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MMBZ5230C-E3-08 | - | ![]() | 6956 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBZ5230 | 225兆 | SOT-23-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µA @ 2 V | 4.7 v | 19欧姆 | ||||
![]() | 1N746A | 1.9200 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 3.3 v | 28欧姆 | |||||
![]() | JANTXV1N4104DUR-1/TR | 36.8809 | ![]() | 2951 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4104DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 7.6 V | 10 v | 200欧姆 | |||
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![]() | Z4KE170A-E3/54 | 0.1584 | ![]() | 2323 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | Z4KE170 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,500 | 1 V @ 500 MA | 500 NA @ 129.6 V | 170 v | 1200欧姆 | ||
![]() | JANTXV1N6348CUS/TR | 57.2550 | ![]() | 8329 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 150-JANTXV1N6348CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 76 V | 100 v | 340欧姆 | |||||
![]() | CZRA4755-HF | 0.1550 | ![]() | 2684 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,sma平面线索 | CZRA4755 | 1 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 70欧姆 | ||
![]() | JANTXV1N3027DUR-1/TR | 50.5932 | ![]() | 2888 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N3027DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 15.2 V | 20 v | 22欧姆 | |||
1N6335 | 8.4150 | ![]() | 6249 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6335 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 23 V | 30 V | 32欧姆 | ||||
![]() | 1N5990C | 4.1550 | ![]() | 5118 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5990 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 90欧姆 | ||
UZ8816 | 22.4400 | ![]() | 6619 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 通过洞 | a,轴向 | 1 w | a,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-UZ8816 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 NA @ 11.5 V | 16 V | 16欧姆 | ||||||
![]() | BZM55C18-Tr | 0.2800 | ![]() | 1929年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZM55 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | BZM55C18 | 500兆 | 微型 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 13 V | 18 V | 170欧姆 | ||
![]() | BZV55B20 L1G | - | ![]() | 4092 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | BZV55B | 500兆 | 迷你梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 100 ma | 100 na @ 15 V | 20 v | 55欧姆 | ||
BZT52B22-G | 0.0461 | ![]() | 3211 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZT52B22-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 15.4 V | 22 v | 55欧姆 | |||
![]() | MMBZ5240AW_R1_00001 | 0.0189 | ![]() | 6294 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MMBZ5240 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17欧姆 | |||
![]() | 2EZ62D5DO41E3 | - | ![]() | 1388 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 2EZ62 | 2 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 500 NA @ 47.1 V | 62 v | 60欧姆 | ||
![]() | ZMY43B | 0.0913 | ![]() | 3644 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -50°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1.3 w | Melf DO-213AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2796-ZMY43BTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 20 V | 43 V | 24欧姆 | ||||
![]() | 1N4581 | 7.1850 | ![]() | 2389 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N4581 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25欧姆 | |||||
![]() | 1N5949D | 8.2950 | ![]() | 4787 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1N5949 | 1.25 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 76 V | 100 v | 250欧姆 | |||
![]() | BZD27B5V6P-E3-18 | 0.1155 | ![]() | 2567 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZD27B | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-219ab | BZD27B5V6 | 800兆 | DO-219AB(SMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 2 V | 5.6 v | 4欧姆 | ||
![]() | BZX384C3V0-HE3-18 | 0.0341 | ![]() | 2796 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZX384 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | BZX384C3V0 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95欧姆 | |||
![]() | 1N4756A-TAP | 0.3600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | (CT) | 积极的 | ±5% | 175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4756 | 1.3 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 35.8 V | 47 V | 80欧姆 | ||
![]() | pdz11b-qz | 0.0279 | ![]() | 2676 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 400兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1727-pdz11b-qztr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 100 na @ 8 V | 11 V | 10欧姆 | ||
![]() | jankca1n4120 | - | ![]() | 2972 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | DO-7(do-204AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Jankca1n4120 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200欧姆 | |||
![]() | 1N5927BP-AP | 0.0921 | ![]() | 6850 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N5927 | 1.5 w | do-41 | 下载 | 353-1N5927BP-AP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 v | 6.5欧姆 | ||||
1N5528/tr | 1.9950 | ![]() | 3852 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-1N5528/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 6.5 V | 8.2 v | ||||||
![]() | BZD27C68P-M-08 | - | ![]() | 2818 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZD27-m | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-219ab | BZD27C68 | 800兆 | DO-219AB(SMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 51 V | 68 v | 80欧姆 | ||
![]() | BZX55B12-Tr | 0.2200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZX55 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX55B12 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 100 NA @ 9.1 V | 12 v | 20欧姆 | ||
![]() | HZS2C2TA-E | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
![]() | MMSZ4707-HE3_A-08 | 0.0533 | ![]() | 7530 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | 112-mmsz4707-he3_a-08tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mv @ 10 ma | 10 na @ 15.2 V | 20 v |
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