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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DXTP3C60PS-13 | 0.5600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | dxtp3 | 5 w | PowerDI5060-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 60 V | 3 a | 100NA | PNP | 360mv @ 300mA,3a | 150 @ 500mA,2V | - | ||||
![]() | 提示117 | - | ![]() | 9187 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 2 w | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 2 a | 2mA | pnp-达灵顿 | 2.5V @ 8mA,2a | 1000 @ 1A,4V | - | |||||||
![]() | 2SD1621T-TD-E | 0.1200 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||
![]() | JASP2N3810U | 262.3106 | ![]() | 5377 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/336 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,没有铅 | 2N3810 | 350MW | 你 | - | 到达不受影响 | 150-JANSP2N3810U | 1 | 60V | 50mA | 10µA(ICBO) | 2 PNP (双) | 250mv @ 100µA,1mA | 150 @ 1mA,5V | - | |||||||
![]() | 2C3741A | 24.1650 | ![]() | 4360 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-2C3741A | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114EQA147 | 0.0300 | ![]() | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 2N4037 | 0.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-2N4037 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 40 V | 1 a | 250NA(ICBO) | PNP | 1.4V @ 15mA,150mA | 50 @ 150mA,10V | - | ||||
![]() | smun2113t1g | 0.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | Smun2113 | 230兆 | SC-59 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 250mv @ 300µA,10mA | 80 @ 5mA,10v | 47科姆斯 | 47科姆斯 | ||||
![]() | RJP63K2DPP-MZ #T2 | 2.4000 | ![]() | 472 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | DTA144WXV3T1 | 0.0600 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | DTA144 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | MPSA92ZL1 | - | ![]() | 4300 | 0.00000000 | Onmi | - | (TB) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3) | MPSA92 | 625兆 | TO-92(to-226) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 300 v | 500 MA | 250NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 2mA,20mA | 25 @ 30mA,10v | 50MHz | ||||
![]() | BC817-40W/ZLF | - | ![]() | 8089 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BC817 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||
![]() | BF820,215 | - | ![]() | 1747年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BF820 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | KTC3198-gr | 0.0583 | ![]() | 2961 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | KTC3198 | 500兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-KTC3198-GRTB | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 250mv @ 10mA,100mA | 70 @ 2mA,6v | 80MHz | ||||
![]() | BC549CBK | 0.2012 | ![]() | 5905 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 500兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | 2721-BC549CBK | 30 | 30 V | 100 ma | 15NA | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 420 @ 2mA,5V | 300MHz | ||||||||
![]() | 2C2432 | 6.9150 | ![]() | 7765 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-2C2432 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143TU,135 | 0.0200 | ![]() | 110 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDTC14 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||
![]() | BCM857BSH-QX | 0.0852 | ![]() | 9396 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BCM857 | 270MW | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1727-BCM857BSH-QX | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45V | 100mA | 15NA(icbo) | 2 PNP (双) | 300mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5V | 100MHz | |||
![]() | SMMUN2116LT1G | - | ![]() | 2695 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 246兆 | SOT-23-3(TO-236) | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-SMMUN2116LT1G-954 | 1 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 250mv @ 1mA,10mA | 160 @ 5mA,10v | 4.7科姆斯 | ||||||||
JANSL2N2907A | 99.0906 | ![]() | 5767 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/291 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 500兆 | TO-18((TO-206AA) | - | 到达不受影响 | 150-JANSL2N2907A | 1 | 60 V | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | - | |||||||||
![]() | UPA1428AH-az | 2.3500 | ![]() | 4924 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | |||||||||||||||||
![]() | CPH5701-TL-E | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | MJD45H11TF-on | - | ![]() | 3144 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 1.75 w | TO-252-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 8 a | 10µA | PNP | 1V @ 400mA,8a | 40 @ 4A,1V | 40MHz | |||||
![]() | 2N2917A | 9.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-77-8金属罐 | 2N2917 | - | 到77 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-2N2917A | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | - | - | - | 2 NPN (双) | - | - | - | |||
![]() | mps6652rlra | - | ![]() | 2449 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3) | MPS665 | 625兆 | TO-92(to-226) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40 V | 1 a | 100NA | PNP | 600mv @ 100mA,1a | 50 @ 500mA,1V | 100MHz | ||||
![]() | 2SD2406-y(f) | - | ![]() | 9090 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 2SD2406 | 25 w | TO-220NIS | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 4 a | 30µA(ICBO) | NPN | 1.5V @ 300mA,3a | 120 @ 500mA,5V | 8MHz | ||||||
![]() | BC817-25Q | 0.0190 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | BC817 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BC817-25QTR | Ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | 2N4953 | 0.0400 | ![]() | 4728 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1,990 | 30 V | 1 a | 50NA(iCBO) | NPN | 300mv @ 15mA,150mA | 200 @ 150mA,10V | - | |||||||
![]() | 2N3960UB | - | ![]() | 4947 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 400兆 | UB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 12 v | 10µA(ICBO) | NPN | 300mv @ 3mA,30mA | 60 @ 10mA,1V | - | ||||||
PDTD114ETR | 0.3400 | ![]() | 6135 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PDTD114 | 320兆W | TO-236AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 500 MA | 500NA | npn-预先偏见 | 100mV @ 2.5mA,50mA | 70 @ 50mA,5V | 225 MHz | 10 kohms | 10 kohms |
每日平均RFQ量
标准产品单位
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