	68 a	3.5V @ 15V，17a	3MJ（（）	100 NC	100NS/500NS
SIGC10T60EX1SA3	-	RFQ	3071	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC10	标准		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1	-		沟渠场停止	600 v	20 a	60 a	1.9V @ 15V，20A	-		-
AIGW50N65H5XKSA1	7.7800	RFQ	3081	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIGW50	标准	270 w	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	400V，25a，12ohm，15V		沟	650 v		150 a	2.1V @ 15V，50a	（490µJ）（在140µJ上）	1018 NC	21NS/156NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（5058）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²