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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FS150R07N3E4 | - | ![]() | 2231 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™3 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 430 w | 标准 | Ag-econo3 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 650 v | 150 a | 1.95V @ 15V,150a | 1 MA | 是的 | 9.3 NF @ 25 V | ||||||
![]() | FF150R12KS4B2 HOSA1 | - | ![]() | 4039 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FF150R | 1250 w | 标准 | AG-62mm | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 半桥 | - | 1200 v | 225 a | 3.7V @ 15V,150a | 5 ma | 不 | 11 nf @ 25 V | |||||
![]() | FMG2G200US60 | 30.6500 | ![]() | 8206 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 晚上7点 | 695 w | 标准 | 晚上7点 | - | rohs3符合条件 | 2156-FMG2G200US60-FS | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 半桥 | - | 600 v | 200 a | 2.7V @ 15V,200a | 250 µA | 不 | |||||
FP7G75US60 | 29.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Power-SPM™ | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | EPM7 | 310 w | 标准 | EPM7 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 半桥 | - | 600 v | 75 a | 2.8V @ 15V,75a | 250 µA | 不 | 4.515 NF @ 30 V | ||||||
![]() | QID3310006 | - | ![]() | 9206 | 0.00000000 | Powerex Inc. | r | 大部分 | 在sic中停产 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 1.04 kW | 标准 | - | - | 835-QID3310006 | 1 | 半桥 | - | 3300 v | 185 a | 3V @ 15V,100a | 1 MA | 不 | 11500 PF @ 10 V | |||||||
![]() | QIC6508001 | - | ![]() | 3031 | 0.00000000 | Powerex Inc. | r | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 1.1 kW | 标准 | - | - | 835-QIC6508001 | 1 | 半桥 | - | 6300 v | 85 a | 3.8V @ 15V,85a | 3 ma | 不 | 15000 pf @ 10 V | |||||||
![]() | FF450R45T3E4B5BPSA1 | 1.0000 | ![]() | 2819 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | FS50R12W2T7PBPSA1 | 65.9900 | ![]() | 1425 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 448-FS50R12W2T7PBPSA1 | 18 | ||||||||||||||||||
![]() | FZ3600R17HE4NPSA1 | 1.0000 | ![]() | 1598年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 21000 w | 标准 | - | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单个开关 | - | 1700 v | 3600 a | 2.3V @ 15V,3.6KA | 5 ma | 不 | 295 NF @ 25 V | ||||||
![]() | FP50R12KT4BOSA1 | - | ![]() | 5703 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopim™2 | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FP50R12 | 280 w | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 50 a | 2.25V @ 15V,50a | 1 MA | 是的 | 2.8 nf @ 25 V | |||
![]() | BYM300A160DN13CHOSA1 | - | ![]() | 9988 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | - | - | BYM300 | - | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000091985 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | ||||||||
![]() | FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | 175.5500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | ||||||||||||||||||
![]() | FF450R12KE7HPSA1 | 218.5800 | ![]() | 5237 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | ||||||||||||||||||
![]() | FS75R12N2T7B15BPSA2 | 145.8300 | ![]() | 2579 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 20兆 | 标准 | Ag-Econo2b | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 完整的桥梁逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 75 a | 1.8V @ 15V,75a | 14 µA | 是的 | 15.1 NF @ 25 V | |||
![]() | NXH25T120L2Q1PTG | - | ![]() | 8354 | 0.00000000 | Onmi | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 81 w | 标准 | 44-PIM(71x37.4) | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-NXH25T120L2Q1PTG | Ear99 | 8541.29.0095 | 21 | 三相逆变器 | - | 1200 v | 25 a | 2.5V @ 15V,25a | 300 µA | 是的 | 8.502 NF @ 20 V | ||
![]() | VMO445-02F | - | ![]() | 3777 | 0.00000000 | ixys | - | 大部分 | 过时的 | VMO445 | - | 238-VMO445-02F | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | NXH450B100H4Q2F2PG-R | 284.5400 | ![]() | 6705 | 0.00000000 | Onmi | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | NXH450 | 234 w | 标准 | 56-PIM(93x47) | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-NXH450B100H4Q2F2PG-R | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥逆变器 | - | 1000 v | 101 a | 2.25V @ 15V,150a | 600 µA | 是的 | 9.342 NF @ 20 V | |
![]() | ftoo3v43a1 | - | ![]() | 5146 | 0.00000000 | Onmi | * | 管子 | 过时的 | ftoo3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 488-ftoo3v43a1 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | VS-GB100TS120NPBF | - | ![]() | 5788 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 底盘安装 | int-a-pak | GB100 | 标准 | int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | npt | - | 不 | |||||||||
![]() | CM200TL-12NF | - | ![]() | 7680 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 890 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | - | 600 v | 200 a | 2.2V @ 15V,200a | 1 MA | 不 | 30 NF @ 10 V | ||||
![]() | FZ2400R17HE4B9HOSA2 | 1.0000 | ![]() | 5202 | 0.00000000 | Infineon技术 | IHM-B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FZ2400 | 15500 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单个开关 | - | 1700 v | 2400 a | 2.3V @ 15V,2400a | 5 ma | 不 | 195 NF @ 25 V | ||
APTGF30H60T3G | - | ![]() | 4137 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP3 | 140 w | 标准 | SP3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 完整的桥梁逆变器 | npt | 600 v | 42 a | 2.45V @ 15V,30a | 250 µA | 是的 | 1.35 NF @ 25 V | ||||||
![]() | VS-GT100LA120UX | - | ![]() | 1111 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT100 | 463 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSGT100LA120UX | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 单身的 | 沟 | 1200 v | 134 a | 2.85V @ 15V,100a | 100 µA | 不 | |||
![]() | APTGT300SK120D3G | - | ![]() | 9551 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | D-3模块 | 1250 w | 标准 | D3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 440 a | 2.1V @ 15V,300A | 8 ma | 不 | 20 nf @ 25 V | ||||
![]() | APTGT35SK120D1G | - | ![]() | 7456 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | D1 | 205 w | 标准 | D1 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 55 a | 2.1V @ 15V,35a | 5 ma | 不 | 2.5 nf @ 25 V | ||||
![]() | FS150R07N3E4B11BOSA1 | 220.9550 | ![]() | 8448 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FS150R07 | 430 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 650 v | 150 a | 1.95V @ 15V,150a | 1 MA | 是的 | 9.3 NF @ 25 V | ||
![]() | F3L200R12N2H3B48BPSA1 | 197.6900 | ![]() | 6819 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 448-F3L200R12N2H3B48BPSA1 | 15 | ||||||||||||||||||
![]() | QIS1760002 | - | ![]() | 6296 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 在sic中停产 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 5.6 kW | 标准 | - | - | 835-QIS1760002 | 1 | 单身的 | - | 1700 v | 600 a | 2.5V @ 15V,600A | 2 ma | 不 | 158000 PF @ 10 V | |||||||
![]() | VS-GB50YF120N | - | ![]() | 8066 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | GB50 | 330 w | 标准 | Econo2 4pack | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB50YF120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | - | 1200 v | 66 a | 4.5V @ 15V,75a | 250 µA | 不 | |||
![]() | MWI75-12T8T | - | ![]() | 9246 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | MWI75 | 360 w | 标准 | E3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三相逆变器 | 沟 | 1200 v | 110 a | 2.1V @ 15V,75a | 3 ma | 是的 | 5.35 NF @ 25 V |
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