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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZMM4B7 | 0.0312 | ![]() | 6906 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -50°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80C | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2796-ZMM4B7TR | 8541.10.0000 | 2,500 | 500 na @ 1 V | 4 V | 60欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | BZX384B12-G3-18 | 0.0445 | ![]() | 5402 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZX384-G | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | BZX384B12 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 8 V | 12 v | 25欧姆 | ||||||||||||||
![]() | BZT52HC6V8WF-7 | 0.2500 | ![]() | 142 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.88% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | BZT52 | 375兆 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 8欧姆 | |||||||||||||
VS-2KBP06 | 1.6200 | ![]() | 493 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | VS-2KBP | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,D-44 | 2KBP06 | 标准 | D-44 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | 2 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||||
![]() | 1N5266B | - | ![]() | 3385 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | 200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1N5266BSMC | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 49 V | 68 v | 230欧姆 | ||||||||||||||
![]() | BZT52B3V9 | 0.0412 | ![]() | 8643 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | BZT52B | 500兆 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZT52B3V9TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 1 V | 3.9 v | 90欧姆 | |||||||||||||
![]() | JANTXV1N962DUR-1 | 24.2250 | ![]() | 1176 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N962 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 9.5欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N972BE3/tr | 2.4450 | ![]() | 7271 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N972BE3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 385 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 22.8 V | 30 V | 49欧姆 | |||||||||||||||
![]() | RB168L-40TFTE25 | 0.4400 | ![]() | 213 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | RB168 | 肖特基 | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 650 MV @ 1 A | 550 na @ 40 V | 150°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | FM140-NS-H | 0.1530 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Formosa Microsemi Co.,Ltd。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 肖特基 | SOD-323S | - | Rohs符合条件 | 4491-FM140-NS-HTR | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 1 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 1a | 38pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||
GP30MHE3/73 | - | ![]() | 2771 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | GP30 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 3 A | 5 µs | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||
ZM4755A-GS08 | 0.3900 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | ZM4755 | 1 w | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 70欧姆 | |||||||||||||||
![]() | BZD27C10P-HE3-18 | 0.1520 | ![]() | 8412 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZD27C | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 800兆 | DO-219AB(SMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 ma | 7 µA @ 7.5 V | 10 v | 4欧姆 | |||||||||||||
![]() | Jan1n3824aur-1/tr | 12.4355 | ![]() | 2037 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N3824AUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N957B_T50R | - | ![]() | 7006 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N957 | 500兆 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 4.5欧姆 | |||||||||||||||
JANS1N4130-1/TR | 31.6700 | ![]() | 7406 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4130-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 51.7 V | 68 v | 700欧姆 | |||||||||||||||
![]() | 1N4747AE3 | 3.5250 | ![]() | 2221 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 包 | 积极的 | - | - | - | - | 1N4747 | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1N4747AE3MS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||
BZX84C6V2-E3-18 | 0.0306 | ![]() | 6290 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZX84 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C6V2 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10欧姆 | |||||||||||||||
![]() | 3EZ33D10E3/TR12 | - | ![]() | 5078 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 3EZ33 | 3 W | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 500 NA @ 25.1 V | 33 V | 20欧姆 | |||||||||||||
![]() | HZ11C2LTD-E | 0.0700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC10X-600PQ | 1.0500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | BYC10 | 标准 | TO-220FP | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.9 V @ 10 A | 40 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | ||||||||||||
CDLL3018A | 14.7300 | ![]() | 8104 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL3018 | 1 w | do-213ab | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 6.2 V | 8.2 v | 4.5欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N5927B_R2_00001 | 0.0621 | ![]() | 4792 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N5927 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-1N5927B_R2_00001CT | Ear99 | 8541.10.0050 | 500,000 | 1 µA @ 9.1 V | 8.7 v | 7欧姆 | |||||||||||||
![]() | BZX84C4V7-AQ | 0.0333 | ![]() | 7516 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2796-BZX84C4V7-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | BAV21 | - | ![]() | 8769 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BAV21 | 标准 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 250 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 175°c (最大) | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||
![]() | JANTXV1N4148UBCC/TR | 33.7953 | ![]() | 6517 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/116 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 1N4148 | 标准 | UB | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4148UBCC/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 75 v | 200mA | 1.2 V @ 100 ma | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C 〜200°C | |||||||||||
![]() | BZX55C15 | - | ![]() | 6276 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | ±6% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX55C15 | 500兆 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 mA | 100 na @ 11 V | 15 v | 30欧姆 | ||||||||||||||
![]() | CDBB5150-HF | 0.2465 | ![]() | 4218 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | CDBB5150 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 870 mv @ 5 a | 500 µA @ 150 V | -50°C〜175°C | 5a | 380pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||
![]() | MM5Z2V4T1G | 0.2600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±8.3% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | MM5Z2 | 500兆 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100欧姆 | |||||||||||||
![]() | RF2001NS2DTL | 2.2800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RF2001 | 标准 | TO-263AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 20a | 930 MV @ 10 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) |
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