SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
FZ3600R12HP4PHPSA1 Infineon Technologies FZ3600R12HP4PHPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 8803 0.00000000 Infineon技术 IHM-B 托盘 积极的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FZ3600 19000 w 标准 AG-IHMB190-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3 单个开关 1200 v 4930 a 2.05V @ 15V,3.6KA 5 ma
VS-GT400TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT400TH120U -
RFQ
ECAD 5234 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 8) GT400 2344 w 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGT400TH120U Ear99 8541.29.0095 12 半桥 1200 v 750 a 2.35V @ 15V,400A 5 ma 51.2 NF @ 30 V
VS-GT100TP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100TP120N -
RFQ
ECAD 7011 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 175°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GT100 652 w 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGT100TP120N Ear99 8541.29.0095 24 半桥 1200 v 180 a 2.35V @ 15V,100A 5 ma 12.8 NF @ 30 V
CM150TU-12F Powerex Inc. CM150TU-12F -
RFQ
ECAD 5041 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 520 w 标准 模块 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 三相逆变器 600 v 150 a 2.2V @ 15V,150a 1 MA 41 NF @ 10 V
FB20R06YE3B1BOMA1 Infineon Technologies FB20R06YE3B1BOMA1 34.7600
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 77 w 标准 - 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 三相逆变器 - 600 v 27 a 2V @ 15V,20A 1 MA 是的 1.1 NF @ 25 V
APTGL90A120T1G Microchip Technology APTGL90A120T1G 72.0600
RFQ
ECAD 6424 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 SP1 APTGL90 385 w 标准 SP1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 半桥 沟渠场停止 1200 v 110 a 2.25V @ 15V,75a 250 µA 是的 4.4 NF @ 25 V
QID1215003 Powerex Inc. QID1215003 -
RFQ
ECAD 2626 0.00000000 Powerex Inc. - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) - - 960 w 标准 - 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 2独立 - 1200 v 150 a 6.5V @ 15V,150a 1 MA 24 NF @ 10 V
MWI225-12E9 IXYS MWI225-12E9 -
RFQ
ECAD 9658 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E+ MWI225 1400 w 标准 E+ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 三相逆变器 npt 1200 v 355 a 2.5V @ 15V,225a 1 MA 是的 14 NF @ 25 V
IXGN80N60A2 IXYS IXGN80N60A2 -
RFQ
ECAD 2976 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 ixgn80 625 w 标准 SOT-227B 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 600 v 160 a 1.35V @ 15V,80a 25 µA
BSM150GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies BSM150GD60DLCBOSA1 -
RFQ
ECAD 6354 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 模块 BSM150 570 w 标准 模块 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 - 600 v 180 a 2.45V @ 15V,150a 500 µA 6.5 nf @ 25 V
CM500HA-34A Powerex Inc. CM500HA-34A -
RFQ
ECAD 1316 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 5000 w 标准 模块 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 单身的 - 1700 v 500 a 2.8V @ 15V,500A 1 MA 120 nf @ 10 V
VS-CPV364M4KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV364M4KPBF -
RFQ
ECAD 2726 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV364 63 W 标准 IMS-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 160 三相逆变器 - 600 v 24 a 1.8V @ 15V,24a 250 µA 1.6 NF @ 30 V
APTGT30A60T1G Microsemi Corporation aptgt30a60t1g -
RFQ
ECAD 5070 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SP1 90 W 标准 SP1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 半桥 沟渠场停止 600 v 50 a 1.9V @ 15V,30a 250 µA 是的 1.6 nf @ 25 V
FP100R06KE3BOSA1 Infineon Technologies FP100R06KE3BOSA1 201.1300
RFQ
ECAD 9726 0.00000000 Infineon技术 Econopim™3 托盘 积极的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FP100R06 335 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 沟渠场停止 600 v 100 a 1.9V @ 15V,100a 1 MA 是的 6.2 NF @ 25 V
BSM50GX120DN2BOSA1 Infineon Technologies BSM50GX120DN2BOSA1 162.1200
RFQ
ECAD 8104 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 上次购买 BSM50G - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10
APTGT35A120T1G Microchip Technology APTGT35A120T1G 57.4906
RFQ
ECAD 4889 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP1 APTGT35 208 w 标准 SP1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 半桥 沟渠场停止 1200 v 55 a 2.1V @ 15V,35a 250 µA 是的 2.5 nf @ 25 V
FF450R33T3E3P2BPSA1 Infineon Technologies FF450R33T3E3P2BPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 6115 0.00000000 Infineon技术 XHP™3 托盘 积极的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FF450R33 1000000 w 标准 AG-XHP100-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 8541.29.0095 2 半桥 沟渠场停止 3300 v 450 a 2.75V @ 15V,450a 5 ma
FS100R12KE3_B3 Infineon Technologies FS100R12KE3_B3 -
RFQ
ECAD 9021 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 模块 FS100R12 480 w 标准 模块 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 npt 1200 v 140 a 2.15V @ 15V,100A 5 ma 7.1 NF @ 25 V
VS-GB300NH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300NH120N -
RFQ
ECAD 3595 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB300 1645 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB300NH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 500 a 2.45V @ 15V,300A 5 ma 21.2 NF @ 25 V
CM200DY-24H Powerex Inc. CM200DY-24H -
RFQ
ECAD 6351 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 1500 w 标准 模块 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 半桥 - 1200 v 200 a 3.4V @ 15V,200a 1 MA 40 NF @ 10 V
CM600HA-12H Powerex Inc. CM600HA-12H -
RFQ
ECAD 7938 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 2100 w 标准 模块 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 - 600 v 600 a 2.8V @ 15V,600A 1 MA 60 NF @ 10 V
APT85GR120JD60 Microchip Technology APT85​​ GR120JD60 40.6000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 APT85​​ GR120 543 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 npt 1200 v 116 a 3.2V @ 15V,85a 1.1 MA 8.4 NF @ 25 V
APTGT75DH60T1G Microsemi Corporation APTGT75DH60T1G -
RFQ
ECAD 2244 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SP1 250 w 标准 SP1 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 不对称桥 沟渠场停止 600 v 100 a 1.9V @ 15V,75a 250 µA 是的 4.62 NF @ 25 V
MIXA150W1200TEH IXYS MIXA150W1200TEH 180.8320
RFQ
ECAD 5245 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E3 Mixa150 695 w 标准 E3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三相逆变器 pt 1200 v 220 a 2.1V @ 15V,150a 500 µA 是的
MIXA60WB1200TEH IXYS MIXA60WB1200TEH 112.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E3 Mixa60 290 w 三相桥梁整流器 E3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三期逆变器 pt 1200 v 85 a 2.1V @ 15V,55a 500 µA 是的
VS-GB400AH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB400AH120N -
RFQ
ECAD 4488 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(5) GB400 2500 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB400AH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 650 a 1.9V @ 15V,400a ty(typ) 5 ma 30 NF @ 25 V
VS-GB75TP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75TP120N -
RFQ
ECAD 2743 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GB75 543 w 标准 int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB75TP120N Ear99 8541.29.0095 24 半桥 - 1200 v 150 a 2.35V @ 15V,75a 5 ma 5.52 NF @ 25 V
IXGN120N60A3 IXYS IXGN120N60A3 -
RFQ
ECAD 4938 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXGN120 595 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 600 v 200 a 1.35V @ 15V,100A 50 µA 14.8 nf @ 25 V
APTGT50DDA120T3G Microchip Technology APTGT50DA120T3G 76.7900
RFQ
ECAD 1444 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SP3 APTGT50 270 w 标准 SP3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2266-APTGT50DA120T3G Ear99 8541.29.0095 1 双提升斩波器 沟渠场停止 1200 v 75 a 2.1V @ 15V,50a 250 µA 是的 3.6 NF @ 25 V
APTGF50A120T1G Microsemi Corporation APTGF50A120T1G -
RFQ
ECAD 5269 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 SP1 312 w 标准 SP1 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 半桥 npt 1200 v 75 a 3.7V @ 15V,50a 250 µA 是的 3.45 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库