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IGBT（3267）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
CM300DX-12A	-	RFQ	8961	Powerex Inc.	IGBTMOD™	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		960 w	标准	模块	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2	半桥	-	600 v	300 a	2.1V @ 15V，300A	1 MA	是的	34 NF @ 10 V
BSM150GB170DLCE3256HDLA1	-	RFQ	9812	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM150	1250 w	标准	-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥	-	1700 v	300 a	3.2V @ 15V，150a	300 µA	不	10 nf @ 25 V
CM75TU-12H	-	RFQ	6382	Powerex Inc.	IGBTMOD™	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		310 w	标准	模块	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器	-	600 v	75 a	3V @ 15V，75a	1 MA	不	6.6 NF @ 10 V
FS100R07N2E4BPSA1	136.6000	RFQ	5677	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS100R07	335 w	标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器	沟渠场停止	650 v	100 a	1.95V @ 15V，100a	1 MA	是的	6.2 NF @ 25 V
APT75GT120JRDQ3	46.6100	RFQ	6808	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT75GT120	480 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的	npt	1200 v	97 a	3.7V @ 15V，75a	200 µA	不	5.1 NF @ 25 V
FD1200R17KE3KNOSA1	1.0000	RFQ	5462	Infineon技术	Econopack™4	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FD1200	5950 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	双制动斩波器	-	1700 v	1600 a	2.45V @ 15V，1200A	5 ma	不	110 nf @ 25 V
FP15R06KL4BOMA1	-	RFQ	2077	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	20
FP75R12W3T7B11BPSA1	152.9200	RFQ	8	Infineon技术	*	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8
VID50-12P1	-	RFQ	3555	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vid	208 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的	npt	1200 v	49 a	3.7V @ 15V，50a	1.1 MA	是的	1.65 NF @ 25 V
APTGT100H60T3G	102.7300	RFQ	9098	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTGT100	340 w	标准	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器	沟渠场停止	600 v	150 a	1.9V @ 15V，100a	250 µA	是的	6.1 NF @ 25 V
APT70GR120J	29.8400	RFQ	7380	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4	APT70GR120	543 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的	npt	1200 v	112 a	3.2V @ 15V，70a	1 MA	不	7.26 NF @ 25 V
CM75DU-12F	-	RFQ	5402	Powerex Inc.	IGBTMOD™	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		290 w	标准	模块	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥	沟	600 v	75 a	2.2V @ 15V，75A	1 MA	不	20 nf @ 10 V
MWI50-12E7	-	RFQ	1733年	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI50	350 w	标准	E2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器	npt	1200 v	90 a	2.4V @ 15V，50a	800 µA	不	3.8 nf @ 25 V
6MS10017E41W36460BOSA1	-	RFQ	4771	Infineon技术	MODSTACK™	大部分	过时的	-25°C〜55°C	底盘安装	模块	6ms10017		标准	模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	1	三相逆变器	-	1700 v		-		是的
BSM30GD60DLCBOSA1	-	RFQ	6932	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM30G	135 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器	-	600 v	40 a	2.45V @ 15V，30a	500 µA	不	1.3 nf @ 25 V
APTGT75H60T2G	-	RFQ	1814年	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP2	APTGT75	250 w	标准	SP2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器	沟渠场停止	600 v	100 a	1.9V @ 15V，75a	250 µA	是的	4.62 NF @ 25 V
FD401R17KF6CB2NOSA1	742.3500	RFQ	28	Infineon技术	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-FD401R17KF6CB2NOSA1-448			1
FZ1200R12HE4HOSA2	637.5500	RFQ	1	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1200	7150 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单个开关	沟渠场停止	1200 v	1825 a	2.1V @ 15V，1.2KA	5 ma	不	74 NF @ 25 V
NXH40B120MNQ1SNG	172.4100	RFQ	21	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块		156 w	标准	32-PIM（71x37.4）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH40B120MNQ1SNG	Ear99	8541.29.0095	21	三重，双重来源	-			-		是的	3.227 NF @ 800 V
APTGTQ100H65T3G	120.8100	RFQ	8770	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	APTGTQ100	250 w	标准	SP3F	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥	-	650 v	100 a	2.2V @ 15V，100a	100 µA	是的	6 nf @ 25 V
APT150GN120JDQ4	68.1600	RFQ	6281	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT150	625 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的	沟渠场停止	1200 v	215 a	2.1V @ 15V，150a	300 µA	不	9.5 nf @ 25 V
APTGF15H120T1G	-	RFQ	2749	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1		140 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器	npt	1200 v	25 a	3.7V @ 15V，15a	250 µA	是的	1 nf @ 25 V
PSDC212F0835632NOSA1	-	RFQ	2089	Infineon技术	-	大部分	过时的								-			到达不受影响	448-PSDC212F0835632NOSA1	Ear99	8541.29.0095	1
APTGT100DA170D1G	-	RFQ	5133	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1		695 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的	沟渠场停止	1700 v	200 a	2.4V @ 15V，100a	3 ma	不	8.5 nf @ 25 V
APTGT20X60T3G	-	RFQ	1894年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3		62 W	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器	沟渠场停止	600 v	32 a	1.9V @ 15V，20A	250 µA	是的	1.1 NF @ 25 V
APTGL700U120D4G	303.3100	RFQ	4905	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D4	APTGL700	3000 w	标准	D4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的	沟渠场停止	1200 v	910 a	2.2V @ 15V，600A	4 mA	不	37.2 NF @ 25 V
2LS20017E42W40403NOSA1	-	RFQ	3231	Infineon技术	Primestack™	大部分	过时的	-	-	-	2LS20017		标准	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥	-	1216 v	1520 a	-		不
APTGT50SK120TG	83.4000	RFQ	6175	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTGT50	277 w	标准	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的	沟渠场停止	1200 v	75 a	2.1V @ 15V，50a	250 µA	是的	3.6 NF @ 25 V
GSID100A120S5C1	-	RFQ	2783	semiq	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	GSID100	650 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	1560-1229	Ear99	8541.29.0095	2	三相逆变器	-	1200 v	170 a	2.1V @ 15V，100a	1 MA	是的	13.7 NF @ 25 V
NXH80T120L2Q0P2G	55.4179	RFQ	2527	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH80T120	158 w	标准	20-pim/q0pack（55x32.5）	下载				488-NXH80T120L2Q0P2G	Ear99	8541.29.0095	24	三级逆变器	沟渠场停止	1200 v	67 a	2.85V @ 15V，80a	300 µA	是的	19.4 NF @ 20 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（3267）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²