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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MG40P12E1 | 54.4750 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 166 w | 三相桥梁整流器 | - | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MG40P12E1 | Ear99 | 8 | 三期逆变器 | - | 1200 v | 40 a | 2.3V @ 15V,25a | 1 MA | 是的 | 1.6 nf @ 25 V | ||||
![]() | FD450R12KE4NPSA1 | 222.3900 | ![]() | 5843 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | ||||||||||||||||||
![]() | FF600R12IP4PBPSA1 | 487.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | PrimePack™2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FF600R12 | 20兆 | 标准 | AG-PRIME2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | 2独立 | 沟渠场停止 | 1200 v | 600 a | 2.05V @ 15V,600A | 5 ma | 是的 | 37 NF @ 25 V | ||
![]() | PS3GFANSET30601NOSA1 | - | ![]() | 1840年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PS3GFANSET30601 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | FF100R12RT4HOSA1 | 72.9100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FF100R12 | 555 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 2独立 | 沟渠场停止 | 1200 v | 100 a | 2.15V @ 15V,100A | 1 MA | 不 | 630 NF @ 25 V | ||
![]() | MWI225-12E9 | - | ![]() | 9658 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E+ | MWI225 | 1400 w | 标准 | E+ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | npt | 1200 v | 355 a | 2.5V @ 15V,225a | 1 MA | 是的 | 14 NF @ 25 V | |||
![]() | FP15R12W1T7B11BOMA1 | 50.2300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 托盘 | 积极的 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FP15R12 | 标准 | Ag-Easy1b-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-FP15R12W1T7B11BOMA1-448 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 半桥逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | - | 不 | |||||
![]() | IFS200B12N3E4B31BPSA1 | 425.2850 | ![]() | 5534 | 0.00000000 | Infineon技术 | MIPAQ™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | IFS200 | 940 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 全桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 400 a | 2.1V @ 15V,200a | 1 MA | 是的 | 14 NF @ 25 V | ||
![]() | FD600R12KF4NOSA1 | - | ![]() | 3032 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 托盘 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 3900 w | 标准 | - | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 单身的 | - | 1200 v | 600 a | 3.2V @ 15V,600A | 8 ma | 不 | 45 NF @ 25 V | ||||
![]() | FF150R12KE3B8BOSA1 | - | ![]() | 8792 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 在sic中停产 | FF150 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 10 | |||||||||||||||||
FF150R12RT4HOSA1 | 80.7500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Infineon技术 | c | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 模块 | FF150R12R | 790 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 150 a | 2.15V @ 15V,150a | 1 MA | 不 | ||||
![]() | CM100DU-24F | - | ![]() | 9348 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 500 w | 标准 | 模块 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 半桥 | 沟 | 1200 v | 100 a | 2.4V @ 15V,100a | 1 MA | 不 | 39 NF @ 10 V | ||||
![]() | MUBW35-12A8 | - | ![]() | 4719 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | mubw | 225 w | 三相桥梁整流器 | E3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三期逆变器 | npt | 1200 v | 50 a | 3.1V @ 15V,35a | 1.1 MA | 是的 | 1.65 NF @ 25 V | ||
![]() | FF900R12IP4VBOSA1 | 726.5567 | ![]() | 1298 | 0.00000000 | Infineon技术 | PrimePack™2 | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FF900R12 | 5100 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | 2独立 | 沟渠场停止 | 1200 v | 900 a | 2.05V @ 15V,900A | 5 ma | 是的 | 54 NF @ 25 V | ||
![]() | FS150R12KT4B9BOSA1 | 323.0200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FS150R12 | 750 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 150 a | 2.1V @ 15V,150a | 1 MA | 不 | 9.35 NF @ 25 V | ||
![]() | APTGT35A120T1G | 57.4906 | ![]() | 4889 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP1 | APTGT35 | 208 w | 标准 | SP1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 55 a | 2.1V @ 15V,35a | 250 µA | 是的 | 2.5 nf @ 25 V | ||
![]() | VS-GT50YF120NT | 115.8900 | ![]() | 108 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 231 w | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-GT50YF120NT | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 全桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 64 a | 2.8V @ 15V,50a | 50 µA | 是的 | |||
![]() | FP75R12KE3BOSA1 | 236.8800 | ![]() | 76 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FP75R12 | 355 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | npt | 1200 v | 105 a | 2.2V @ 15V,75A | 5 ma | 不 | 5.3 nf @ 25 V | ||
![]() | FP75R12KT4B15BOSA1 | 217.7200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopim™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FP75R12 | 385 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 75 a | 2.15V @ 15V,75a | 1 MA | 是的 | 4.3 NF @ 25 V | ||
![]() | FZ1200R12KL4CNOSA1 | - | ![]() | 8633 | 0.00000000 | Infineon技术 | IHM-B | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 7800 w | 标准 | - | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000014916 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 单个开关 | - | 1200 v | 1900 a | 2.6V @ 15V,1.2KA | 5 ma | 不 | 90 nf @ 25 V | |||
![]() | BSM35GD120DLCE3224BOSA1 | 147.3320 | ![]() | 8226 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 上次购买 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | BSM35G | 280 w | 标准 | 模块 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 全桥 | - | 1200 v | 70 a | 2.6V @ 15V,35a | 80 µA | 不 | 2 NF @ 25 V | ||
![]() | FZ1600R17HP4B21BOSA2 | 1.0000 | ![]() | 5812 | 0.00000000 | Infineon技术 | IHM-B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FZ1600 | 10500 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1700 v | 1600 a | 2.25V @ 15V,1600a | 5 ma | 不 | 130 nf @ 25 V | ||
![]() | FF450R33T3E3BPSA1 | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | XHP™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FF450R33 | 1000000 w | 标准 | AG-XHP100-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 3300 v | 450 a | 2.75V @ 15V,450a | 5 ma | 不 | ||||
![]() | FP75R12N2T7PB11BPSA1 | 179.9500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopim™2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 20兆 | 三相桥梁整流器 | Ag-Econo2b | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 75 a | 1.8V @ 15V,75a | 14 µA | 是的 | 15.1 NF @ 25 V | |||
APT50GLQ65JU2 | - | ![]() | 9144 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | 220 w | 标准 | isotop® | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 提升斩波器 | 沟渠场停止 | 650 v | 80 a | 2.3V @ 15V,50a | 50 µA | 不 | 3.1 NF @ 25 V | ||||||
![]() | FZ1800R17HP4B29BOSA2 | 1.0000 | ![]() | 6478 | 0.00000000 | Infineon技术 | IHM-B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FZ1800 | 11500 w | 标准 | AG-IHMB190 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单个开关 | 沟渠场停止 | 1700 v | 1800 a | 2.25V @ 15V,1.8KA | 5 ma | 不 | 145 NF @ 25 V | ||
![]() | MUBW50-12E8 | - | ![]() | 6024 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | mubw | 350 w | 三相桥梁整流器 | E3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三期逆变器 | - | 1200 v | 90 a | 2.4V @ 15V,50a | 800 µA | 是的 | 3.8 nf @ 25 V | |||
![]() | VS-GB150TH120U | - | ![]() | 6104 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB150 | 1147 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB150TH120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | - | 1200 v | 280 a | 3.6V @ 15V,150a | 5 ma | 不 | 12.7 NF @ 30 V | |
![]() | APTGT150A60T3AG | 105.0300 | ![]() | 1279 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP3 | APTGT150 | 600 w | 标准 | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 600 v | 225 a | 1.9V @ 15V,150a | 250 µA | 是的 | 9.2 NF @ 25 V | ||
![]() | FZ900R12KP4HOSA1 | 213.3600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon技术 | c | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | FZ900R12 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | - | 1200 v | 900 a | 2.05V @ 15V,900A | 5 ma | 不 | 56 NF @ 25 V |
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