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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | 二极管配置 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
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DZ23C2V7-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 1261 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,DZ23 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DZ23 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1对普通阴极 | 2.7 v | 83欧姆 | ||||||||||||||||
AZ23B33-E3-08 | 0.0509 | ![]() | 5447 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | AZ23 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | AZ23B33 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1对公共阳极 | 100 na @ 25 V | 33 V | 80欧姆 | |||||||||||||||
![]() | AZ23C8V2 RFG | 0.0786 | ![]() | 1422 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | AZ23C | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1对公共阳极 | 100 na @ 6 V | 8.2 v | 7欧姆 | ||||||||||||||
AZ23C43-7 | - | ![]() | 4078 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | AZ23C43 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1对公共阳极 | 43 V | 100欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | 1N5241 | - | ![]() | 8707 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | (TB) | 过时的 | - | 200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 8.4 V | 11 V | 22欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | SML4750-E3/61 | 0.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | 150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | SML4750 | 1 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 35欧姆 | |||||||||||||||
![]() | JANTX1N6322DUS/TR | 58.0500 | ![]() | 8769 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 150-JANTX1N6322DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 5欧姆 | |||||||||||||||||
s1jlhrtg | - | ![]() | 4405 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | S1J | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 1.8 µs | 5 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 1a | 9pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||
![]() | RD15E-T4-AZ | 0.0300 | ![]() | 200 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70 | 0.2300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV70 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 75 v | 150mA | 1 V @ 50 mA | 6 ns | 2.5 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | RB225NS-40TL | 2.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RB225 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 15a | 550 mv @ 15 A | 500 µA @ 40 V | 150°C (最大) | |||||||||||||
![]() | VS-30CTQ080PBF | - | ![]() | 8813 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | 30CTQ080 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 15a | 860 mv @ 15 A | 550 µA @ 80 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||
![]() | APT2X30D20J | 20.8000 | ![]() | 5925 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | APT2X30 | 标准 | isotop® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 30a | 1.3 V @ 30 A | 24 ns | 250 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||
![]() | PZU12BL315 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-882 | 250兆 | DFN1006-2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 100 na @ 9 V | 12 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||
![]() | mmsz5250bhe3-tp | 0.3200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 微商业公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | MMSZ5250 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 15 V | 20 v | 25欧姆 | ||||||||||||||
![]() | JANTXV1N4129DUR-1 | 36.0000 | ![]() | 8781 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4129 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 47.1 V | 62 v | 500欧姆 | ||||||||||||||
![]() | BAV70DW-7 | - | ![]() | 8726 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BAV70 | 标准 | SOT-363 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对普通阴极 | 75 v | 150mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | BZT52C12HE3-TP | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 微商业公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.42% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | BZT52C12 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 353-BZT52C12HE3-TPTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 12 v | 25欧姆 | |||||||||||||
![]() | BZT52C36K | 0.0474 | ![]() | 8046 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BZT52C | 200兆 | SOD-523F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZT52C36KTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 100 na @ 27 V | 36 V | 90欧姆 | |||||||||||||||
![]() | VS-30CPQ050-N3 | 1.9171 | ![]() | 3559 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | 30CPQ050 | 肖特基 | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS30CPQ050N3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 30a | 800 mv @ 30 a | 800 µA @ 50 V | 150°C (最大) | ||||||||||||
![]() | BZX84C6V8LT1G | 0.1600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Onmi | BZX84CXXXLT1G | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C6 | 225兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15欧姆 | ||||||||||||||
![]() | M5060CC1600 | 82.3300 | ![]() | 6514 | 0.00000000 | sensata-crydom | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | 不适用 | 2266-M5060CC1600 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1600 v | 60a(DC) | 1.35 V @ 60 A | -40°C〜125°C | |||||||||||||||
![]() | NSR1020MW2T1G | 0.3600 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | NSR1020 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 540 mv @ 1 a | 40 µA @ 15 V | 125°c (最大) | 1a | 29pf @ 5V,1MHz | |||||||||||||
![]() | SCS106AGC | - | ![]() | 7034 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | SCS106 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.5 V @ 6 A | 0 ns | 120 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 6a | 260pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||
![]() | 20ETF08STRR | - | ![]() | 2038 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 20ETF08 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.31 V @ 20 A | 400 ns | 100 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||||
![]() | SR3200-HF | 0.2380 | ![]() | 9304 | 0.00000000 | comchip技术 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 肖特基 | do-27 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 641-SR3200-HFTB | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 900 mv @ 3 a | 500 µA @ 200 V | -50°C〜175°C | 3a | 250pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N5264B-G | - | ![]() | 3236 | 0.00000000 | comchip技术 | - | (TB) | 过时的 | - | 175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-1N5264B-GTB | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 ma | 100 NA @ 46 V | 60 V | 170欧姆 | |||||||||||||||
![]() | SMBJ4729CE3/TR13 | - | ![]() | 2052 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ4729 | 2 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.6 v | 10欧姆 | ||||||||||||||
![]() | BZM55C51-Tr | 0.0368 | ![]() | 7987 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZM55 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | BZM55C51 | 500兆 | 微型 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 39 V | 51 v | 700欧姆 | ||||||||||||||
![]() | KBP210G-G | 0.6900 | ![]() | 805 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | KBP210 | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 641-1736 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 1000 V | 2 a | 单相 | 1 kV |
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