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IGBT（5058）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IKFW75N65EH5XKSA1	9.1200	RFQ	4918	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKFW75	标准	148 w	PG-HSIP247-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	400V，60a，12ohm，15V	75 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	240 a	2.1V @ 15V，60a	1.8mj（在）上，600µJ（600µJ）	144 NC	30ns/206ns
HGTG30N60A4D	7.2600	RFQ	9101	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HGTG30N60	标准	463 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	390V，30a，3ohm，15V	55 ns	-	600 v	75 a	240 a	2.6V @ 15V，30a	280µJ（在）上，240µJ（OFF）	225 NC	25NS/150NS
NGTB40N60IHLWG	-	RFQ	7637	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB40	标准	250 w	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	400V，40a，10ohm，15V	400 ns	沟渠场停止	600 v	80 a	200 a	2.4V @ 15V，40a	400µJ（离）	130 NC	70NS/140NS
APT25GN120B2DQ2G	10.0000	RFQ	1285	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT25GN120	标准	272 w		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	800V，25a，4.3Ohm，15V		NPT，沟渠场停止	1200 v	67 a	75 a	2.1V @ 15V，25a	2.15µJ（OFF）	155 NC	22NS/280NS
IXGH42N30C3	-	RFQ	4503	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH42	标准	223 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	200V，21a，10ohm，15V		pt	300 v		250 a	1.85V @ 15V，42a	（120µJ）（在150µJ上）	76 NC	21NS/113NS
IXGH72N60A3	11.8100	RFQ	31	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH72	标准	540 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	480V，50a，3ohm，15v		pt	600 v	75 a	400 a	1.35V @ 15V，60a	1.38mj（在）上，3.5MJ off）	230 NC	31ns/320ns
IXGL75N250	128.1752	RFQ	8322	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	IXGL75	标准	430 w	isoplusi5-pak™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	-		-	2500 v	110 a	580 a	2.9V @ 15V，75a	-	410 NC	-
IXGM30N60	-	RFQ	9302	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXGM30	标准	200 w	TO-204AE	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		200 ns	-	600 v	50 a	100 a	2.5V @ 15V，30a	-	180 NC	100NS/500NS
HGTD3N60C3S9A	-	RFQ	1428	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	HGTD3N60	标准	33 W	TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	480V，3A，82OHM，15V		-	600 v	6 a	24 a	2V @ 15V，3A	（85µJ）（在），245µJ（245µJ）	10.8 NC	-
IRGS4715DPBF	-	RFQ	7544	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	100 W	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001536476	Ear99	8541.29.0095	50	400V，8A，50OHM，15V	86 ns	-	650 v	21 a	24 a	2V @ 15V，8a	200µJ（在）上，90µJ（OFF）	30 NC	30n/100n
AUIRG4PH50S-205	-	RFQ	5810	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	auirg4	标准	543 w	TO-247AC	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001511698	Ear99	8541.29.0095	25	600V，33A，5OHM，15V		-	1200 v	141 a	99 a	1.7V @ 15V，33a	（16mj））	227 NC	- /616ns
IXGK400N30B3	-	RFQ	7161	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK400	标准		TO-264（ixgk）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	-		-	300 v	400 a		-	-		-
IXGH39N60B	-	RFQ	7432	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH39	标准	200 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	480V，39A，4.7OHM，15V		-	600 v	76 a	152 a	1.7V @ 15V，39a	（4MJ））	110 NC	25NS/250NS
STGP20H60DF	2.1700	RFQ	2746	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP20	标准	167 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	400V，20a，10ohm，15V	90 ns	沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2V @ 15V，20A	209µJ（在）上，261µJ（OFF）	115 NC	42.5NS/177NS
AUIRGP4066D1-E	-	RFQ	9690	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGP4066	标准	454 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	400V，75A，10欧姆，15V	240 ns	沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	4.24mj（在）上，2.17MJ off）	225 NC	50NS/200NS
SGL160N60UFTU	-	RFQ	6099	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	SGL16	标准	250 w	TO-264-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	300V，80a，3.9ohm，15V		-	600 v	160 a	300 a	2.6V @ 15V，80a	2.5MJ（在）上，1.76mj off）	345 NC	40NS/90NS
APT64GA90B2D30	12.1700	RFQ	2	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT64GA90	标准	500 w		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	600V，38A，4.7OHM，15V		pt	900 v	117 a	193 a	3.1V @ 15V，38a	1192µJ（在）上（1088µJ）off）	162 NC	18NS/131NS
AOK50B65GL1	2.6182	RFQ	2494	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alphaigbt™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AOK50	标准	312 w	TO-247	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOK50B65GL1	Ear99	8541.29.0095	240	300V，50A，100OHM，15V		-	650 v	100 a	300 a	2V @ 15V，50a	3.37mj（在）上，1.59mj off）	120 NC	282NS/915NS
STGWA20IH65DF	2.8500	RFQ	36	Stmicroelectronics	ih	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA20	标准	159 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGWA20IH65DF	Ear99	8541.29.0095	30	400V，20A，22OHM，15V		沟渠场停止	650 v	40 a	60 a	2.05V @ 15V，20A	（110µJ））	56 NC	- /120NS
92-0235	-	RFQ	9094	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRGB14	逻辑	125 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	-		-	430 v	20 a		1.75V @ 5V，14a	-	27 NC	900NS/6µS
STGP10NC60K	-	RFQ	9090	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP10	标准	60 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5119-5	Ear99	8541.29.0095	1,000	390V，5A，10欧姆，15V		-	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，5A	（55µJ）（在），85µJ（85µJ）中	19 nc	17ns/72ns
GPA060A060MN-FD	-	RFQ	7066	semiq	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准	347 w	to-3pn	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	400V，60a，10ohm，15V	140 ns	沟渠场停止	600 v	120 a	180 a	2.3V @ 15V，60a	2.66mj（在）上，1.53mj off）	225 NC	45NS/150NS
IRG4BC30U-SPBF	-	RFQ	1182	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30U-SPBF	标准	100 W	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	480V，12a，23ohm，15V		-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V，12A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	50 NC	17NS/78NS
STGD10NC60HT4	1.6200	RFQ	9913	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD10	标准	60 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	390V，5A，10欧姆，15V		-	600 v	20 a		2.5V @ 15V，5A	31.8µJ（在）上，95µJ（（）	19.2 NC	14.2NS/72NS
IGU04N60TAKMA1	1.3500	RFQ	1	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IGU04N60	标准	42 W	pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	400V，4A，47OHM，15V		沟	600 v	8 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	61µJ（在）上，84µJ（84µJ）	27 NC	14NS/164NS
IXXK100N60C3H1	26.0500	RFQ	7913	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXXK100	标准	695 w	TO-264（ixxk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	360V，70a，2ohm，15V	140 ns	pt	600 v	170 a	340 a	2.2V @ 15V，70a	2MJ（在）上，950µJ（OFF）	150 NC	30NS/90NS
TIG056BF-1E	-	RFQ	5436	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TIG056	标准	30 W	TO-220F-3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	320V，240a，10ohm，15V		-	430 v		240 a	5V @ 15V，240a	-		46NS/140NS
FGD3N60LSDTM-T-FS	1.0000	RFQ	8947	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准	40 W	TO-252，（-d-pak）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	2,500	480V，3A，470OHM，10V	234 ns	-	600 v	6 a	25 a	1.5V @ 10V，3A	250µJ（在）上，1MJ（1MJ）	12.5 NC	40NS/600NS
IGC50T120T8RQX1SA1	-	RFQ	3825	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	IGC50T120	标准		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-		沟渠场停止	1200 v		150 a	2.42V @ 15V，50a	-		-
HGTP7N60C3D	-	RFQ	1104	Onmi	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	HGTP7N60	标准	60 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	480V，7A，50OHM，15V		-	600 v	14 a	56 a	2V @ 15V，7a	165µJ（在）上，600µJ（600µJ）	23 NC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（5058）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²