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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANS1N6323DUS | 412.1550 | ![]() | 9587 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 的积极 | ±1% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SQ-MELF,B | 500毫W | B、SQ-MELF | - | REACH 不出行 | 150-JANS1N6323DUS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4V@1A | 7V时为1μA | 9.1V | 6欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | MBRD320RL | - | ![]() | 9392 | 0.00000000 | onsemi | 切换模式™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MBRD320 | 肖特基 | DPAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 600毫伏@3安 | 20V时为200μA | -65℃~150℃ | 3A | - | |||||||||||||
![]() | US1M-TP | 0.4200 | ![]() | 184 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | US1M | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.4V@2A | 100纳秒 | 10μA@1000V | -65℃~175℃ | 1A | 10pF@4V,1MHz | ||||||||||||
![]() | SS210HE3_A/I | 0.1724 | ![]() | 2554 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | SS210 | 肖特基 | DO-214AA (SMB) | 下载 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 950毫伏@3安 | 100V时为30μA | -55℃~150℃ | 1.5A | - | |||||||||||||||
![]() | S3X-CT | 1.0475 | ![]() | 54 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 标准 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-S3X-CT | 8541.10.0000 | 15 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1800伏 | 1.15V@3A | 1.5微秒 | 1.8V时为5μA | -50℃~150℃ | 3A | - | |||||||||||||
![]() | VS-12CWQ03FN-M3 | 0.9200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 12CWQ03 | 肖特基 | D-PAK (TO-252AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VS-12CWQ03FN-M3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 30V | 6A | 470 毫伏 @ 6 安 | 3毫安@30伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||||
| UPS340/TR13 | 1.4400 | ![]() | 9428 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | Powermite®3 | 停止电源340 | 肖特基 | 威力小3 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 500毫伏@3安 | 40V时为500μA | -55℃~125℃ | 3A | 180pF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
| DBL151G C1G | - | ![]() | 6882 | 0.00000000 | 台积电 | - | 管子 | SIC停产 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 双BL151 | 标准 | 深蓝 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@1.5A | 100V时为2μA | 1.5安 | 单相 | 50V | |||||||||||||||
| JANTX1N6325CUS/TR | 46.4850 | ![]() | 4803 | 0.00000000 | 微芯片 | MIL-PRF-19500/533 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SQ-MELF,B | 500毫W | B、SQ-MELF | - | 150-JANTX1N6325CUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4V@1A | 8.5V时为1μA | 11伏 | 7欧姆 | ||||||||||||||||||
| BZT52B33Q | 0.0280 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 扬杰科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 4617-BZT52B33QTR | EAR99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N4485美国/土耳其 | 10.9650 | ![]() | 5992 | 0.00000000 | 微芯片 | MIL-PRF-19500/406 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SQ-MELF,A | 1.5W | D-5A | - | 150-JAN1N4485美国/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5V@1A | 54.4V时为250nA | 68V | 100欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | D16-4150E3/TU | - | ![]() | 6891 | 0.00000000 | 美高森美公司 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | 16-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 标准 | 16-DIP | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 8 独立 | 75V | - | 1V@200mA | 4纳秒 | 50V时为100μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||||
![]() | BZG03B15TR | - | ![]() | 9758 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、BZG03B | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±2% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | BZG03 | 1.25W | DO-214AC | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2V@500mA | 1μA@11V | 15V | 10欧姆 | |||||||||||||||
![]() | BZV55C11 L1G | - | ![]() | 6379 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | BZV55C | 500毫W | 迷你MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500人 | 1V@10mA | 8.2V时为100nA | 11伏 | 20欧姆 | ||||||||||||||
| JANTXV1N5539C-1 | 23.3700 | ![]() | 4324 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 的积极 | ±2% | -65℃~175℃ | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 1N5539 | 500毫W | DO-35 (DO-204AH) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 17.1V时为10nA | 19伏 | 100欧姆 | |||||||||||||||
![]() | STPS340SY | 0.8600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 意法半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | STPS340 | 肖特基 | SMC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 630毫伏@3安 | 40V时为20μA | -40℃~150℃ | 3A | - | |||||||||||||
![]() | 巴斯40X | 0.0150 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 扬杰科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | BAS40 | - | 符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 4617-BAS40XTR | EAR99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5541A/TR | 5.9052 | ![]() | 9857 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±10% | -65℃~175℃ | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 500毫W | DO-213AB | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-CDLL5541A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 10nA@18V | 22V | 100欧姆 | |||||||||||||||
![]() | CMKZ5231B TR | - | ![]() | 6873 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±5% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | 200毫W | SOT-363 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 独立 | 900毫伏@10毫安 | 5μA@2V | 5.1V | 17欧姆 | |||||||||||||||
![]() | DDZ27BSF-7 | 0.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±3% | -65℃~150℃ | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | DDZ27 | 500毫W | SOD-323F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 23.7V时为70nA | 25.62V | 70欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N3783 | 38.6100 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | ±5% | - | 通孔 | DO-204AA、DO-7、团结 | 400毫W | DO-7 | - | REACH 不出行 | 150-1N3783 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.7V | 10欧姆 | ||||||||||||||||||
![]() | GR5D | 0.0850 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 扬杰科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 4617-GR5DTR | EAR99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UH2CHE3_A/I | - | ![]() | 9545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 呃2 | 标准 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 1.05V@2A | 25纳秒 | 150V时为2μA | -55℃~175℃ | 2A | 42pF @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MMSZ5253C-HE3_A-18 | 0.0566 | ![]() | 3574 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123 | 500毫W | SOD-123 | 下载 | 112-MMSZ5253C-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900毫伏@10毫安 | 100nA@19V | 25V | 35欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | NTE621 | 0.3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NTE电子公司 | - | 包 | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,MELF(玻璃) | 标准 | DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2368-NTE621 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.1V@1A | 400V时为10μA | -65℃~175℃ | 1A | 15pF @ 4V,1MHz | |||||||||||||||
![]() | TS40P05G C2G | - | ![]() | 3209 | 0.00000000 | 台积电 | - | 管子 | SIC停产 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、TS-6P | TS40P05 | 标准 | TS-6P | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1V@20A | 600V时为10μA | 40A | 单相 | 600伏 | ||||||||||||||
![]() | ZPD18B | 0.0225 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-ZPD18BTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 100nA@14V | 18V | 18欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | MMBD4448W-7 | 0.4700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 分散公司 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N6640US | 8.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/609 | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | SQ-MELF,D | 1N6640 | 标准 | D-5D | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1V@200mA | 4纳秒 | 50V时为100nA | -65℃~175℃ | 300毫安 | - | ||||||||||||
![]() | JANTX1N6941UTK3AS/TR | 506.5350 | ![]() | 9446 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | ThinKey™3 | SiC(碳化硅)肖特基 | ThinKey™3 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANTX1N6941UTK3AS/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 500毫伏@50安 | 5毫安@30伏 | -65℃~175℃ | 150A | 7500pF @ 5V、1MHz |

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