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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 测试条件 | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGH50N6S2 | - | ![]() | 7389 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | FGH50 | 标准 | 463 w | TO-247-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 150 | 390V,30a,3ohm,15V | - | 600 v | 75 a | 240 a | 2.7V @ 15V,30a | (260µJ)(在250µJ上) | 70 NC | 13ns/55ns | ||||
![]() | IRGC20B60KB | - | ![]() | 8528 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | 死 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | npt | 600 v | 20 a | 1.3V @ 15V,4A | - | - | ||||||||
![]() | FGD5T120SH | 1.7400 | ![]() | 1717年 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FGD5T120 | 标准 | 69 W | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 600V,5A,30OHM,15V | 沟渠场停止 | 1200 v | 10 a | 12.5 a | 3.6V @ 15V,5A | (247µJ)(在),94µJ(94µJ)中 | 6.7 NC | 4.8NS/24.8NS | |||
![]() | WG50N65DHWQ | 3.5500 | ![]() | 754 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | WG50N65D | 标准 | 278 w | TO-247-3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1740-WG50N65DHWQ | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V,50a,10ohm,15V | 105 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 91 a | 200 a | 2V @ 15V,50a | 1.7MJ(在)上,600µJ(600µJ) | 160 NC | 66ns/163ns | ||
![]() | SIGC14T60NCX7SA1 | - | ![]() | 7154 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | SIGC14 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | 300V,15a,18ohm,15V | npt | 600 v | 15 a | 45 a | 2.5V @ 15V,15a | - | 21NS/110NS | ||||||
![]() | NGB8202NT4G | - | ![]() | 3375 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | NGB820 | 逻辑 | 150 w | D²Pak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 300V,9A,1KOHM,5V | - | 440 v | 20 a | 50 a | 1.9V @ 4.5V,20A | - | - /5µs | |||||
![]() | STGF30M65DF2 | 2.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | m | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STGF30 | 标准 | 38 w | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,30a,10ohm,15V | 140 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 60 a | 120 a | 2V @ 15V,30a | (300µJ)(在960µJ上) | 80 NC | 31.6ns/115ns | ||
![]() | AIKBE50N65RF5ATMA1 | 8.0195 | ![]() | 8245 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 448-AIKBE50N65RF5ATMA1TR | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4266D-EPBF | 5.5400 | ![]() | 141 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 455 w | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V,75A,10欧姆,15V | 170 ns | - | 650 v | 140 a | 300 a | 2.1V @ 15V,75a | 2.5MJ(在)上,2.2MJ off) | 210 NC | 50NS/200NS | |||||
![]() | IXG70IF1200NA | 25.1170 | ![]() | 5432 | 0.00000000 | ixys | X2PT™,XPT™ | 管子 | 积极的 | - | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXG70IF1200 | 标准 | SOT-227B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixg70if1200NA | 0000.00.0000 | 10 | - | pt | 1200 v | 130 a | - | - | ||||||||
![]() | afghl25t120rl | - | ![]() | 4035 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | afghl25 | 标准 | 400 w | TO-247-3 | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-AFGHL25T120RL | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 600V,25A,5OHM,15V | 159 ns | 沟渠场停止 | 1250 v | 48 a | 100 a | 2V @ 15V,25a | (1.94mj)(730µJ off) | 277 NC | 27.2NS/116NS | |
![]() | IGB30N60T | - | ![]() | 7450 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | 187 W | pg-to263-3-2 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V,30a,10.6Ohm,15V | 沟渠场停止 | 600 v | 45 a | 90 a | 2.05V @ 15V,30a | (690µJ)(在),770µJ(OFF)上) | 167 NC | 23ns/254ns | |||||||
![]() | SIGC76T60R3EX7SA1 | - | ![]() | 7492 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | SIGC76 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | 沟渠场停止 | 600 v | 150 a | 450 a | 1.9V @ 15V,150a | - | - | ||||||
STGP20V60F | - | ![]() | 2243 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STGP20 | 标准 | 167 w | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,20A,15V | 沟渠场停止 | 600 v | 40 a | 80 a | 2.2V @ 15V,20A | 200µJ(在)上,130µJ(OFF) | 116 NC | 38NS/149NS | ||||
![]() | IXYP10N65C3D1 | - | ![]() | 4184 | 0.00000000 | ixys | GenX3™,XPT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXYP10 | 标准 | 160 w | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,10A,50OHM,15V | 170 ns | pt | 650 v | 30 a | 54 a | 2.5V @ 15V,10a | 240µJ(在)上,110µJ(110µJ) | 18 NC | 20NS/77NS | ||
![]() | RJH60D6DPK-00 t0 | - | ![]() | 9768 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RJH60D6 | 标准 | 260 w | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V,40a,5ohm,15V | 100 ns | 沟 | 600 v | 80 a | 2.2V @ 15V,40a | 850µJ(在)上,600µJ(600µJ) | 104 NC | 50NS/160NS | |||
![]() | RGT00TS65DGC11 | 5.8000 | ![]() | 385 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGT00 | 标准 | 277 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,50a,10ohm,15V | 54 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 85 a | 150 a | 2.1V @ 15V,50a | - | 94 NC | 42NS/137NS | ||
![]() | IKW75N60TFKSA1 | 9.5400 | ![]() | 6036 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trechstop® | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IKW75N60 | 标准 | 428 w | PG-TO247-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,75A,5OHM,15V | 121 ns | 沟渠场停止 | 600 v | 80 a | 225 a | 2V @ 15V,75a | 4.5MJ | 470 NC | 33ns/330n | ||
![]() | IRG7PH46UPBF | - | ![]() | 2174 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | irg7ph | 标准 | 469 w | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 600V,40a,10ohm,15V | 沟 | 1200 v | 130 a | 160 a | 2V @ 15V,40a | 2.56mj(在)上,1.78mj off) | 220 NC | 45NS/410NS | ||||
![]() | SGL60N90DG3TU | - | ![]() | 2783 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | SGL60 | 标准 | 180 w | TO-264-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 375 | - | 1.5 µs | 沟 | 900 v | 60 a | 120 a | 2.7V @ 15V,60a | - | 260 NC | - | |||
![]() | AIKW50N60CTXKSA1 | 10.2500 | ![]() | 9147 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101,Trenchstop™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | aikw50 | 标准 | 333 w | pg-to247-3-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,50a,7ohm,15V | 沟渠场停止 | 600 v | 80 a | 150 a | 2V @ 15V,50a | 1.2MJ(在)上,1.4MJ off) | 310 NC | 26NS/299NS | |||
![]() | IXYT12N250CV1HV | 51.4643 | ![]() | 8368 | 0.00000000 | ixys | XPT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | 标准 | 310 w | TO-268HV ixyt) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-IXYT12N250CV1HV | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 1250V,12a,10ohm,15V | 16 ns | - | 2500 v | 28 a | 80 a | 4.5V @ 15V,12a | 3.56mj(在)上,1.7MJ OFF) | 56 NC | 12NS/167NS | |||
![]() | STGF8NC60KD | 1.4800 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STGF8 | 标准 | 24 W | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V,3A,10欧姆,15V | 23.5 ns | - | 600 v | 7 a | 30 a | 2.75V @ 15V,3A | (55µJ)(在),85µJ(85µJ)中 | 19 nc | 17ns/72ns | ||
![]() | FGPF90N30 | 0.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 标准 | 56.8 w | TO-220F-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 300 v | 220 a | 1.55V @ 15V,30a | - | 93 NC | - | |||||||
![]() | FGA20S140P | 1.4800 | ![]() | 425 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | FGA20S140 | 标准 | 272 w | to-3pn | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 204 | - | 沟渠场停止 | 1400 v | 40 a | 60 a | 2.4V @ 15V,20A | - | 203.5 NC | - | ||||||
![]() | IXGR50N60B2D1 | - | ![]() | 4963 | 0.00000000 | ixys | HiperFast™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGR50 | 标准 | 200 w | ISOPLUS247™ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V,40a,5ohm,15V | 35 ns | - | 600 v | 68 a | 300 a | 2.2V @ 15V,40a | (550µJ) | 140 NC | 18NS/190NS | |||
![]() | IRGP30B120KDPBF | - | ![]() | 9523 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 包 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRGP30 | 标准 | 300 w | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001546224 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 600V,25A,5OHM,15V | 300 ns | npt | 1200 v | 60 a | 120 a | 4V @ 15V,60a | 1.07MJ(在)上,1.49mj Off) | 169 NC | - | ||
![]() | STGWA40HP65FB2 | 4.7900 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | HB2 | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STGWA40 | 标准 | 227 w | TO-247长铅 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-19059 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,40a,4.7Ohm,15V | 140 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 72 a | 120 a | 2V @ 15V,40a | 410µJ(离) | 153 NC | - /125ns | |
![]() | IRGB4B60KPBF | - | ![]() | 8723 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRGB4B | 标准 | 63 W | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,4A,100OHM,15V | npt | 600 v | 12 a | 24 a | 2.5V @ 15V,4A | 130µJ(在)上,83µJ(OFF) | 12 nc | 22NS/100NS | ||||
![]() | IRG4RC20FTR | - | ![]() | 5657 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRG4RC20F | 标准 | 66 W | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 480V,12A,50OHM,15V | - | 600 v | 22 a | 44 a | 2.1V @ 15V,12A | 190µJ(在)上,920µJ(OFF) | 27 NC | 26NS/194NS |
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