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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-10MQ100HM3/5AT | 0.4400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 10MQ100 | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 780 mv @ 1 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 38pf @ 10V,1MHz | ||||||||||
![]() | VS-20MQ060HM3/5AT | 0.0937 | ![]() | 6130 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 20MQ060 | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 680 mv @ 2 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 2a | 31pf @ 10V,1MHz | ||||||||||
![]() | VS-20MQ100HM3/5AT | 0.0950 | ![]() | 3812 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 20MQ100 | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 910 MV @ 2 A | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | 38pf @ 10V,1MHz | ||||||||||
![]() | VS-10BQ015HM3/5BT | 0.4800 | ![]() | 253 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 10BQ015 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 15 v | 330 MV @ 1 A | 500 µA @ 15 V | -55°C〜125°C | 1a | 390pf @ 5V,1MHz | ||||||||||
![]() | VS-MBRS140-M3/5BT | 0.4800 | ![]() | 7148 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | MBRS140 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 600 mV @ 1 A | 100 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1a | 80pf @ 5V,1MHz | ||||||||||
![]() | VS-10BQ060HM3/5BT | 0.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 10BQ060 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 490 mv @ 1 A | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 1a | 80pf @ 5V,1MHz | ||||||||||
![]() | VS-30BQ015HM3/9AT | 0.5900 | ![]() | 227 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 30BQ015 | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 15 v | 350 mv @ 3 a | 4 mA @ 15 V | -55°C〜125°C | 3a | 1120pf @ 5V,1MHz | ||||||||||
![]() | VS-4CSH01-M3/86A | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 4CSH01 | 标准 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 2a | 950 mv @ 2 a | 16 ns | 2 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||||||||
![]() | VS-4SH02HM3/86A | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 4SH02 | 标准 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 930 MV @ 4 A | 20 ns | 2 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 4a | - | |||||||||
![]() | VS-6SH01HM3/86A | 0.7900 | ![]() | 8263 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 6esh01 | 标准 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 940 mv @ 6 a | 22 ns | 2 µA @ 100 V | -60°C〜175°C | 6a | - | |||||||||
![]() | VS-6ESU06-M3/86A | 0.6300 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 6ESU06 | 标准 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 6 A | 58 ns | 5 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 6a | - | |||||||||
![]() | 1月1N2806RB | - | ![]() | 1563年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/114 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2806 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 50 µA @ 5.4 V | 8.2 v | 0.4欧姆 | |||||||||||
![]() | JANTX1N2824B | - | ![]() | 3453 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/114 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2824 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 25.1 V | 33 V | 3.2欧姆 | |||||||||||
![]() | RF05VAM1STR | 0.3900 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RF05VAM1 | 标准 | tumd2s | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 980 mv @ 500 mA | 25 ns | 10 µA @ 100 V | 150°C (最大) | 500mA | - | |||||||||
![]() | Sk510a-ltp | 0.3600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | SK510 | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 1 mA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | 200pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | SR5200-TP | 0.5900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SR5200 | 肖特基 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SR5200-TPMSTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 950 mv @ 5 a | 500 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 5a | 400pf @ 4V,1MHz | |||||||||
![]() | CUS05S40,H3F | 0.3200 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CUS05S40 | 肖特基 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 350 mv @ 100 ma | 30 µA @ 10 V | 125°c (最大) | 500mA | 42pf @ 0v,1MHz | |||||||||||
![]() | JANS1N6311DUS | 356.3550 | ![]() | 2811 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6311 | 500兆 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 30 µA @ 1 V | 3 V | 29欧姆 | |||||||||||
![]() | JANS1N6311US | 134.8050 | ![]() | 4173 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6311 | 500兆 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 30 µA @ 1 V | 3 V | 29欧姆 | |||||||||||
![]() | JANS1N6312CUS | 521.5050 | ![]() | 3253 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6312 | 500兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 27欧姆 | |||||||||||
![]() | JANS1N6312DUS | - | ![]() | 1957年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 在sic中停产 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 27欧姆 | ||||||||||||
JANTX1N6314US | 21.1200 | ![]() | 9103 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6314 | 500兆 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTXV1N6316US | - | ![]() | 6877 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 v | 17欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTX1N6317US | 21.1200 | ![]() | 9668 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6317 | 500兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 14欧姆 | |||||||||||
JANTX1N6318US | 21.1200 | ![]() | 6222 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6318 | 500兆 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 v | 8欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTX1N6319CUS | - | ![]() | 7513 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 在sic中停产 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 v | 3欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANS1N6321 | - | ![]() | 7428 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 4欧姆 | ||||||||||||
JANS1N6322U | - | ![]() | 5595 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 5欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1月1N6391 | - | ![]() | 6790 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/553 | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N6391 | 肖特基 | DO-203AA(DO-4) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 680 mv @ 50 A | 1.5 ma @ 45 V | -55°C 〜175°C | 22.5a | 2000pf @ 5V,1MHz | ||||||||||
![]() | JANTX1N6392 | - | ![]() | 2390 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/554 | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N6392 | 肖特基 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 680 mv @ 50 A | 2 ma @ 45 V | -55°C 〜175°C | 54a | 3000pf @ 5V,1MHz |
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