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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 当前 - 最大 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 电阻@If,F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-HFA08TB60STRLP | - | ![]() | 6215 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 海克斯弗雷德® | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | HFA08 | 标准 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@8A | 55纳秒 | 5μA@600V | -55℃~150℃ | 8A | - | ||||||||||||||
![]() | Z4KE120AHE3/54 | - | ![]() | 4100 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±5% | -55℃~150℃ | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | Z4KE120 | 1.5W | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,500人 | 1V@500mA | 91.2V时为500nA | 120V | 700欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | RS1PBHM3/85A | - | ![]() | 3498 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、eSMP® | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-220AA | RS1 | 标准 | DO-220AA(SMP) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1.3V@1A | 150纳秒 | 1μA@100V | -55℃~150℃ | 1A | 9pF@4V,1MHz | ||||||||||||||
![]() | CMPD5001S TR PBFREE | 0.4700 | ![]() | 65 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | CMPD5001 | 标准 | SOT-23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对中央 | 120V | 400毫安 | 1.25V@400mA | 50纳秒 | 90V时为100nA | -65℃~150℃ | ||||||||||||||
![]() | STTH16003TV1 | 28.6800 | ![]() | 94 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 管子 | 的积极 | 安装结构 | 伊索托 | STTH16003 | 标准 | ISOTOP® | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 300伏 | 60A | 1.2V@80A | 80纳秒 | 300V时为200μA | 150℃(最高) | ||||||||||||||
![]() | FR156G | 0.0627 | ![]() | 7400 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 胶带和盒子 (TB) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | FR15 | 标准 | DO-15 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.3V@1.5A | 500纳秒 | 5μA@560V | -65℃~150℃ | 1.5A | 25pF @ 4V,1MHz | ||||||||||||||
![]() | CDLL938B/TR | 16.9500 | ![]() | 5998 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -55℃~150℃ | 表面贴装 | DO-213AA | 500毫W | DO-213AA | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-CDLL938B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9V | 20欧姆 | |||||||||||||||||||
![]() | AU3PK-M3/86A | 0.9800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | eSMP® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-277,3-PowerDFN | AU3 | 雪崩 | TO-277A (SMPC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 2.5V@3A | 75纳秒 | 800V时为10μA | -55℃~175℃ | 1.4A | 42pF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | CDBFR00340 | 0.0598 | ![]() | 5802 | 0.00000000 | 芯芯科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 1005(2512 公制) | 肖特基 | 1005/SOD-323F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 40V | 370毫伏@1毫安 | 40V时为1μA | 125℃(最高) | 30毫安 | 1.5pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | SK15B R5G | - | ![]() | 4522 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | SK15 | 肖特基 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 750 毫伏 @ 1 安 | 50V时为500μA | -55℃~150℃ | 1A | - | |||||||||||||||
![]() | SRP100J-E3/54 | - | ![]() | 5507 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 建议零售价100 | 标准 | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.3V@1A | 200纳秒 | 600V时为10μA | -50℃~125℃ | 1A | 12pF@4V,1MHz | ||||||||||||||
![]() | S1MHE3/5AT | - | ![]() | 8680 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | S1M | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@1A | 1.8微秒 | 1000V时为5μA | -55℃~150℃ | 1A | - | ||||||||||||||
![]() | 129NQ150-1 | 25.5842 | ![]() | 6446 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 半包 | 129NQ | 肖特基 | PRM1-1(半包模块) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 129NQ150-1SMC | EAR99 | 8541.10.0080 | 27号 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 1.07V@120A | 3毫安@150伏 | -55℃~175℃ | 120A | 3000pF @ 5V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | PDA7TSRS1265 | - | ![]() | 4280 | 0.00000000 | 动力克斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HSMP-3832-BLKG | - | ![]() | 4822 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 条 | 过时的 | 150°C(太焦) | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | HSMP-3832 | SOT-23-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1A | 250毫W | 0.3pF@50V,1MHz | PIN - 1 对长江 | 200V | 1.5欧姆@100mA、100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | HS3GBF | 0.0720 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 扬杰科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 4617-HS3GBFTR | EAR99 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| FR1001-BP | - | ![]() | 2898 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | R-6,本体 | FR1001 | 标准 | R-6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.3V@10A | 150纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 10A | - | ||||||||||||||||
![]() | JAN1N2829RB | - | ![]() | 2123 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-204AD | 1N2829 | 10W | TO-204AD (TO-3) | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5V@2A | 10μA@35.8V | 47V | 5欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | 1N2822A | 94.8900 | ![]() | 4161 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | ±10% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-204AA、TO-3 | 1N2822 | 50W | TO-204AD (TO-3) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5V@10A | 10μA@20.6V | 27V | 2.8欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | KD160KB160 | 41.0400 | ![]() | 1255 | 0.00000000 | 三雷克斯公司 | - | 托盘 | 的积极 | 安装结构 | 模块 | 标准 | - | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 4076-KD160KB160 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对共轴线 | 1600伏 | 160A | 1.35V@500A | 30毫安@1600伏 | -40℃~150℃ | ||||||||||||||||
![]() | B140BQ-13-F | 0.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 分散公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | B140 | 肖特基 | 中小企业 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 500毫伏@1安 | 40V时为500μA | -65℃~150℃ | 1A | 110pF @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | 2EZ22D2E3/TR12 | - | ![]() | 3559 | 0.00000000 | 美高森美公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -65℃~150℃ | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 2EZ22 | 2W | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2V@200mA | 16.7V时为500nA | 22V | 12欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | VS-MUR1020CT-N3 | - | ![]() | 9922 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 弗雷德铂® | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-3 | 毛里求斯1020 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VSMUR1020CTN3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 5A | 990毫伏@5安 | 35纳秒 | 10μA@200V | -65℃~175℃ | |||||||||||||
| BZD27C150P R3G | - | ![]() | 4503 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±6.12% | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-219AB | BZD27 | 1W | 亚SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2V@200mA | 1μA@110V | 147伏 | 300欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | BZX84W-B22F | 0.2200 | ![]() | 1931年 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | BZX84W | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | BZX84W | 275毫W | SOT-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900毫伏@10毫安 | 15.4V时为50nA | 22V | 55欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ5222BT1 | - | ![]() | 6757 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±5% | -55℃~150℃ | 表面贴装 | SOD-123 | 彩信Z522 | 500毫W | SOD-123 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 1V时为100μA | 2.5V | 30欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | MBRM120ET1G | 0.6400 | ![]() | 4792 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-216AA | MBRM120 | 肖特基 | 威迈特 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 530毫伏@1安 | 10μA@20V | -65℃~150℃ | 1A | - | |||||||||||||||
![]() | 1N5919BP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 9706 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65℃~150℃ | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1N5919 | 1.5W | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,500人 | 1.2V@200mA | 3V时为5μA | 5.6V | 2欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | MBR8080R | 1985年22月 | ![]() | 7315 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | MBR8080 | 肖特基,反 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR8080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 80V | 840毫伏@80安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | 80A | - | |||||||||||||||
![]() | BZT52C47-13 | - | ![]() | 5721 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | ±6% | -65℃~150℃ | 表面贴装 | SOD-123 | BZT52 | 410毫W | SOD-123 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100nA@35V | 47V | 100欧姆 |

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