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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GS1GDWG_R1_00001 | 0.0250 | ![]() | 9326 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | GS1 | 标准 | SMA (DO-214AC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 59,400 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.1V@1A | 500纳秒 | 400V时为1μA | -55℃~150℃ | 1A | 7pF@4V、1MHz | |||||||
![]() | 1N4751A-T50A | 0.0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | ±5% | -65℃~200℃ | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1N4751 | 1W | DO-41 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 22.8V时为5μA | 30V | 40欧姆 | ||||||||||
![]() | 1N5372/TR12 | 2.6250 | ![]() | 4294 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±20% | -65℃~150℃ | 通孔 | T-18,团结 | 1N5372 | 5W | T-18 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2V@1A | 44.6V时为500nA | 62V | 42欧姆 | |||||||||
![]() | GDZ5V1B-G3-08 | 0.3300 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | GDZ-G | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -55℃~150℃ | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | GDZ5V1 | 200毫W | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1V时为2μA | 5.1V | 80欧姆 | ||||||||||
![]() | TSZU52C33 RGG | 0.0669 | ![]() | 5662 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | ±5% | -55°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 0603(1608公制) | TSZU52 | 150毫W | 0603 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900毫伏@10毫安 | 100nA@25V | 33V | 80欧姆 | |||||||||
| JANTXV1N4106C-1 | 23.1600 | ![]() | 6156 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 的积极 | ±2% | -65℃~175℃ | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 1N4106 | 500毫W | DO-35 (DO-204AH) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 9.2V时为50nA | 12V | 200欧姆 | ||||||||||
![]() | BZT55B47 L0G | 0.0385 | ![]() | 4292 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | BZT55 | 500毫W | 迷你MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1V@10mA | 100nA@35V | 47V | 110欧姆 | |||||||||
![]() | CZRF52C15 | 0.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 芯芯科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -55℃~125℃ | 表面贴装 | 1005(2512 公制) | CZRF52 | 200毫W | 1005/SOD-323F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900毫伏@10毫安 | 11V时为100nA | 15V | 30欧姆 | |||||||||
![]() | BZX79-C3V6,133 | 0.1600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | - | 切带 (CT) | 的积极 | ±5% | -65℃~200℃ | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | BZX79-C3V6 | 400毫W | ALF2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900毫伏@10毫安 | 1V时为5μA | 3.6V | 90欧姆 | |||||||||
![]() | PZS515V1BCH-AU_R1_000A1 | 0.0378 | ![]() | 4639 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | PZS515 | 500毫W | SOD-323HE | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,250,000 | 10μA@3V | 5.1V | |||||||||||
![]() | RB520S40_R1_00001 | 0.2200 | ![]() | 54 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | RB520 | 肖特基 | SOD-523 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 600 毫伏 @ 200 毫安 | 10纳秒 | 30V时为5μA | -55℃~125℃ | 250毫安 | 50pF@0V、1MHz | |||||||
![]() | 1N4742A-T | - | ![]() | 6818 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±5% | -65℃~175℃ | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1N4742 | 1W | DO-41 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2V@200mA | 9.1V时为5μA | 12V | 9欧姆 | |||||||||
| JAN1N4626C-1 | 9.5850 | ![]() | 2365 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 的积极 | ±2% | -65℃~175℃ | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 1N4626 | 500毫W | DO-35 (DO-204AH) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 4V时为5μA | 5.6V | 1400欧姆 | ||||||||||
| JAN1N3033D-1 | 21.6750 | ![]() | 6426 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 的积极 | ±1% | -55℃~175℃ | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1N3033 | 1W | DO-41 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2V@200mA | 10μA@27.4V | 36V | 50欧姆 | ||||||||||
![]() | BZX85C3V6_T50A | - | ![]() | 6215 | 0.00000000 | onsemi | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | ±6% | -65℃~200℃ | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | BZX85C3 | 1W | DO-41 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2V@200mA | 1V时为30μA | 3.6V | 15欧姆 | ||||||||||
![]() | SMBG4730AE3/TR13 | - | ![]() | 2746 | 0.00000000 | 美高森美公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±5% | -65℃~150℃ | 表面贴装 | DO-215AA,SMB鸥翼 | SMBG4730 | 2W | SMBG (DO-215AA) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2V@200mA | 1V时为50μA | 3.9V | 9欧姆 | ||||||||||
![]() | 1N5990C | 4.1550 | ![]() | 5118 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | ±2% | -65℃~175℃ | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 1N5990 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 1V时为10μA | 3.9V | 90欧姆 | |||||||||
![]() | 彩信Z12ET1 | - | ![]() | 8944 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±5% | -55℃~150℃ | 表面贴装 | SOD-123 | 彩信Z12 | 500毫W | SOD-123 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 8V时为100nA | 12V | 25欧姆 | |||||||||
| MMBZ5251B-7 | - | ![]() | 3850 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | ±5% | -65℃~150℃ | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMBZ5251B | 350毫W | SOT-23-3 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 17V时为100nA | 22V | 29欧姆 | ||||||||||
![]() | 1N5522BUR-1 | 7.8600 | ![]() | 4175 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AA | 1N5522 | 500毫W | DO-213AA | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 2V时为2μA | 4.7V | 22欧姆 | ||||||||||
![]() | VS-E5PH3006LHN3 | 3.1700 | ![]() | 993 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、FRED Pt® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | VS-E5 | 标准 | TO-247AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 112-VS-E5PH3006LHN3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.6V@30A | 46纳秒 | 600V时为20μA | -55℃~175℃ | 30A | - | ||||||
![]() | JANTX1N3046B-1 | - | ![]() | 1915年 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C30/LF1VL | - | ![]() | 7503 | 0.00000000 | 恩智浦 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65℃~150℃ | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BZX84-C30 | 250毫W | SOT-23 (TO-236AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 934069459235 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 18.9V时为50nA | 30V | 80欧姆 | ||||||||
![]() | BZX55C3V0_T50R | - | ![]() | 8444 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±7% | -65℃~200℃ | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | BZX55C3 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.3V@100mA | 1V时为4μA | 3V | 85欧姆 | ||||||||||
| JANS1N4128D-1 | 101.3100 | ![]() | 6528 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 的积极 | ±1% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 (DO-204AH) | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 45.6V时为10nA | 60V | 400欧姆 | ||||||||||||
![]() | ESH1B-M3/5AT | 0.1650 | ![]() | 8565 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | ESH1 | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 900毫伏@1安 | 25纳秒 | 1μA@100V | -55℃~175℃ | 1A | 25pF@4V,1MHz | |||||||
![]() | 20ETF12FP | - | ![]() | 1085 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2全包 | 20ETF12 | 标准 | TO-220AC全包 | - | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1200伏 | 1.31V@20A | 400纳秒 | 100μA@1200V | -40℃~150℃ | 20A | - | |||||||
![]() | PTV22B-E3/85A | - | ![]() | 3397 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | eSMP® | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±6% | 150℃ | 表面贴装 | DO-220AA | PTV22 | 600毫W | DO-220AA(SMP) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5V@200mA | 17V时为10μA | 23.3V | 14欧姆 | |||||||||
| BZX84C4V7-E3-08 | 0.2300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | BZX84 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±6% | -55℃~150℃ | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BZX84C4V7 | 300毫W | SOT-23-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2V时为3μA | 4.7V | 80欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N5237B | 0.1600 | ![]() | 13 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 的积极 | ±5% | -65℃~200℃ | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 1N5237 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2V@200mA | 6.5V时为3μA | 8.2V | 8欧姆 |

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