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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 测试条件 trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C
IRG4PH50KPBF Infineon Technologies IRG4PH50KPBF -
RFQ
ECAD 4805 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRG4PH50 标准 200 w TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 960V,24A,5OHM,15V - 1200 v 45 a 90 a 3.5V @ 15V,24a 1.21mj(在)上,2.25mj off) 180 NC 36NS/200NS
IXGA24N60C IXYS IXGA24N60C -
RFQ
ECAD 2705 0.00000000 ixys HiperFast™,Lightspeed™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXGA24 标准 150 w TO-263AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 480V,24a,10ohm,15V - 600 v 48 a 96 a 2.5V @ 15V,24a 240µJ(离) 55 NC 15NS/75NS
APT75GP120B2G Microchip Technology APT75GP120B2G 25.5200
RFQ
ECAD 4868 0.00000000 微芯片技术 PowerMos7® 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 APT75GP120 标准 1042 w 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V,75A,5OHM,15V pt 1200 v 100 a 300 a 3.9V @ 15V,75a 1620µJ(在)上,2500µJ(OFF) 320 NC 20N/163NS
FGHL50T65MQDTL4 onsemi FGHL50T65MQDTL4 5.5600
RFQ
ECAD 6008 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-4 标准 268 w TO-247-4L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-FGHL50T65MQDTL4 Ear99 8541.29.0095 450 400V,50A,30OHM,15V 79 ns 沟渠场停止 650 v 80 a 200 a 1.8V @ 15V,50a 1MJ(在)上,850µJ(OFF) 99 NC 50NS/336NS
IXGH32N60C IXYS IXGH32N60C -
RFQ
ECAD 4159 0.00000000 ixys HiperFast™,Lightspeed™ 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGH32 标准 200 w TO-247AD 下载 不适用 到达不受影响 IXGH32N60C-NDR Ear99 8541.29.0095 30 480V,32a,4.7Ohm,15V - 600 v 60 a 120 a 2.5V @ 15V,32a 320µJ(离) 110 NC 25NS/85NS
IRGIB15B60KD1P Infineon Technologies IRGIB15B60KD1P -
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 标准 52 w TO-220AB全盘 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 400V,15A,22OHM,15V 67 ns npt 600 v 19 a 38 a 2.2V @ 15V,15a 127µJ(在)上,334µJ(OFF) 56 NC 30ns/173ns
IXGX120N120A3 IXYS IXGX120N120A3 39.6000
RFQ
ECAD 2089 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXGX120 标准 830 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V,100A,1OHM,15V pt 1200 v 240 a 600 a 2.2V @ 15V,100a (10mj)(33MJ)(33MJ) 420 NC 40NS/490NS
IRGP4740DPBF Infineon Technologies IRGP4740DPBF -
RFQ
ECAD 1832年 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 250 w TO-247AD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001535780 Ear99 8541.29.0095 25 400V,24a,10ohm,15V 170 ns - 650 v 60 a 72 a 2V @ 15V,24a (520µJ)(在),240µJ(240µJ)中 70 NC 24ns/73ns
IRG8P50N120KDPBF International Rectifier IRG8P50N120KDPBF 6.1800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 350 w TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 1 600V,35A,5OHM,15V 170 ns - 1200 v 80 a 105 a 2V @ 15V,35a 2.3MJ(在)上,1.9MJ off) 315 NC 35NS/190NS
FGH30N120FTDTU onsemi FGH30N120FTDTU -
RFQ
ECAD 1460 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 FGH30 标准 339 w TO-247-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 150 - 730 ns 沟渠场停止 1200 v 60 a 90 a 2V @ 15V,30a - 208 NC -
SGH80N60UFTU onsemi SGH80N60UFTU -
RFQ
ECAD 2628 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 SGH80 标准 195 w to-3p 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 300V,40a,5ohm,15V - 600 v 80 a 220 a 2.6V @ 15V,40a (570µJ)(在590µJ上) 175 NC 23ns/90ns
IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies IKWH75N65EH7XKSA1 7.7600
RFQ
ECAD 230 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 240
IXGH20N120B IXYS IXGH20N120B -
RFQ
ECAD 7440 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGH20 标准 190 w TO-247AD 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 30 960V,20a,10ohm,15V pt 1200 v 40 a 80 a 3.4V @ 15V,20A 2.1MJ(() 72 NC 25NS/150NS
RJH60D6DPM-00#T1 Renesas Electronics America Inc RJH60D6DPM-00#t1 -
RFQ
ECAD 7371 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 RJH60D6 标准 50 W to-3pfm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 RJH60D6DPM00T1 Ear99 8541.29.0095 1 300V,40a,5ohm,15V 100 ns 600 v 80 a 2.2V @ 15V,40a 850µJ(在)上,600µJ(600µJ) 104 NC 50NS/160NS
IXGT40N60C2 IXYS IXGT40N60C2 -
RFQ
ECAD 1196 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXGT40 标准 300 w TO-268AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,30a,3ohm,15V pt 600 v 75 a 200 a 2.7V @ 15V,30a (200µJ) 95 NC 18NS/90NS
RJP4301APP-M0#T2 Renesas Electronics America Inc RJP4301APP-M0 #T2 -
RFQ
ECAD 9169 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 RJP4301 标准 30 W TO-220FL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 300V,200A,30OHM,26V - 430 v 200 a 10V @ 26V,200a - 50NS/100NS
STGF20NB60S STMicroelectronics STGF20NB60S -
RFQ
ECAD 7810 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STGF20 标准 40 W TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 480V,20a,100ohm,15V - 600 v 24 a 70 a 1.7V @ 15V,20A 840µJ(在)上,7.4MJ() 83 NC 92NS/1.1µS
IXGR40N60B2 IXYS IXGR40N60B2 -
RFQ
ECAD 9794 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGR40 标准 167 w ISOPLUS247™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,30a,3.3ohm,15V pt 600 v 60 a 200 a 1.9V @ 15V,30a 400µJ(离) 100 NC 18NS/130NS
IRG4RC10UTRL Infineon Technologies IRG4RC10UTRL -
RFQ
ECAD 8381 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRG4RC10U 标准 38 w D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 480V,5A,100OHM,15V - 600 v 8.5 a 34 a 2.6V @ 15V,5A 80µJ(在)(160µJ)(OFF)上) 15 NC 19NS/116NS
SGB20N35CL Motorola SGB20N35CL -
RFQ
ECAD 1982 0.00000000 摩托罗拉 * 大部分 积极的 SGB20N - 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1
IRGS4630DTRLPBF Infineon Technologies IRGS4630DTRLPBF -
RFQ
ECAD 5173 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 206 w D2PAK 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001540958 Ear99 8541.29.0095 800 400V,18A,22OHM,15V 100 ns - 600 v 47 a 54 a 1.95V @ 15V,18A 95µJ(在)上,350µJ(OFF) 35 NC 40NS/105NS
RJH60D2DPP-M0#T2 Renesas Electronics America Inc RJH60D2DPPP-M0 #T2 -
RFQ
ECAD 3917 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 RJH60D2 标准 34 W TO-220FL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 300V,12A,5OHM,15V 100 ns 600 v 25 a 2.2V @ 15V,12a (100µJ)(160µJ)(off) 19 nc 32NS/85NS
STGW80H65DFB STMicroelectronics STGW80H65DFB 7.4900
RFQ
ECAD 4227 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STGW80 标准 469 w TO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-14368 Ear99 8541.29.0095 30 400V,80a,10ohm,15V 85 ns 沟渠场停止 650 v 120 a 240 a 2V @ 15V,80a 2.1mj(在)上,1.5mj off) 414 NC 84NS/280NS
IRG4BC40W-SPBF Infineon Technologies IRG4BC40W-SPBF -
RFQ
ECAD 6719 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRG4BC40 标准 160 w D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 480V,20A,10欧姆,15V - 600 v 40 a 160 a 2.5V @ 15V,20A (110µJ)(在230µJ上) 98 NC 27n/100ns
RGS00TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGS00TS65DHRC11 5.4900
RFQ
ECAD 8290 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 RGS00 标准 326 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,50a,10ohm,15V 103 ns 沟渠场停止 650 v 88 a 150 a 2.1V @ 15V,50a 1.46mj(在)上,1.29mj off) 58 NC 36NS/115NS
FGD3N60LSDTM-T onsemi FGD3N60LSDTM-T -
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FGD3 标准 40 W TO-252AA 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 480V,3A,470OHM,10V 234 ns - 600 v 6 a 25 a 1.5V @ 10V,3A 250µJ(在)上,1MJ(1MJ) 12.5 NC 40NS/600NS
APT40GR120B2D30 Microchip Technology APT40GR120B2D30 9.7200
RFQ
ECAD 7164 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 APT40GR120 标准 500 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V,40a,4.3Ohm,15V npt 1200 v 88 a 160 a 3.2V @ 15V,40a 1.38mj(在)上(906µJ)off) 210 NC 22NS/163NS
IRG4BC20UD-STRL Infineon Technologies IRG4BC20UD-STRL -
RFQ
ECAD 1894年 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 60 W D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 IRG4BC20UDSTRL Ear99 8541.29.0095 800 480V,6.5a,50ohm,15V 37 ns - 600 v 13 a 52 a 2.1V @ 15V,6.5a 160µJ(在)上,130µJ(OFF) 27 NC 39NS/93NS
HGTG10N120BND onsemi HGTG10N120BND 3.9100
RFQ
ECAD 2630 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 HGTG10N120 标准 298 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V,10a,10ohm,15V 70 ns npt 1200 v 35 a 80 a 2.7V @ 15V,10a 850µJ(在)上,800µJ(800µJ) 100 NC 23ns/165ns
RGTH60TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGTH60TS65DGC13 5.9700
RFQ
ECAD 5787 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 RGTH60 标准 194 w TO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-RGTH60TS65DGC13 Ear99 8541.29.0095 30 400V,30a,10ohm,15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 58 a 120 a 2.1V @ 15V,30a - 58 NC 27NS/105NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库