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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt)
GS1GDWG_R1_00001 Panjit International Inc. GS1GDWG_R1_00001 0.0250
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ECAD 9326 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA GS1 标准 SMA (DO-214AC) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 59,400 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.1V@1A 500纳秒 400V时为1μA -55℃~150℃ 1A 7pF@4V、1MHz
1N4751A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4751A-T50A 0.0500
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ECAD 6 0.00000000 仙童 - 大部分 的积极 ±5% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AL、DO-41、矫正 1N4751 1W DO-41 下载 不适用 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 22.8V时为5μA 30V 40欧姆
1N5372/TR12 Microchip Technology 1N5372/TR12 2.6250
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ECAD 4294 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 ±20% -65℃~150℃ 通孔 T-18,团结 1N5372 5W T-18 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.2V@1A 44.6V时为500nA 62V 42欧姆
GDZ5V1B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ5V1B-G3-08 0.3300
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ECAD 48 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 GDZ-G 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -55℃~150℃ 表面贴装 SC-76、SOD-323 GDZ5V1 200毫W SOD-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1V时为2μA 5.1V 80欧姆
TSZU52C33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C33 RGG 0.0669
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ECAD 5662 0.00000000 台积电 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 ±5% -55°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 0603(1608公制) TSZU52 150毫W 0603 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 4,000 900毫伏@10毫安 100nA@25V 33V 80欧姆
JANTXV1N4106C-1 Microchip Technology JANTXV1N4106C-1 23.1600
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ECAD 6156 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 的积极 ±2% -65℃~175℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 1N4106 500毫W DO-35 (DO-204AH) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V@200mA 9.2V时为50nA 12V 200欧姆
BZT55B47 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B47 L0G 0.0385
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ECAD 4292 0.00000000 台积电 - 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 BZT55 500毫W 迷你MELF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000 1V@10mA 100nA@35V 47V 110欧姆
CZRF52C15 Comchip Technology CZRF52C15 0.4300
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ECAD 4 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -55℃~125℃ 表面贴装 1005(2512 公制) CZRF52 200毫W 1005/SOD-323F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 4,000 900毫伏@10毫安 11V时为100nA 15V 30欧姆
BZX79-C3V6,133 Nexperia USA Inc. BZX79-C3V6,133 0.1600
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ECAD 11 0.00000000 安世半导体美国公司 - 切带 (CT) 的积极 ±5% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 BZX79-C3V6 400毫W ALF2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000 900毫伏@10毫安 1V时为5μA 3.6V 90欧姆
PZS515V1BCH-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PZS515V1BCH-AU_R1_000A1 0.0378
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ECAD 4639 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-90、SOD-323F PZS515 500毫W SOD-323HE 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,250,000 10μA@3V 5.1V
RB520S40_R1_00001 Panjit International Inc. RB520S40_R1_00001 0.2200
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ECAD 54 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-79、SOD-523 RB520 肖特基 SOD-523 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 5,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 600 毫伏 @ 200 毫安 10纳秒 30V时为5μA -55℃~125℃ 250毫安 50pF@0V、1MHz
1N4742A-T Diodes Incorporated 1N4742A-T -
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ECAD 6818 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 过时的 ±5% -65℃~175℃ 通孔 DO-204AL、DO-41、矫正 1N4742 1W DO-41 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2V@200mA 9.1V时为5μA 12V 9欧姆
JAN1N4626C-1 Microchip Technology JAN1N4626C-1 9.5850
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ECAD 2365 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 的积极 ±2% -65℃~175℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 1N4626 500毫W DO-35 (DO-204AH) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V@200mA 4V时为5μA 5.6V 1400欧姆
JAN1N3033D-1 Microchip Technology JAN1N3033D-1 21.6750
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ECAD 6426 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 的积极 ±1% -55℃~175℃ 通孔 DO-204AL、DO-41、矫正 1N3033 1W DO-41 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 1.2V@200mA 10μA@27.4V 36V 50欧姆
BZX85C3V6_T50A onsemi BZX85C3V6_T50A -
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ECAD 6215 0.00000000 onsemi - 胶带和盒子 (TB) 过时的 ±6% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AL、DO-41、矫正 BZX85C3 1W DO-41 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.2V@200mA 1V时为30μA 3.6V 15欧姆
SMBG4730AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4730AE3/TR13 -
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ECAD 2746 0.00000000 美高森美公司 - 卷带式 (TR) 过时的 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 DO-215AA,SMB鸥翼 SMBG4730 2W SMBG (DO-215AA) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.2V@200mA 1V时为50μA 3.9V 9欧姆
1N5990C Microchip Technology 1N5990C 4.1550
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ECAD 5118 0.00000000 微芯片 - 大部分 的积极 ±2% -65℃~175℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 1N5990 500毫W DO-35 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V@200mA 1V时为10μA 3.9V 90欧姆
MMSZ12ET1 onsemi 彩信Z12ET1 -
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ECAD 8944 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 ±5% -55℃~150℃ 表面贴装 SOD-123 彩信Z12 500毫W SOD-123 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 8V时为100nA 12V 25欧姆
MMBZ5251B-7 Diodes Incorporated MMBZ5251B-7 -
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ECAD 3850 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) SIC停产 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBZ5251B 350毫W SOT-23-3 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 17V时为100nA 22V 29欧姆
1N5522BUR-1 Microchip Technology 1N5522BUR-1 7.8600
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ECAD 4175 0.00000000 微芯片 - 大部分 的积极 ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 DO-213AA 1N5522 500毫W DO-213AA 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V@200mA 2V时为2μA 4.7V 22欧姆
VS-E5PH3006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5PH3006LHN3 3.1700
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ECAD 993 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 汽车、AEC-Q101、FRED Pt® 管子 的积极 通孔 TO-247-2 VS-E5 标准 TO-247AD 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 112-VS-E5PH3006LHN3 EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.6V@30A 46纳秒 600V时为20μA -55℃~175℃ 30A -
JANTX1N3046B-1 Microchip Technology JANTX1N3046B-1 -
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ECAD 1915年 0.00000000 微芯片 - 大部分 的积极 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1
BZX84-C30/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C30/LF1VL -
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ECAD 7503 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84-C30 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934069459235 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 18.9V时为50nA 30V 80欧姆
BZX55C3V0_T50R onsemi BZX55C3V0_T50R -
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ECAD 8444 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 ±7% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 BZX55C3 500毫W DO-35 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000 1.3V@100mA 1V时为4μA 3V 85欧姆
JANS1N4128D-1 Microchip Technology JANS1N4128D-1 101.3100
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ECAD 6528 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 的积极 ±1% -65°C ~ 175°C (TJ) 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W DO-35 (DO-204AH) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V@200mA 45.6V时为10nA 60V 400欧姆
ESH1B-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1B-M3/5AT 0.1650
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ECAD 8565 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA ESH1 标准 DO-214AC (SMA) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 7,500 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 900毫伏@1安 25纳秒 1μA@100V -55℃~175℃ 1A 25pF@4V,1MHz
20ETF12FP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ETF12FP -
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ECAD 1085 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 管子 过时的 通孔 TO-220-2全包 20ETF12 标准 TO-220AC全包 - 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1200伏 1.31V@20A 400纳秒 100μA@1200V -40℃~150℃ 20A -
PTV22B-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV22B-E3/85A -
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ECAD 3397 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 eSMP® 卷带式 (TR) 过时的 ±6% 150℃ 表面贴装 DO-220AA PTV22 600毫W DO-220AA(SMP) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5V@200mA 17V时为10μA 23.3V 14欧姆
BZX84C4V7-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C4V7-E3-08 0.2300
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ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 BZX84 卷带式 (TR) 的积极 ±6% -55℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84C4V7 300毫W SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 2V时为3μA 4.7V 80欧姆
1N5237B onsemi 1N5237B 0.1600
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ECAD 13 0.00000000 onsemi - 大部分 的积极 ±5% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 1N5237 500毫W DO-35 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2V@200mA 6.5V时为3μA 8.2V 8欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库