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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FZ3600R12HP4PHPSA1 | 1.0000 | ![]() | 8803 | 0.00000000 | Infineon技术 | IHM-B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FZ3600 | 19000 w | 标准 | AG-IHMB190-2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | 单个开关 | 沟 | 1200 v | 4930 a | 2.05V @ 15V,3.6KA | 5 ma | 不 | |||
![]() | VS-GT400TH120U | - | ![]() | 5234 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 8) | GT400 | 2344 w | 标准 | 双int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGT400TH120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | 沟 | 1200 v | 750 a | 2.35V @ 15V,400A | 5 ma | 不 | 51.2 NF @ 30 V | |
![]() | VS-GT100TP120N | - | ![]() | 7011 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak(3 + 4) | GT100 | 652 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGT100TP120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 半桥 | 沟 | 1200 v | 180 a | 2.35V @ 15V,100A | 5 ma | 不 | 12.8 NF @ 30 V | |
![]() | CM150TU-12F | - | ![]() | 5041 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 520 w | 标准 | 模块 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | 沟 | 600 v | 150 a | 2.2V @ 15V,150a | 1 MA | 不 | 41 NF @ 10 V | ||||
![]() | FB20R06YE3B1BOMA1 | 34.7600 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 77 w | 标准 | - | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | - | 600 v | 27 a | 2V @ 15V,20A | 1 MA | 是的 | 1.1 NF @ 25 V | |||
![]() | APTGL90A120T1G | 72.0600 | ![]() | 6424 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | SP1 | APTGL90 | 385 w | 标准 | SP1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 110 a | 2.25V @ 15V,75a | 250 µA | 是的 | 4.4 NF @ 25 V | ||
![]() | QID1215003 | - | ![]() | 2626 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | - | - | 960 w | 标准 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2独立 | - | 1200 v | 150 a | 6.5V @ 15V,150a | 1 MA | 不 | 24 NF @ 10 V | ||||
![]() | MWI225-12E9 | - | ![]() | 9658 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E+ | MWI225 | 1400 w | 标准 | E+ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | npt | 1200 v | 355 a | 2.5V @ 15V,225a | 1 MA | 是的 | 14 NF @ 25 V | |||
![]() | IXGN80N60A2 | - | ![]() | 2976 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | ixgn80 | 625 w | 标准 | SOT-227B | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | - | 600 v | 160 a | 1.35V @ 15V,80a | 25 µA | 不 | ||||
![]() | BSM150GD60DLCBOSA1 | - | ![]() | 6354 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BSM150 | 570 w | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | - | 600 v | 180 a | 2.45V @ 15V,150a | 500 µA | 不 | 6.5 nf @ 25 V | ||
![]() | CM500HA-34A | - | ![]() | 1316 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 5000 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | - | 1700 v | 500 a | 2.8V @ 15V,500A | 1 MA | 不 | 120 nf @ 10 V | ||||
VS-CPV364M4KPBF | - | ![]() | 2726 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | (19-sip (13个领先),IMS-2 | CPV364 | 63 W | 标准 | IMS-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | 三相逆变器 | - | 600 v | 24 a | 1.8V @ 15V,24a | 250 µA | 不 | 1.6 NF @ 30 V | |||
![]() | aptgt30a60t1g | - | ![]() | 5070 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP1 | 90 W | 标准 | SP1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 600 v | 50 a | 1.9V @ 15V,30a | 250 µA | 是的 | 1.6 nf @ 25 V | ||||
FP100R06KE3BOSA1 | 201.1300 | ![]() | 9726 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopim™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FP100R06 | 335 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 600 v | 100 a | 1.9V @ 15V,100a | 1 MA | 是的 | 6.2 NF @ 25 V | |||
![]() | BSM50GX120DN2BOSA1 | 162.1200 | ![]() | 8104 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 上次购买 | BSM50G | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | ||||||||||||||||
![]() | APTGT35A120T1G | 57.4906 | ![]() | 4889 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP1 | APTGT35 | 208 w | 标准 | SP1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 55 a | 2.1V @ 15V,35a | 250 µA | 是的 | 2.5 nf @ 25 V | ||
![]() | FF450R33T3E3P2BPSA1 | 1.0000 | ![]() | 6115 | 0.00000000 | Infineon技术 | XHP™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FF450R33 | 1000000 w | 标准 | AG-XHP100-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 8541.29.0095 | 2 | 半桥 | 沟渠场停止 | 3300 v | 450 a | 2.75V @ 15V,450a | 5 ma | 不 | ||||
![]() | FS100R12KE3_B3 | - | ![]() | 9021 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FS100R12 | 480 w | 标准 | 模块 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | npt | 1200 v | 140 a | 2.15V @ 15V,100A | 5 ma | 不 | 7.1 NF @ 25 V | |||
![]() | VS-GB300NH120N | - | ![]() | 3595 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB300 | 1645 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB300NH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200 v | 500 a | 2.45V @ 15V,300A | 5 ma | 不 | 21.2 NF @ 25 V | |
![]() | CM200DY-24H | - | ![]() | 6351 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 1500 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 1200 v | 200 a | 3.4V @ 15V,200a | 1 MA | 不 | 40 NF @ 10 V | ||||
![]() | CM600HA-12H | - | ![]() | 7938 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 2100 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | - | 600 v | 600 a | 2.8V @ 15V,600A | 1 MA | 不 | 60 NF @ 10 V | |||
APT85 GR120JD60 | 40.6000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | APT85 GR120 | 543 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 1200 v | 116 a | 3.2V @ 15V,85a | 1.1 MA | 不 | 8.4 NF @ 25 V | |||
![]() | APTGT75DH60T1G | - | ![]() | 2244 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP1 | 250 w | 标准 | SP1 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 不对称桥 | 沟渠场停止 | 600 v | 100 a | 1.9V @ 15V,75a | 250 µA | 是的 | 4.62 NF @ 25 V | ||||
![]() | MIXA150W1200TEH | 180.8320 | ![]() | 5245 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | Mixa150 | 695 w | 标准 | E3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三相逆变器 | pt | 1200 v | 220 a | 2.1V @ 15V,150a | 500 µA | 是的 | |||
![]() | MIXA60WB1200TEH | 112.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | Mixa60 | 290 w | 三相桥梁整流器 | E3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三期逆变器 | pt | 1200 v | 85 a | 2.1V @ 15V,55a | 500 µA | 是的 | |||
![]() | VS-GB400AH120N | - | ![]() | 4488 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(5) | GB400 | 2500 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB400AH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200 v | 650 a | 1.9V @ 15V,400a ty(typ) | 5 ma | 不 | 30 NF @ 25 V | |
![]() | VS-GB75TP120N | - | ![]() | 2743 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak(3 + 4) | GB75 | 543 w | 标准 | int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB75TP120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 半桥 | - | 1200 v | 150 a | 2.35V @ 15V,75a | 5 ma | 不 | 5.52 NF @ 25 V | |
![]() | IXGN120N60A3 | - | ![]() | 4938 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXGN120 | 595 w | 标准 | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | pt | 600 v | 200 a | 1.35V @ 15V,100A | 50 µA | 不 | 14.8 nf @ 25 V | ||
APTGT50DA120T3G | 76.7900 | ![]() | 1444 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP3 | APTGT50 | 270 w | 标准 | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2266-APTGT50DA120T3G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双提升斩波器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 75 a | 2.1V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 3.6 NF @ 25 V | ||
![]() | APTGF50A120T1G | - | ![]() | 5269 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP1 | 312 w | 标准 | SP1 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | npt | 1200 v | 75 a | 3.7V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 3.45 NF @ 25 V |
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