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（BJT）（35082）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	获得	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PBSS5140T/ZLR	-	RFQ	2380	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		450兆	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069991215	Ear99	8541.21.0075	3,000		40 V	1 a	100NA	PNP	500mv @ 100mA，1a	300 @ 100mA，5V	150MHz
DRC2144G0L	-	RFQ	3929	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DRC2144	200兆	mini3-g3-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，10v			47科姆斯
2SA15320CL	-	RFQ	6987	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA1532	150兆	smini3-g1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000		20 v	30 ma	100µA	PNP	100mv @ 1mA，10mA	110 @ 1mA，10v	300MHz
PDTC123YMB，315	0.0300	RFQ	99	NXP半导体	*	大部分	积极的				PDTC123			下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC123YMB，315-954			1
mpsa55rlra	-	RFQ	4938	Onmi	*	（CT）	过时的				MPSA55			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000
2SC3303 bp	-	RFQ	5493	微商业公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SC3303	1 w	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		80 V	5 a	1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 150mA，3a	70 @ 1A，1V	20MHz
BCR133WE6327	-	RFQ	7553	Infineon技术	*	大部分	积极的				BCR133			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BC860BMTF	-	RFQ	2824	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC860	310 MW	SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		45 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	150MHz
2SC2062STPC	-	RFQ	1218	Rohm半导体	-	（CT）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-72形成铅	2SC2062	300兆	spt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000		32 v	300 MA	100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.4V @ 200µA，200mA	10000 @ 100mA，3V	200MHz
2N5308_D26Z	-	RFQ	2278	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5308	625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		40 V	1.2 a	100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.4V @ 200µA，200mA	7000 @ 2mA，5V	-
PEMH13,315	1.0000	RFQ	4656	NXP半导体	-	大部分	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	PEMH13	300MW	SOT-666	下载						0000.00.0000	1		50V	100mA	1µA	2 NPN- 预偏（双重）	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v	-	4.7kohms	47kohms
DTC323TUT106	-	RFQ	3017	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC323	200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		15 v	600 MA	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	80mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V	200 MHz	2.2 kohms
JAN2N5796	105.1208	RFQ	3081	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5796	600MW	TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		60V	600mA	10µA（ICBO）	2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
pxta42f	0.1519	RFQ	7856	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		1.3 w	SOT-89	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PXTA42FTR	Ear99	8541.29.0075	4,000		300 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
STB13005-1	1.0400	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB13005	75 w	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400 v	4 a	1ma	NPN	1V @ 1A，4A	8 @ 2a，5v	-
ksc2688ostu	-	RFQ	4662	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSC2688	1.25 w	TO-126	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60		300 v	200 ma	100µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，10v	80MHz
2N5760	77.3850	RFQ	7509	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		150 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5760	Ear99	8541.29.0095	1		140 v	6 a	-	NPN	-	-	-
SJE3016	0.2400	RFQ	45	Onmi	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
AT-30533-TR1G	-	RFQ	5796	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		100MW	SOT-23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	11db〜13dB	5.5V	8mA		NPN		70 @ 1mA，2.7V	-			1.1db〜1.4dB @ 900MHz
BC817-40-13P	0.0247	RFQ	7185	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817	300兆	SOT-23	下载				353-BC817-40-13P	Ear99	8541.21.0075	1		45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
2N3763	27.5443	RFQ	1088	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3763	500兆	到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		60 V	1.5 a	100NA	PNP	900mv @ 100mA，1a	20 @ 1.5A，5V	-
BCW60FFE6327HTSA1	-	RFQ	4039	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW60	330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		32 v	100 ma	20NA（ICBO）	NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	250MHz
2SD1851-TB-E-SY	0.1000	RFQ	219	Sanyo	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
2SB764E	0.1700	RFQ	8153	Onmi	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500
JAN2N6351	-	RFQ	5311	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/472	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AC，TO-33-4金属可以		1 w	TO-33	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		150 v	5 a	-	npn-达灵顿	2.5V @ 10mA，5a	1000 @ 5A，5V	-
KSH31CTM	0.2000	RFQ	7502	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		1.56 w	TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	450		100 v	3 a	50µA	NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
BCV47E6433HTMA1	0.0786	RFQ	6619	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCV47	360兆w	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000		60 V	500 MA	100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	170MHz
DRC3144G0L	-	RFQ	5307	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SOT-723	DRC3144	100兆	SSSMINI3-F2-B	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000		50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，10v			47科姆斯
NSBC124EPDP6T5G	0.1042	RFQ	9162	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-963	NSBC124	250MW	SOT-963	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	250mv @ 300µA，10mA	60 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	22KOHMS
TIP29A-BP	-	RFQ	5019	微商业公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP29	30 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TIP29ABP	Ear99	8541.29.0095	5,000		60 V	1 a	300µA	NPN	700mv @ 125mA，1a	15 @ 1A，4V	3MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（BJT）（35082）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²