SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
VS-10MQ100HM3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10MQ100HM3/5AT 0.4400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA 10MQ100 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 780 mv @ 1 a 100 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1a 38pf @ 10V,1MHz
VS-20MQ060HM3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MQ060HM3/5AT 0.0937
RFQ
ECAD 6130 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA 20MQ060 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 680 mv @ 2 a 500 µA @ 60 V -55°C〜150°C 2a 31pf @ 10V,1MHz
VS-20MQ100HM3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MQ100HM3/5AT 0.0950
RFQ
ECAD 3812 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA 20MQ100 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 910 MV @ 2 A 100 µA @ 100 V -55°C〜150°C 2a 38pf @ 10V,1MHz
VS-10BQ015HM3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10BQ015HM3/5BT 0.4800
RFQ
ECAD 253 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB 10BQ015 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 15 v 330 MV @ 1 A 500 µA @ 15 V -55°C〜125°C 1a 390pf @ 5V,1MHz
VS-MBRS140-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRS140-M3/5BT 0.4800
RFQ
ECAD 7148 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB MBRS140 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 600 mV @ 1 A 100 µA @ 40 V -55°C〜150°C 1a 80pf @ 5V,1MHz
VS-10BQ060HM3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10BQ060HM3/5BT 0.4800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB 10BQ060 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 490 mv @ 1 A 100 µA @ 60 V -55°C〜150°C 1a 80pf @ 5V,1MHz
VS-30BQ015HM3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30BQ015HM3/9AT 0.5900
RFQ
ECAD 227 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC 30BQ015 肖特基 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 15 v 350 mv @ 3 a 4 mA @ 15 V -55°C〜125°C 3a 1120pf @ 5V,1MHz
VS-4CSH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-4CSH01-M3/86A 0.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn 4CSH01 标准 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 2a 950 mv @ 2 a 16 ns 2 µA @ 100 V -65°C〜175°C
VS-4ESH02HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-4SH02HM3/86A 0.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn 4SH02 标准 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 930 MV @ 4 A 20 ns 2 µA @ 200 V -65°C〜175°C 4a -
VS-6ESH01HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6SH01HM3/86A 0.7900
RFQ
ECAD 8263 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn 6esh01 标准 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 940 mv @ 6 a 22 ns 2 µA @ 100 V -60°C〜175°C 6a -
VS-6ESU06-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6ESU06-M3/86A 0.6300
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn 6ESU06 标准 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 6 A 58 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 6a -
JAN1N2806RB Microchip Technology 1月1N2806RB -
RFQ
ECAD 1563年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2806 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 50 µA @ 5.4 V 8.2 v 0.4欧姆
JANTX1N2824B Microchip Technology JANTX1N2824B -
RFQ
ECAD 3453 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2824 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 25.1 V 33 V 3.2欧姆
RF05VAM1STR Rohm Semiconductor RF05VAM1STR 0.3900
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 2-SMD,平坦的铅 RF05VAM1 标准 tumd2s 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 980 mv @ 500 mA 25 ns 10 µA @ 100 V 150°C (最大) 500mA -
SK510A-LTP Micro Commercial Co Sk510a-ltp 0.3600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA SK510 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 850 mv @ 5 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C 5a 200pf @ 4V,1MHz
SR5200-TP Micro Commercial Co SR5200-TP 0.5900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 SR5200 肖特基 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SR5200-TPMSTR Ear99 8541.10.0080 1200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 mv @ 5 a 500 µA @ 200 V -65°C〜150°C 5a 400pf @ 4V,1MHz
CUS05S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S40,H3F 0.3200
RFQ
ECAD 105 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-76,SOD-323 CUS05S40 肖特基 南加州大学 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 350 mv @ 100 ma 30 µA @ 10 V 125°c (最大) 500mA 42pf @ 0v,1MHz
JANS1N6311DUS Microchip Technology JANS1N6311DUS 356.3550
RFQ
ECAD 2811 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,b 1N6311 500兆 B,平方米 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 30 µA @ 1 V 3 V 29欧姆
JANS1N6311US Microchip Technology JANS1N6311US 134.8050
RFQ
ECAD 4173 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,b 1N6311 500兆 B,平方米 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 30 µA @ 1 V 3 V 29欧姆
JANS1N6312CUS Microchip Technology JANS1N6312CUS 521.5050
RFQ
ECAD 3253 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N6312 500兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 1 V 3.3 v 27欧姆
JANS1N6312DUS Microchip Technology JANS1N6312DUS -
RFQ
ECAD 1957年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 在sic中停产 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 1 V 3.3 v 27欧姆
JANTX1N6314US Microchip Technology JANTX1N6314US 21.1200
RFQ
ECAD 9103 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,b 1N6314 500兆 B,平方米 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 2 µA @ 1 V 3.9 v 23欧姆
JANTXV1N6316US Microchip Technology JANTXV1N6316US -
RFQ
ECAD 6877 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 1.5 V 4.7 v 17欧姆
JANTX1N6317US Microchip Technology JANTX1N6317US 21.1200
RFQ
ECAD 9668 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N6317 500兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 2 V 5.1 v 14欧姆
JANTX1N6318US Microchip Technology JANTX1N6318US 21.1200
RFQ
ECAD 6222 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,b 1N6318 500兆 B,平方米 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 2.5 V 5.6 v 8欧姆
JANTX1N6319CUS Microchip Technology JANTX1N6319CUS -
RFQ
ECAD 7513 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 在sic中停产 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 3.5 V 6.2 v 3欧姆
JANS1N6321 Microchip Technology JANS1N6321 -
RFQ
ECAD 7428 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 2 µA @ 5 V 7.5 v 4欧姆
JANS1N6322US Microchip Technology JANS1N6322U -
RFQ
ECAD 5595 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 1 µA @ 6 V 8.2 v 5欧姆
JAN1N6391 Microchip Technology 1月1N6391 -
RFQ
ECAD 6790 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/553 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N6391 肖特基 DO-203AA(DO-4) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 680 mv @ 50 A 1.5 ma @ 45 V -55°C 〜175°C 22.5a 2000pf @ 5V,1MHz
JANTX1N6392 Microchip Technology JANTX1N6392 -
RFQ
ECAD 2390 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/554 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N6392 肖特基 DO-203AB(DO-5) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 680 mv @ 50 A 2 ma @ 45 V -55°C 〜175°C 54a 3000pf @ 5V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库