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二极管（（166326）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电流 -io（io）（每个二极管） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTX1N645-1 | - |  | 3485 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/240 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N645 | 标准 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 225 v | 1 V @ 400 MA | 50 NA @ 225 V | -65°C〜175°C | 400mA | - | ||||||||
 | JANS1N6485US | - | | 5613 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | SQ-MELF，a | 1N6485 | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 µA @ 1 V | 3.3 v | 10欧姆 | |||||||||
| JANTXV1N6488 | - | | 7354 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | SQ-MELF，a | 1N6488 | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9欧姆 | |||||||||
| JANTX1N6488C | - | | 2508 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9欧姆 | ||||||||||
| JANTXV1N6490 | - | | 7109 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 1 µA @ 1 V | 5.1 v | 7欧姆 | ||||||||||
 | JANTX1N6632 | - | | 1120 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | E，轴向 | 5 w | E，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 300 µA @ 1 V | 3.3 v | 3欧姆 | ||||||||||
| JANTXV1N6633US | - | | 2207 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | E，轴向 | 1N6633 | 5 w | E，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 250 µA @ 1 V | 3.6 v | 2.5欧姆 | |||||||||
| JANTXV1N6636 | - | | 6605 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | E，轴向 | 1N6636 | 5 w | E，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 20 µA @ 1 V | 4.7 v | 2欧姆 | |||||||||
| JANTXV1N6660R | - | | 6192 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/608 | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA）） | 1N6660 | 肖特基 | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 750 MV @ 15 A | 1 mA @ 45 V | -65°C〜150°C | ||||||||
| JANTX1N6661 | - | | 2865 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/587 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N6661 | 标准 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 225 v | 1 V @ 400 MA | 50 NA @ 225 V | -65°C〜175°C | 500mA | - | ||||||||
| JANS1N6661US | - | | 8025 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/587 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1N6661 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 225 v | 1 V @ 400 MA | 50 NA @ 225 V | -65°C〜175°C | 500mA | - | ||||||||
| JANTXV1N6661US | - | | 3887 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/587 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 225 v | 1 V @ 400 MA | 50 NA @ 225 V | -65°C〜175°C | 500mA | - | |||||||||
 | JANTX1N6677-1 | - | | 7599 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/610 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 1N6677 | 肖特基 | do-213aa | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 40 V | 500 mV @ 200 ma | 5 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 200mA | - | ||||||||
| JANS1N6677UR-1 | - | | 8142 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/610 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N6677 | 肖特基 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 40 V | 500 mV @ 200 ma | 5 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 200mA | - | ||||||||
 | JANS1N6761UR-1 | - | | 7516 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/586 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N6761 | 肖特基 | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 100 v | 380 mv @ 100 ma | 100 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 1a | 70pf @ 5V，1MHz | ||||||||
| JANTXV1N6761UR-1 | - | | 6164 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/586 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N6761 | 肖特基 | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 100 v | 380 mv @ 100 ma | 100 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 1a | 70pf @ 5V，1MHz | ||||||||
| JAN1N6845U3 | - | | 9828 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/682 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 肖特基 | U3 | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 45 v | 860 mv @ 40 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 30a | 800pf @ 5V，1MHz | |||||||||
| JANTX1N6845U3 | - | | 2132 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/682 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 1N6845 | 肖特基 | U3 | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 45 v | 860 mv @ 30 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 30a | 800pf @ 5V，1MHz | ||||||||
| JANTXV1N6864US | - | | 6832 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/620 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 1N6864 | 肖特基 | do-213aa | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 80 V | 700 mv @ 3 a | 150 µA @ 80 V | -65°C〜125°C | 3a | - | ||||||||
| 1月1N935B-1 | - | | 9136 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/156 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N935 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 V | 20欧姆 | ||||||||||
| 1月1N937B-1 | - | | 5585 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/156 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N937 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 V | 20欧姆 | ||||||||||
| JANTX1N938B-1 | - | | 2022 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/156 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N938 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 V | 20欧姆 | ||||||||||
| 1月1N943B-1 | - | | 2220 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/157 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30欧姆 | |||||||||||
| JANTX1N943B-1 | - | | 4020 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/157 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N943 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30欧姆 | ||||||||||
| JANTX1N2841B | - | | 6600 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/114 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2841 | 50 W | TO-204AD（TO-3） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 91.2 V | 120 v | 40欧姆 | |||||||||
| JANTX1N2842B | - | | 5687 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/114 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2842 | 50 W | TO-204AD（TO-3） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 98.8 V | 130 v | 50欧姆 | |||||||||
| 1月1N2974RB | - | | 2954 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/124 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 螺柱坐骑 | do-203AA，do-4，螺柱 | 1N2974 | 10 W | DO-213AA（DO-4） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 25 µA @ 7.6 V | 10 v | 3欧姆 | |||||||||
| JANTXV1N2974RB | - | | 6446 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/124 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 螺柱坐骑 | do-203AA，do-4，螺柱 | 1N2974 | 10 W | DO-213AA（DO-4） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 25 µA @ 7.6 V | 10 v | 3欧姆 | |||||||||
| JANTXV1N2989B | - | | 3975 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/124 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 螺柱坐骑 | do-203AA，do-4，螺柱 | 10 W | DO-213AA（DO-4） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 22.8 V | 30 V | 8欧姆 | ||||||||||
| JANTX1N2989RB | - | | 5043 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/124 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 螺柱坐骑 | do-203AA，do-4，螺柱 | 1N2989 | 10 W | DO-213AA（DO-4） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 22.8 V | 30 V | 8欧姆 |
2000+
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标准产品单位
2800+
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