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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DDB6U180N22RBPSA1 | 170.4400 | ![]() | 2992 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 448-DDB6U180N22RBPSA1 | 15 | ||||||||||||||||||
![]() | APTGT150SK170G | 190.7100 | ![]() | 3289 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP6 | APTGT150 | 890 w | 标准 | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1700 v | 250 a | 2.4V @ 15V,150a | 350 µA | 不 | 13.5 nf @ 25 V | ||
![]() | APTGT150H170G | - | ![]() | 6760 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP6 | APTGT150 | 890 w | 标准 | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 完整的桥梁逆变器 | 沟渠场停止 | 1700 v | 250 a | 2.4V @ 15V,150a | 350 µA | 不 | 13.5 nf @ 25 V | ||
![]() | FZ1000R12KF5NDSA1 | - | ![]() | 6300 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 托盘 | 过时的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000551096 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | VS-GT180DA120U | 46.2400 | ![]() | 4466 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | hexfred® | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT180 | 1087 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 281 a | 2.05V @ 15V,100a | 100 µA | 不 | 9.35 NF @ 25 V | ||
![]() | MIXG120W1200TEH | 155.5040 | ![]() | 5781 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | Mixg120 | 625 w | 标准 | E3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MIXG120W1200TEH | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三相逆变器 | pt | 1200 v | 186 a | 2V @ 15V,100a | 2 ma | 是的 | |||
![]() | APTGT50TA60PG | 150.8300 | ![]() | 2068 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP6 | APTGT50 | 176 w | 标准 | sp6-p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三期 | 沟渠场停止 | 600 v | 80 a | 1.9V @ 15V,50a | 250 µA | 不 | 3.15 NF @ 25 V | ||
![]() | FF900R12ME7B11NPSA1 | 426.6000 | ![]() | 6592 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FF900R12 | 20兆 | 标准 | Ag-Econod-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 2独立 | 沟渠场停止 | 1200 v | 900 a | 1.8V @ 15V,900A | 100 µA | 是的 | 122 NF @ 25 V | ||
![]() | APTGF660U60D4G | - | ![]() | 7470 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | D4 | 2800 w | 标准 | D4 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 600 v | 860 a | 2.45V @ 15V,800A | 500 µA | 不 | 36 NF @ 25 V | |||||
![]() | FF450R12ME4EB11BPSA1 | 205.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FF450R12 | 20兆 | 标准 | Ag-Econod-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 半桥逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 450 a | 2.1V @ 15V,450a | 3 ma | 是的 | 28 NF @ 25 V | ||
![]() | APTGT400SK120D3G | - | ![]() | 6754 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | D-3模块 | 2100 w | 标准 | D3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 580 a | 2.1V @ 15V,400A | 750 µA | 不 | 29 nf @ 25 V | ||||
![]() | BSM300GA120DN2HOSA1 | 220.5560 | ![]() | 7493 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 上次购买 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BSM300 | 2500 w | 标准 | 模块 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单个开关 | - | 1200 v | 430 a | 3V @ 15V,300A | 5.6 ma | 不 | 22 NF @ 25 V | ||
![]() | SNXH100M95H3Q2F2PG | - | ![]() | 9858 | 0.00000000 | Onmi | - | 托盘 | 过时的 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 193 w | 标准 | 40-pim/q2pack(93x47) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 488-SNXH100M95H3Q2F2PG | 过时的 | 1 | 完整的桥梁逆变器 | 沟渠场停止 | 950 v | 85 a | 2.25V @ 15V,150a | 400 µA | 是的 | 9.546 NF @ 20 V | ||||
![]() | CM800DU-12H | - | ![]() | 1427 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 1500 w | 标准 | 模块 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 600 v | 800 a | 3.15V @ 15V,800A | 2 ma | 不 | 70.4 NF @ 10 V | ||||
![]() | F3L75R12W1H3B27BOMA1 | 67.1700 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | F3L75R12 | 275 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 三相逆变器 | - | 1200 v | 45 a | 1.7V @ 15V,30a | 1 MA | 是的 | 4.4 NF @ 25 V | ||
![]() | MWI100-12A8T | - | ![]() | 1193 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | - | 底盘安装 | E3 | MWI100 | 640 w | 标准 | E3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三相逆变器 | npt | 1200 v | 160 a | 2.6V @ 15V,100a | 6.3 MA | 不 | 6.5 nf @ 25 V | ||
![]() | BSM75GP60BOSA1 | - | ![]() | 4039 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | BSM75G | 310 w | 三相桥梁整流器 | 模块 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | - | 600 v | 100 a | 2.45V @ 15V,75a | 500 µA | 是的 | 3.3 NF @ 25 V | ||
![]() | FD300R12KS4B5HOSA1 | 209.2650 | ![]() | 9054 | 0.00000000 | Infineon技术 | c | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | FD300R12 | 1950 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单菜器 | - | 1200 v | 370 a | 3.75V @ 15V,300A | 5 ma | 不 | 20 nf @ 25 V | ||
![]() | DF400R12KE3HOSA1 | 223.5100 | ![]() | 5044 | 0.00000000 | Infineon技术 | c | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | DF400R12 | 2000 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 580 a | 2.15V @ 15V,400A | 5 ma | 不 | 28 NF @ 25 V | ||
![]() | APTGLQ150H120G | 278.2000 | ![]() | 6243 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | APTGLQ150 | 750 w | 标准 | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 全桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 250 a | 2.4V @ 15V,150a | 100 µA | 不 | 8.8 nf @ 25 V | |||
![]() | IXSN62N60U1 | - | ![]() | 2414 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXSN62 | 250 w | 标准 | SOT-227B | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | pt | 600 v | 90 a | 2.5V @ 15V,50a | 750 µA | 不 | 4.5 nf @ 25 V | |||
![]() | MIEB101H1200EH | 145.0900 | ![]() | 39 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | Mieb101 | 630 w | 标准 | E3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 完整的桥梁逆变器 | - | 1200 v | 183 a | 2.2V @ 15V,100a | 300 µA | 不 | 7.43 NF @ 25 V | ||
![]() | VS-ENY050C60 | 54.2200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | * | 盒子 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-ENY050C60 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||
![]() | FS300R12N3E7BPSA1 | 444.3600 | ![]() | 1026 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | FS300R12 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | ||||||||||||||||
![]() | MIP50R12E1ATN-BP | 119.9000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | MIP50 | 288 w | 三相桥梁整流器 | E1a | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 353-MIP50R12E1ATN-BP | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | - | 1200 v | 50 a | 2.3V @ 15V,50a | 1 MA | 是的 | 2.6 nf @ 25 V | |
![]() | FF600R07ME4B11BPSA1 | 252.1400 | ![]() | 4132 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FF600R07 | 1800 w | 标准 | Ag-Econod-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 2独立 | 沟渠场停止 | 650 v | 700 a | 1.95V @ 15V,600A | 1 MA | 是的 | 37 NF @ 25 V | ||
![]() | FF900R17ME7B11BPSA1 | 473.0700 | ![]() | 1617年 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FF900R17 | 20兆 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 2独立 | 沟渠场停止 | 1700 v | 900 a | 1.85V @ 15V,900A | 5 ma | 是的 | 93.8 NF @ 25 V | ||
![]() | BSM300GB120DLCE3256HOSA1 | 225.3500 | ![]() | 382 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BSM300 | 2500 w | 标准 | 模块 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 2156-BSM300GB120DLCE3256HOSA1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2独立 | - | 1200 v | 625 a | 2.6V @ 15V,300A | 5 ma | 不 | 21 nf @ 25 V | ||
![]() | FP75R12N3T4B80BPSA1 | 264.2000 | ![]() | 4167 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | |||||||||||||||||
![]() | FF600R12ME4B73BPSA2 | 340.9700 | ![]() | 6290 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FF600R12 | 20兆 | 标准 | ag-econod | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 2独立 | 沟渠场停止 | 1200 v | 600 a | 2.1V @ 15V,600A | 3 ma | 是的 | 37 NF @ 25 V |
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