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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANS1N6354CUS/TR | - | ![]() | 7603 | 0.00000000 | 微芯片 | MIL-PRF-19500/533 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SQ-MELF,B | 500毫W | B、SQ-MELF | - | 150-JANS1N6354CUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4V@1A | 137V时为50nA | 180伏 | 1500欧姆 | ||||||||||||||||||
| CDLL5234B | 4.7700 | ![]() | 5363 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | ±5% | -65℃~175℃ | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | DLL5234 | 10毫W | DO-213AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 4V时为5μA | 6.2V | 7欧姆 | |||||||||||||||
| 1N821E3 | 3.9150 | ![]() | 第1387章 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 (DO-204AH) | - | REACH 不出行 | 150-1N821E3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 3V时为2μA | 6.2V | 15欧姆 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3297A | 33.8130 | ![]() | 7080 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N3297 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3297AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.5V@100A | 7毫安@1400伏 | -40℃~200℃ | 100A | - | |||||||||||||
![]() | VS-1N3893 | 7.7500 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N3893 | 标准 | DO-203AA (DO-4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.4V@12A | 300纳秒 | 400V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | ||||||||||||
![]() | SF52G-TP | 0.1716 | ![]() | 2936 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | SF52 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 950毫伏@5安 | 35纳秒 | 100V时为5μA | -65℃~150℃ | 5A | 50pF @ 4V,1MHz | ||||||||||||
![]() | CD4466 | 4.3624 | ![]() | 5743 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | - | 表面贴装 | 死 | 死 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-CD4466 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
| RGP30BLHE3/72 | - | ![]() | 2848 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 过时的 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | RGP30 | 标准 | DO-201AD | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1.3V@3A | 150纳秒 | 100V时为5μA | -65℃~175℃ | 3A | 60pF @ 4V,1MHz | |||||||||||||
![]() | MUR480-TP | - | ![]() | 3698 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | 毛里求斯480 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.85V@4A | 75纳秒 | 800V时为10μA | -55℃~150℃ | 4A | - | ||||||||||||
![]() | V3FL45HM3/I | 0.0776 | ![]() | 7285 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、eSMP®、TMBS® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-219AB | V3FL45 | 肖特基 | DO-219AB(单模) | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 580毫伏 @ 3安 | 45V时为750μA | -40℃~150℃ | 3A | 370pF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | JANTXV1N4107CUR-1/TR | 27.0123 | ![]() | 3020 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -65℃~175℃ | 表面贴装 | DO-213AA(玻璃) | 500毫W | DO-213AA | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANTXV1N4107CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 9.9V时为50nA | 13伏 | 200欧姆 | |||||||||||||||
![]() | CLL4740A TR PBFREE | 0.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65℃~200℃ | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | CLL4740 | 1W | 梅尔夫 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,500人 | 1.2V@200mA | 7.6V时为10μA | 10V | 7欧姆 | ||||||||||||||
![]() | KBU1004G | 1.9362 | ![]() | 8346 | 0.00000000 | 台积电 | - | 托盘 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBU | KBU1004 | 标准 | 科布 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@10A | 5μA@400V | 10A | 单相 | 400V | ||||||||||||||
| MMBZ5256C-E3-08 | - | ![]() | 6818 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±2% | -55℃~150℃ | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMBZ5256 | 225毫W | SOT-23-3 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100nA@23V | 30V | 49欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | FEPE16FT-E3/45 | - | ![]() | 8766 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-3 | FEPE16 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 300伏 | 16A | 1.3V@8A | 50纳秒 | 10μA@300V | -55℃~150℃ | ||||||||||||
![]() | CDLL8.55V | 16.2450 | ![]() | 8614 | 0.00000000 | 微芯片 | * | 大部分 | 的积极 | - | REACH 不出行 | 150-CDLL8.55V | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SJPL-L4VL | - | ![]() | 9489 | 0.00000000 | 三肯 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 2-SMD,J 引脚 | SJPL-L4 | 标准 | SJP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | SJPL-L4VL DK | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.3V@3A | 50纳秒 | 400V时为50μA | -40℃~150℃ | 3A | - | ||||||||||||
| JANTXV1N5806US | 10.6400 | ![]() | 175 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | SQ-MELF,A | 1N5806 | 标准 | D-5A | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 875 毫伏 @ 1 安 | 25纳秒 | 1μA@150V | -65℃~175℃ | 1A | 25pF@10V,1MHz | |||||||||||||
![]() | BY459-1500,127 | - | ![]() | 5328 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | 45年前后 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 934031220127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1500伏 | 1.3V@6.5A | 350纳秒 | 150℃(最高) | 12A | - | ||||||||||||
![]() | MMBZ5232BLT1 | - | ![]() | 3174 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±5% | -65℃~150℃ | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMBZ52 | 225毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 3V时为5μA | 5.6V | 11欧姆 | ||||||||||||||
![]() | STF2060CR | 0.9800 | ![]() | 第864章 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | STF2060 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 60V | - | 650毫伏@10安 | 60V时为850μA | -55℃~150℃ | |||||||||||||
![]() | SK13E3/TR13 | - | ![]() | 3815 | 0.00000000 | 美高森美公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | SK13E3 | 肖特基 | DO-214AA (SMBJ) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 550毫伏@1安 | 30V时为500μA | -65℃~175℃ | 1A | - | |||||||||||||
![]() | BZY91C75R | 9.6000 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 奈纳半导体有限公司 | - | 盒子 | 的积极 | ±5% | -65℃~175℃ | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 75W | 溶解O | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 可根据要求提供REACH信息 | 3489-BZY91C75R | EAR99 | 8541.10.0050 | 25 | 1毫安@51伏 | 75V | 2.6欧姆 | |||||||||||||||
![]() | RJU60C3SDPD-E0#J2 | - | ![]() | 4977 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 标准 | TO-252 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.1V@30A | 90纳秒 | 600V时为1μA | 150℃(最高) | 10A | - | |||||||||||||
![]() | SS54F | 0.3155 | ![]() | 6 | 0.00000000 | MDD | SMAF | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-221AC,SMA 纸张 | 肖特基 | SMAF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 40V时为500μA | -55℃~125℃ | 5A | 200pF @ 4V,1MHz | |||||||||||||||
| JAN1N4623-1 | 3.7500 | ![]() | 5934 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 的积极 | ±5% | -65℃~175℃ | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 1N4623 | 500毫W | DO-35 (DO-204AH) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 2V时为2μA | 4.3V | 1600欧姆 | |||||||||||||||
| BZB84-C5V6,215 | 0.0469 | ![]() | 6033 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | - | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BZB84-C5V6 | 300毫W | TO-236AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1对共阳极 | 900毫伏@10毫安 | 1μA@2V | 5.6V | 40欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N5388E3/TR12 | - | ![]() | 4886 | 0.00000000 | 美高森美公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±20% | -65℃~150℃ | 通孔 | T-18,团结 | 1N5388 | 5W | T-18 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2V@1A | 144V时为500nA | 200V | 480欧姆 | |||||||||||||||
![]() | MB210_R1_00001 | 0.3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | MB210 | 肖特基 | SMB (DO-214AA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 3757-MB210_R1_00001TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 800毫伏@2安 | 100V时为50μA | -55℃~175℃ | 2A | - | ||||||||||||
![]() | SE10PB-M3/84A | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | eSMP® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-220AA | SE10 | 标准 | DO-220AA(SMP) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.05V@1A | 780纳秒 | 100V时为5μA | -55℃~175℃ | 1A | - |

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