SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 测试条件 trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C
IRG8P45N65UD1-EPBF International Rectifier IRG8P45N65UD1-EPBF 4.8600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 国际整流器 - 大部分 过时的 - Ear99 8542.39.0001 1
AFGB40T65SQDN onsemi AFGB40T65SQDN 5.4900
RFQ
ECAD 8201 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB AFGB40 标准 238 w D²Pak-3(TO-263-3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 400V,40a,6ohm,15V 131 ns - 650 v 80 a 160 a 2.1V @ 15V,40a 858µJ(在)(229µJ)上,OFF) 76 NC 17.6NS/75.2NS
IXYA12N250CHV IXYS IXYA12N250CHV 58.4224
RFQ
ECAD 1003 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 310 w TO-263HV - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixya12N250CHV Ear99 8541.29.0095 50 1250V,12a,10ohm,15V 16 ns - 2500 v 28 a 80 a 4.5V @ 15V,12a 3.56mj(在)上,1.7MJ OFF) 56 NC 12NS/167NS
IRG4BC10SD-L Infineon Technologies IRG4BC10SD-L -
RFQ
ECAD 7334 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA 标准 38 w TO-262 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 480V,8A,100OHM,15V 28 ns - 600 v 14 a 18 a 1.8V @ 15V,8a 310µJ(在)上,3.28mj off) 15 NC 76NS/815NS
IXGT32N170-TRL IXYS IXGT32N170-TRL 24.4600
RFQ
ECAD 775 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXGT32 标准 350 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 1020v,32a,2.7Ohm,15V npt 1700 v 75 a 200 a 3.3V @ 15V,32a (11mj)() 155 NC 45NS/270NS
IRG4PH20K Infineon Technologies IRG4PH20K -
RFQ
ECAD 5409 0.00000000 Infineon技术 - 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 60 W TO-247AC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IRG4PH20K Ear99 8541.29.0095 25 960V,5A,50OHM,15V - 1200 v 11 a 22 a 4.3V @ 15V,5A (450µJ)(在440µJ上) 28 NC 23ns/93ns
FGHL50T65MQDTL4 onsemi FGHL50T65MQDTL4 5.5600
RFQ
ECAD 6008 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-4 标准 268 w TO-247-4L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-FGHL50T65MQDTL4 Ear99 8541.29.0095 450 400V,50A,30OHM,15V 79 ns 沟渠场停止 650 v 80 a 200 a 1.8V @ 15V,50a 1MJ(在)上,850µJ(OFF) 99 NC 50NS/336NS
IRG4PH50KPBF Infineon Technologies IRG4PH50KPBF -
RFQ
ECAD 4805 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRG4PH50 标准 200 w TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 960V,24A,5OHM,15V - 1200 v 45 a 90 a 3.5V @ 15V,24a 1.21mj(在)上,2.25mj off) 180 NC 36NS/200NS
IRG8P50N120KDPBF International Rectifier IRG8P50N120KDPBF 6.1800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 350 w TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 1 600V,35A,5OHM,15V 170 ns - 1200 v 80 a 105 a 2V @ 15V,35a 2.3MJ(在)上,1.9MJ off) 315 NC 35NS/190NS
IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies IKWH75N65EH7XKSA1 7.7600
RFQ
ECAD 230 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 240
FGD3N60LSDTM-T onsemi FGD3N60LSDTM-T -
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FGD3 标准 40 W TO-252AA 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 480V,3A,470OHM,10V 234 ns - 600 v 6 a 25 a 1.5V @ 10V,3A 250µJ(在)上,1MJ(1MJ) 12.5 NC 40NS/600NS
STGWT28IH125DF STMicroelectronics STGWT28IH125DF 2.8914
RFQ
ECAD 3878 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 STGWT28 标准 375 w to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -497-14562-5 Ear99 8541.29.0095 600 600V,25a,10ohm,15V 沟渠场停止 1250 v 60 a 120 a 2.5V @ 15V,25a 720µJ(OFF) 114 NC - /128ns
STGWS38IH130D STMicroelectronics STGWS38IH130D -
RFQ
ECAD 9557 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STGWS38 标准 180 w TO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V,20a,10ohm,15V - 1300 v 55 a 125 a 2.8V @ 15V,20A 3.4MJ() 127 NC - /284ns
MIW50N65F-BP Micro Commercial Co miw50n65f-bp 2.6850
RFQ
ECAD 5745 0.00000000 微商业公司 - 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MIW50N65 标准 326 w TO-247AB 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 353-MIW50N65F-BP Ear99 8541.29.0095 1 300V,50a,10ohm,15V 沟渠场停止 650 v 85 a 200 a 1.95V @ 15V,50a 1.27mj(在)上,650µJ off) 450 NC 55NS/319NS
IXSK80N60B IXYS IXSK80N60B -
RFQ
ECAD 6253 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXSK80 标准 500 w TO-264AA(IXSK) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 480V,80a,2.7Ohm,15V pt 600 v 160 a 300 a 2.5V @ 15V,80a 4.2MJ(() 240 NC 60NS/140NS
IRGIB15B60KD1P Infineon Technologies IRGIB15B60KD1P -
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 标准 52 w TO-220AB全盘 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 400V,15A,22OHM,15V 67 ns npt 600 v 19 a 38 a 2.2V @ 15V,15a 127µJ(在)上,334µJ(OFF) 56 NC 30ns/173ns
IXGF20N250 IXYS IXGF20N250 60.0072
RFQ
ECAD 8181 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 I4-PAC™-5 (3个线索) IXGF20 标准 100 W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 - - 2500 v 23 a 105 a 3.1V @ 15V,20A - 53 NC -
RGW00TS65CHRC11 Rohm Semiconductor RGW00TS65CHRC11 13.7800
RFQ
ECAD 6826 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 RGW00 标准 254 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-RGW00TS65CHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V,25a,10ohm,15V 33 ns - 650 v 96 a 200 a 1.9V @ 15V,50a 180µJ(在)上,420µJ(OFF) 141 NC 49NS/180NS
IXGX120N120A3 IXYS IXGX120N120A3 39.6000
RFQ
ECAD 2089 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXGX120 标准 830 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V,100A,1OHM,15V pt 1200 v 240 a 600 a 2.2V @ 15V,100a (10mj)(33MJ)(33MJ) 420 NC 40NS/490NS
IRGP4740DPBF Infineon Technologies IRGP4740DPBF -
RFQ
ECAD 1832年 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 250 w TO-247AD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001535780 Ear99 8541.29.0095 25 400V,24a,10ohm,15V 170 ns - 650 v 60 a 72 a 2V @ 15V,24a (520µJ)(在),240µJ(240µJ)中 70 NC 24ns/73ns
STGW80H65DFB STMicroelectronics STGW80H65DFB 7.4900
RFQ
ECAD 4227 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STGW80 标准 469 w TO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-14368 Ear99 8541.29.0095 30 400V,80a,10ohm,15V 85 ns 沟渠场停止 650 v 120 a 240 a 2V @ 15V,80a 2.1mj(在)上,1.5mj off) 414 NC 84NS/280NS
FGH30N120FTDTU onsemi FGH30N120FTDTU -
RFQ
ECAD 1460 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 FGH30 标准 339 w TO-247-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 150 - 730 ns 沟渠场停止 1200 v 60 a 90 a 2V @ 15V,30a - 208 NC -
IRG4RC10UTRL Infineon Technologies IRG4RC10UTRL -
RFQ
ECAD 8381 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRG4RC10U 标准 38 w D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 480V,5A,100OHM,15V - 600 v 8.5 a 34 a 2.6V @ 15V,5A 80µJ(在)(160µJ)(OFF)上) 15 NC 19NS/116NS
IRG4BC40W-SPBF Infineon Technologies IRG4BC40W-SPBF -
RFQ
ECAD 6719 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRG4BC40 标准 160 w D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 480V,20A,10欧姆,15V - 600 v 40 a 160 a 2.5V @ 15V,20A (110µJ)(在230µJ上) 98 NC 27n/100ns
SGH80N60UFTU onsemi SGH80N60UFTU -
RFQ
ECAD 2628 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 SGH80 标准 195 w to-3p 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 300V,40a,5ohm,15V - 600 v 80 a 220 a 2.6V @ 15V,40a (570µJ)(在590µJ上) 175 NC 23ns/90ns
FGA20N120FTDTU onsemi FGA20N120FTDTU -
RFQ
ECAD 7983 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FGA20N120 标准 298 w to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 447 ns 沟渠场停止 1200 v 40 a 60 a 2V @ 15V,20A - 137 NC -
APT40GR120B2D30 Microchip Technology APT40GR120B2D30 9.7200
RFQ
ECAD 7164 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 APT40GR120 标准 500 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V,40a,4.3Ohm,15V npt 1200 v 88 a 160 a 3.2V @ 15V,40a 1.38mj(在)上(906µJ)off) 210 NC 22NS/163NS
IRG4BC20UD-STRL Infineon Technologies IRG4BC20UD-STRL -
RFQ
ECAD 1894年 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 60 W D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 IRG4BC20UDSTRL Ear99 8541.29.0095 800 480V,6.5a,50ohm,15V 37 ns - 600 v 13 a 52 a 2.1V @ 15V,6.5a 160µJ(在)上,130µJ(OFF) 27 NC 39NS/93NS
RGTH60TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGTH60TS65DGC13 5.9700
RFQ
ECAD 5787 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 RGTH60 标准 194 w TO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-RGTH60TS65DGC13 Ear99 8541.29.0095 30 400V,30a,10ohm,15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 58 a 120 a 2.1V @ 15V,30a - 58 NC 27NS/105NS
NGTB20N120IHWG onsemi NGTB20N120IHWG -
RFQ
ECAD 2119 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 NGTB20 标准 341 w TO-247-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V,20a,10ohm,15V 沟渠场停止 1200 v 40 a 80 a 2.65V @ 15V,20A 480µJ(OFF) 150 NC - /170ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库