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二极管（（168966）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比	电容比条件	q @ vr，f
VS-42CTQ030S-1HM3	-	RFQ	8212	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	42CTQ030	肖特基		TO-262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	30 V	20a	480 mv @ 20 a		3 ma @ 30 V	-55°C〜150°C
BZX84-C75,215	0.0200	RFQ	209	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C75,215-954			1					900 mv @ 10 ma		50 na @ 52.5 V						75 v	255欧姆
NRVUS230VT3G	-	RFQ	4361	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	DO-214AA，SMB	NRVUS230	标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		300 v		1.3 V @ 2 A	65 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	2a	-
1N4509	42.4950	RFQ	6112	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N4509	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	22a	-
2EZ56D5/TR12	-	RFQ	4462	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2EZ56		2 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 42.6 V						56 v	55欧姆
SE40NGHM3/i	0.4800	RFQ	14	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装，可润湿的侧面	2-vdfn		标准		DFN3820A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	14,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.1 V @ 4 A	1.2 µs	10 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	4a	24pf @ 4V，1MHz
286-807	49.2700	RFQ	9598	Wago Corporation	-	盒子	积极的			可以插座	模块	286-8	标准		-	下载	rohs3符合条件	不适用			Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对公共阳极	1000 v	1a				-25°C〜40°C
JANTXV1N3826D-1/TR	32.2126	RFQ	5538	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3826D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V						5.1 v	7欧姆
JAN1N4615D-1	12.0000	RFQ	5935	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4615		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V						2 v	1250欧姆
Her606GH	0.5466	RFQ	8949	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	R-6，轴向		标准		R-6	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-HER606GHTR	Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.7 V @ 6 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	6a	65pf @ 4V，1MHz
WNSC2D20650CWQ	5.1300	RFQ	480	Ween半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	WNSC2	SIC （碳化硅）		TO-247-3	下载		（1 （无限）		1740-WNSC2D20650CWQ	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	650 v	20a	1.7 V @ 10 A	0 ns	50 µA @ 650 V	175°C
MBRAD20200H	1.3300	RFQ	1599年	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MBRAD20200	肖特基		Thindpak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					4,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		950 mv @ 20 a		10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	20a	295pf @ 4V，1MHz
G3S06504D	-	RFQ	5583	全球电力技术有限公司	-	大部分	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		SIC （碳化硅）		TO-263	-			供应商不确定	4436-G3S06504D			1	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 4 A	0 ns	50 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	11.5A	181pf @ 0v，1MHz
fe1a	0.3579	RFQ	6847	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do15/do204ac	下载	rohs3符合条件	不适用	根据要求获得可用的信息	2721-FE1ATR		8541.10.0000	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		980 mv @ 1 a	50 ns	2 µA @ 50 V	-50°C〜175°C	1a	-
NTE5165A	2.0100	RFQ	81	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			5 w	do-35	下载	Rohs不合规			2368-NTE5165A	Ear99	8541.10.0050	1													190 v	450欧姆
SMV1275-079LF	0.4400	RFQ	19	Skyworks Solutions Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	SMV1275			SC-79	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	3,000										1.81pf @ 4V，1MHz	单身的	10 v			1.8	C1/C4	-
RURDG30120	-	RFQ	4885	哈里斯公司	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3		雪崩		TO-247	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	1200 v	30a	2.1 V @ 30 A	150 ns	100 µA @ 1200 V	-65°C〜175°C
stth4r02	-	RFQ	7224	Stmicroelectronics	-	（CT）	过时的			通过洞	DO-201B，DO-32，轴向	stth4r02	标准		DO-2011 AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	600	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.05 V @ 4 A	30 ns	3 µA @ 200 V	175°c （最大）	4a	-
CDLL5242/tr	2.7132	RFQ	3966	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5242/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V						12 v	30欧姆
JANTX1N4466US	14.3550	RFQ	4285	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4466		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		300 NA @ 8.8 V						11 V	6欧姆
SS22L	0.2625	RFQ	6335	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123	SS22	肖特基		SMA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-SS22LTR	Ear99	8541.10.0080	10,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		500 mv @ 2 a		400 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	2a	-
DZ2W39000L	-	RFQ	1120	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	±5％	-40°C〜85°C	表面安装	SOD-123F	DZ2W39		1 w	mini2-f3-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 31.8 V						39 v	65欧姆
RURD15100	1.0000	RFQ	3800	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
MA3J70000L	-	RFQ	8524	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-85	MA3J700	肖特基		smini3-f1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		550 mv @ 500 mA	5 ns	100 µA @ 35 V	125°c （最大）	500mA	60pf @ 0v，1MHz
BYV32-200G	2.0000	RFQ	6697	Onmi	SwitchMode™	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	Byv32	标准		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	8a	1.15 V @ 20 A	35 ns	50 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
BZT52H-A3V3-QX	0.4100	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1.21％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V						3.3 v	95欧姆
PZU9.1B2L，315	0.0300	RFQ	31	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU9.1B2L，315-954			10,764					1.1 V @ 100 mA		500 na @ 6 V						9.1 v	10欧姆
kbu4j	-	RFQ	8329	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU4	标准		KBU	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	200					1 V @ 4 A		5 µA @ 50 V		4 a		单相	600 v
CTLSH1-40M832DS BK	-	RFQ	3380	中央半导体公司	-	大部分	过时的			表面安装	8-tdfn暴露垫		肖特基		TLM832DS	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		550 mv @ 1 a		200 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
BZX55C4V7 A0G	-	RFQ	6924	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX55		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1 V @ 100 ma		500 na @ 1 V						4.7 v	60欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（168966）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²