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IGBT（3267）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IRG5K200HF06A	-	RFQ	2552	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®34模块		800 w	标准	Powir®34	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001544746	Ear99	8541.29.0095	20	半桥	-	600 v	340 a	2.1V @ 15V，200a	1 MA	不	11.9 NF @ 25 V
FF450R12KE7EHPSA1	259.0180	RFQ	3379	Infineon技术	-	托盘	积极的								-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10
GSI510	-	RFQ	5045	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-						0000.00.0000	100
FF200R12MT4	1.0000	RFQ	4445	Infineon技术	EconoDual™2	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		1050 w	标准	Ag-Econod-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥	沟渠场停止	1200 v	295 a	2.15V @ 15V，200a	1 MA	是的	14 NF @ 25 V
VS-GT400TH120U	-	RFQ	5234	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 8）	GT400	2344 w	标准	双int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGT400TH120U	Ear99	8541.29.0095	12	半桥	沟	1200 v	750 a	2.35V @ 15V，400A	5 ma	不	51.2 NF @ 30 V
APTGF100A120T3AG	-	RFQ	4266	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3		780 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥	npt	1200 v	130 a	3.7V @ 15V，100a	250 µA	是的	6.5 nf @ 25 V
BSM300GA170DN2HOSA1	-	RFQ	6704	Infineon技术	-	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM300	2500 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000100754	Ear99	8541.29.0095	10	单身的	-	1700 v	440 a	3.9V @ 15V，300A	3 ma	不
FD400R33KF2CNOSA1	-	RFQ	9642	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FD400R33	4800 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单菜器	-	3300 v	660 a	4.25V @ 15V，400A	5 ma	不	50 NF @ 25 V
APT75GP120J	43.8700	RFQ	7825	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT75GP120	543 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的	pt	1200 v	128 a	3.9V @ 15V，75a	1 MA	不	7.04 NF @ 25 V
FS200R12KT4RPBPSA1	-	RFQ	8368	Infineon技术	-	托盘	过时的				FS200R12				-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	6
VS-70MT060WHTAPBF	-	RFQ	6381	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	12-mtp模块	70MT060	347 w	标准	MTP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VS70MT060WHTAPBF	Ear99	8541.29.0095	105	半桥	npt	600 v	100 a	3.4V @ 15V，140a	700 µA	不	8 nf @ 30 V
DDB6U180N16RRB37BPSA1	167.7600	RFQ	14	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DDB6U180	20兆	标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	单菜器	沟渠场停止	1200 v	100 a	2.1V @ 15V，100a	1 MA	是的	6.2 NF @ 25 V
MG17300WB-BN4MM	-	RFQ	7036	Littelfuse Inc.	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块		1650 w	标准	WB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		-MG17300WB-BN4MM	Ear99	8541.29.0095	60	半桥	沟渠场停止	1700 v	375 a	2.45V @ 15V，300A	3 ma	是的	27 NF @ 25 V
BSM100GD120DN2BOSA1	414.8900	RFQ	2973	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM100	680 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器	-	1200 v	150 a	3V @ 15V，100a	2 ma	不	6.5 nf @ 25 V
BYM300B170DN2HOSA1	-	RFQ	1738年	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	BYM300	20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立	沟渠场停止	650 v	40 a	1.55V @ 15V，25a	40 µA	是的	2.8 nf @ 25 V
APTGV75H60T3G	-	RFQ	9183	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3		250 w	标准	SP3	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器	NPT，沟渠场停止	600 v	100 a	1.9V @ 15V，75a	250 µA	是的	4.62 NF @ 25 V
F3L75R07W2E3B11BOMA1	65.4400	RFQ	12	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	F3L75R07	250 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器	沟渠场停止	650 v	95 a	1.9V @ 15V，75a	1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
2ED300C17STROHSBPSA1	188.1400	RFQ	9443	Infineon技术	eicedriver™	托盘	积极的	-40°C〜85°C	通过洞	模块	2ED300		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	12	2独立	-	1700 v		-		不
F3L11MR12W2M1B65BOMA1	-	RFQ	9105	Infineon技术	EasyPack™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F3L11MR12	20兆	标准	Ag-Easy2bm-2	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三级逆变器	沟	1200 v	100 a	2.1V @ 15V，100a	40 µA	是的	7.36 NF @ 800 V
MSCGLQ40X120CTYZBNMG	-	RFQ	3228	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块		294 w	三相桥梁整流器	-	下载				150-MSCGLQ40X120CTYZBNMG			1	三期逆变器	-	1200 v	75 a	2.4V @ 15V，40a	100 µA	是的	2300 PF @ 25 V
F43L50R07W2H3FB11BPSA2	112.0500	RFQ	1	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F43L50	20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器	沟渠场停止	650 v	50 a	1.8V @ 15V，50a	1 MA	是的	3.1 NF @ 25 V
APT100GF60JU3	-	RFQ	3804	微芯片技术	-	大部分	过时的	-	底盘安装	同位素		416 w	标准	SOT-227	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的	npt	600 v	120 a	2.5V @ 15V，100a	100 µA	不	4.3 NF @ 25 V
F4-50R12MS4	50.1300	RFQ	901	Infineon技术	EconoDual™2	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	F4-50R	355 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器	-	1200 v	70 a	3.75V @ 15V，50a	1 MA	是的	3.4 NF @ 25 V
DDB2U30N08VRBOMA1307	1.0000	RFQ	6912	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块		20兆	标准	模块	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	3独立	-	600 v	25 a	2.55V @ 15V，20A	1 MA	是的	880 pf @ 25 V
NXH35C120L2C2S1G	60.6317	RFQ	7919	Onmi	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	26-PowerDip 模块（1.199英寸，47.20mm）	NXH35	20兆	三相桥梁整流器	26浸	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH35C120L2C2S1G	Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器	-	1200 v	35 a	2.4V @ 15V，35a	250 µA	是的	8.33 NF @ 20 V
FD450R12KE4PHOSA1	230.4800	RFQ	3672	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FD450R12		标准	AG-62mm-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	单菜器	沟渠场停止	1200 v	450 a	2.15V @ 15V，450a	5 ma	不
FZ2400R17HE4B9NPSA1	967.5700	RFQ	1	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		15500 w	标准	-	下载					Ear99	8541.29.0095	1	单个开关	-	1700 v	2400 a	2.3V @ 15V，2.4KA	5 ma	不	195 NF @ 25 V
FS100R07N3E4_B11	96.2000	RFQ	92	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		335 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器	沟渠场停止	650 v	100 a	1.95V @ 15V，100a	1 MA	是的	6.2 NF @ 25 V
FB20R06YE3B1BOMA1	34.7600	RFQ	20	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		77 w	标准	-	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器	-	600 v	27 a	2V @ 15V，20A	1 MA	是的	1.1 NF @ 25 V
NXH300B100H4Q2F2PG	203.4500	RFQ	3103	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块		194 w	标准	27-PIM （71x37.4）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH300B100H4Q2F2PG	Ear99	8541.29.0095	12	双重，共同来源	沟渠场停止	1118 v	73 a	2.25V @ 15V，100a	800 µA	是的	6.323 NF @ 20 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（3267）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²