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IGBT（5058）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXYP30N120B4	14.5226	RFQ	5510	ixys	-	管子	积极的								-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP30N120B4	Ear99	8541.29.0095	50
IXYH8N250CV1HV	24.7200	RFQ	7153	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH8N250	标准	280 w	TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	1250V，8a，15ohm，15V	5 ns	-	2500 v	29 a	70 a	4V @ 15V，8a	2.6mj（在）上，1.07mj off）	45 NC	11NS/180NS
NGTB40N65IHRWG	-	RFQ	4756	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB40	标准	405 w	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	400V，40a，10ohm，15V		现场停止	650 v	80 a	160 a	1.7V @ 15V，40a	420µJ（离）	190 NC	-
FGPF15N60UNDF	-	RFQ	9917	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FGPF15	标准	42 W	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FGPF15N60UNDF-488	Ear99	8541.29.0095	50	400V，15a，10ohm，15V	82.4 ns	npt	600 v	30 a	45 a	2.7V @ 15V，15a	（370µJ）（在67μj上）	43 NC	9.3NS/54.8NS
STGB10M65DF2	2.2700	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB10	标准	115 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	400V，10a，22ohm，15V	96 ns	沟渠场停止	650 v	20 a	40 a	2V @ 15V，10a	（120µJ）（在）中，270µJ（OFF）	28 NC	19NS/91NS
STGB50H65FB2	1.3018	RFQ	1371	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB50	标准	272 w	d²pak（to-263）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGB50H65FB2	Ear99	8541.29.0095	1,000	400V，50a，4.7Ohm，15V		沟渠场停止	650 v	86 a	150 a	2V @ 15V，50a	910µJ（在）上，580µJ off）	151 NC	28NS/115NS
stgp3nb60f	-	RFQ	8981	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	stgp3	标准	68 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	480V，3A，10欧姆，15V	45 ns	-	600 v	6 a	24 a	2.4V @ 15V，3A	125µJ（离）	16 NC	12.5NS/105NS
FGA30S120P	-	RFQ	8010	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA30S120	标准	348 w	to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1	-		沟渠场停止	1300 v	60 a	150 a	2.3V @ 15V，30a	-	78 NC	-
HGT1S7N60B3	0.9800	RFQ	400	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准	60 W	i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	480V，7A，50OHM，15V		-	600 v	14 a	56 a	2.1V @ 15V，7a	160µJ（在）上，120µJ（120µJ）	30 NC	26NS/130NS
IRGP4790-EPBF	-	RFQ	4407	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	455 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549734	Ear99	8541.29.0095	25	400V，75A，10欧姆，15V		-	650 v	140 a	225 a	2V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
STGP100N30	6.1000	RFQ	849	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP100	标准	250 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	180V，25a，10ohm，15V		-	330 v	90 a		2.5V @ 15V，50a	-		- /134ns
DGTD65T40S2PT	-	RFQ	8658	二极管合并	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	DGTD65	标准	230 w	TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	450	400V，40a，10ohm，15V	60 ns	现场停止	650 v	80 a	120 a	2.3V @ 15V，40a	（500µJ）（在400µJ上）	60 NC	6NS/55NS
APT20GF120BRDG	7.1600	RFQ	22	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT20GF120	标准	200 w	TO-247-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT20GF120BRDG	Ear99	8541.29.0095	1	792v，20a，10欧姆，15V	85 ns	npt	1200 v	32 a	64 a	3.2V @ 15V，15a	-	140 NC	17ns/93ns
IXGT2N250	68.3600	RFQ	20	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT2	标准	32 W	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	-		-	2500 v	5.5 a	13.5 a	3.1V @ 15V，2a	-	10.5 NC	-
HGTH12N40E1D	-	RFQ	5438	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准	75 w	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	109	-	100 ns	-	400 v	12 a	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
TIG058E8-TL-H	0.8200	RFQ	449	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TIG058	标准		8-ech	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	-		-	400 v		150 a	5.6V @ 4V，100A	-		-
IKY50N120CH3XKSA1	13.6700	RFQ	3955	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IKY50N120	标准	652 w	pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	600V，50a，10ohm，15V	255 ns	-	1200 v	100 a	200 a	2.35V @ 15V，50a	2.3MJ（在）上，1.9MJ off）	235 NC	32NS/296NS
AOK20B65M2	3.8200	RFQ	121	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alpha IGBT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AOK20	标准	227 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1752	Ear99	8541.29.0095	30	400V，20a，15ohm，15V	292 ns	-	650 v	40 a	60 a	2.15V @ 15V，20A	（580µJ）（在），280µJ（（（（）	46 NC	26ns/123ns
FGF65A3H	-	RFQ	1900	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGF65	标准	72 w	to-3pf	下载	Rohs符合条件			1261-FGF65A3H	Ear99	8541.29.0095	1,440	400V，30a，10ohm，15V	50 ns	沟渠场停止	650 v	50 a	90 a	2.73V @ 15V，30a	（500µJ）（在400µJ上）	60 NC	30NS/90NS
RJP65T43DPQ-A0 ＃T2	3.6300	RFQ	878	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RJP65T43	标准	150 w	TO-247A	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	-1161-RJP65T43DPQ-A0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	25	400V，20a，10ohm，15V		沟	650 v	60 a		2.4V @ 15V，20A	170µJ（在）（130µJ）上	69 NC	35NS/105NS
IXGX55N120A3D1	-	RFQ	9017	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3变体	IXGX55	-		加上247™-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	-		-				-	-		-
AUIRGDC0250AKMA1	-	RFQ	5078	Infineon技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-273AA		标准	543 w	超级到220	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-AUIRGDC0250AKMA1	Ear99	8541.29.0095	1	600V，33A，5OHM，15V		-	1200 v	141 a	99 a	1.8V @ 15V，33a	（15mj））	151 NC	- /485ns
RJH1CV5DPK-00 t0	-	RFQ	7957	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准	245 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	RJH1CV5DPK00T0	Ear99	8541.29.0095	1	600V，25A，5OHM，15V	170 ns	沟	1200 v	50 a		2.6V @ 15V，25a	1.9mj（在）上，1.5MJ（1.5MJ）	72 NC	42NS/105NS
ILD03N60	0.1900	RFQ	1024	Infineon技术	Lightmos	大部分	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准	27 W	pg-to252-3-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,343	400V，0.8A，60OHM，10V	250 ns	-	600 v	4.5 a	5.5 a	2.9V @ 10V，3A	12 µj（在）上，20µJ（20µJ）（离）	8.5 NC	15NS/100NS
SIGC14T60SNCX1SA2	-	RFQ	5645	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC14	标准		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1	400V，15A，21OHM，15V		npt	600 v	15 a	45 a	2.5V @ 15V，15a	-		31NS/261NS
IQFH68N06NM5ATMA1	3.1921	RFQ	2370	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件						3,000
IXYX100N120C3	25.6400	RFQ	4415	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixyx100	标准	1150 w	加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	600V，100A，1OHM，15V		-	1200 v	188 a	490 a	3.5V @ 15V，100a	6.5MJ（在）上，2.9MJ off）	270 NC	32NS/123NS
IRF8714TRPBFXTMA1	0.2965	RFQ	3681	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件			448-IRF8714TRPBFXTMA1TR			4,000
NTE3310	12.4400	RFQ	119	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准	100 W	to-3p	下载	rohs3符合条件			2368-NTE3310	Ear99	8541.29.0095	1	-		-	600 v	15 a	30 a	4V @ 15V，15a	-		400NS/500NS
HGTG7N60A4D	1.7700	RFQ	269	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	125 w	TO-247	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	450	390V，7a，25ohm，15V	34 ns	-	600 v	34 a	56 a	2.7V @ 15V，7a	55µJ（在）上，60µJ（60µJ）	37 NC	11NS/100NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（5058）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²