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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBU603 D2G | - | ![]() | 5669 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU603 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 200 V | 6 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||
![]() | GBU603HD2G | - | ![]() | 1414 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU603 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 200 V | 6 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||
![]() | GBU604HD2G | - | ![]() | 1395年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU604 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 400 V | 6 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||
![]() | GBU605H | - | ![]() | 1929年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU605 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 600 V | 6 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||
![]() | GBU804 | 0.7104 | ![]() | 2618 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU804 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 400 V | 8 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||
![]() | GBU805H | 0.8550 | ![]() | 6497 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU805 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 600 V | 8 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||
![]() | HDBL102G C1G | - | ![]() | 6039 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | HDBL102 | 标准 | DBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 100 V | 1 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||
![]() | HDBL105G | 0.3999 | ![]() | 9061 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | HDBL105 | 标准 | DBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.7 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | 1 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||
HDBLS102G C1G | - | ![]() | 4716 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | HDBLS102 | 标准 | DBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 100 V | 1 a | 单相 | 100 v | |||||||||||||
![]() | MBRF10H150CT | - | ![]() | 5020 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF10 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 10a | 970 mv @ 10 A | 5 µA @ 150 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||
![]() | MBRF2560CTHC0G | - | ![]() | 9272 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF2560 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 25a | 750 MV @ 12.5 A | 2 ma @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MBRF30100CT | 1.0494 | ![]() | 4401 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF30100 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 30a | 940 mv @ 30 a | 200 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | D1251S45TXPSA1 | 2.0000 | ![]() | 8488 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | do-200 ac,k-puk | D1251S45 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 2.5 V @ 2500 A | 80 ma @ 4500 V | -40°C〜140°C | 1530a | - | |||||||||||
![]() | D400N22BVFXPSA1 | - | ![]() | 9963 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | D400N | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2200 v | 40 mA @ 2200 V | -40°C〜180°C | 450a | - | |||||||||||||
![]() | DD350N16KHPSA1 | 229.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD350N16 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 350a | 1.28 V @ 1000 A | 30 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | DZ540N20KHPSA1 | - | ![]() | 6480 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | DZ540N20 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2000 v | 1.64 V @ 2200 A | 40 mA @ 2000 V | -40°C〜150°C | 732a | - | ||||||||||||
![]() | DZ950N44KHPSA1 | 814.6900 | ![]() | 6351 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DZ950N44 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4400 v | 1.78 V @ 3000 A | 100 ma @ 4400 V | -40°C〜150°C | 950a | - | |||||||||||
![]() | BZT52C2V4SQ-7-F | - | ![]() | 6015 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±8.34% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | BZT52 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100欧姆 | ||||||||||||
![]() | TST20L200CW | 2.1000 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | TST20 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 990 mv @ 10 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||
![]() | TST30L120CW | 1.2252 | ![]() | 8688 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | TST30 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 120 v | 880 mv @ 15 a | 200 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | 15a | - | |||||||||||
UF1GLWH | 0.4100 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | UF1G | 标准 | SOD-123W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 1 A | 20 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 25pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | UR4KB80-B | 1.3200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-ESIP | UR4KB80 | 标准 | D3K | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 2 A | 10 µA @ 800 V | 4 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||
US1M R3G | 0.5100 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | do-214ac,SMA | US1M | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
YBS2205G | 0.4230 | ![]() | 7614 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,平坦的铅 | YBS2205 | 标准 | YBS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 970 mv @ 2.2 a | 5 µA @ 600 V | 2.2 a | 单相 | 600 v | |||||||||||||
YBS2206G | 0.9300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,平坦的铅 | YBS2206 | 标准 | YBS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 970 mv @ 2.2 a | 5 µA @ 800 V | 2.2 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||
YBS2207G | 0.9400 | ![]() | 842 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,平坦的铅 | YBS2207 | 标准 | YBS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 970 mv @ 2.2 a | 5 µA @ 1000 V | 2.2 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||||
![]() | TSF40H120C | 3.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | TSF40 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 20a | 600 mv @ 20 a | 500 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | TSF40L200C | 2.6600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | TSF40 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 20a | 980 mv @ 20 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
SS15L RVG | 0.1071 | ![]() | 9382 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | SS15 | 肖特基 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 700 mv @ 1 A | 400 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||
SS1H15LW RVG | 0.1517 | ![]() | 4520 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | SS1H15 | 肖特基 | SOD-123W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 850 mv @ 1 a | 500 NA @ 150 V | -55°C 〜175°C | 1a | - |
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