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![]() | BZT52-C17S_R1_00001 | 0.0216 | ![]() | 8534 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | BZT52 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,250,000 | 100 na @ 13 V | 17 V | 40欧姆 | ||||
![]() | JAN1N3045DUR-1/TR | 36.2558 | ![]() | 9157 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N3045DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 83.6 V | 110 v | 450欧姆 | ||||
1N5250A/TR | 2.6334 | ![]() | 6597 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C 〜175°C(TA) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5250A/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 14.3 V | 20 v | 25欧姆 | |||||
![]() | VDZT2R2.7B | - | ![]() | 4985 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOT-723 | vdzt2 | 100兆 | VMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 2.7 v | ||||||
![]() | BZX55C6V2-Tr | 0.1900 | ![]() | 133 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZX55 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX55C6V2 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 2 V | 6.2 v | 10欧姆 | |||
![]() | ZM4754A-GS18 | 0.1089 | ![]() | 5748 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | ZM4754 | 1 w | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | ZM4754AGS18 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 29.7 V | 39 v | 60欧姆 | |||
![]() | MMBZ5230AW_R1_00001 | 0.0189 | ![]() | 1279 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1.91% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MMBZ5230 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 5 µA @ 2 V | 4.7 v | 19欧姆 | ||||
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![]() | CDLL4113/tr | 3.3516 | ![]() | 9980 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | 500兆 | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL4113/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 14.5 V | 19 v | 150欧姆 | ||||
![]() | BZT52-C20S_R1_00001 | 0.2100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | BZT52 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 100 na @ 15 V | 20 v | 50欧姆 | ||||
![]() | 3EZ15D/TR12 | - | ![]() | 8883 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 3EZ15 | 3 W | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 500 NA @ 11.4 V | 15 v | 5.5欧姆 | |||
![]() | BZX384C5V1-G3-18 | 0.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZX384-G | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | BZX384C5V1 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60欧姆 | ||||
JANTX1N4992/TR | 14.2800 | ![]() | 9358 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | E,轴向 | 5 w | E,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4992/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 206 V | 270 v | 800欧姆 | ||||||
![]() | BZX85C62-TAP | 0.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZX85 | (CT) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | BZX85C62 | 1.3 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 NA @ 47 V | 62 v | 125欧姆 | ||||
![]() | BZX84C47W_R1_00001 | 0.0162 | ![]() | 1627年 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BZX84 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 100 na @ 32.9 V | 47 V | 170欧姆 | ||||
JANTXV1N985B-1/TR | 3.2319 | ![]() | 9828 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N985B-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 76 V | 100 v | 500欧姆 | |||||
![]() | BZX84-C7V5,215 | 0.0200 | ![]() | 353 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-C7V5,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15欧姆 | ||||||
![]() | JANTXV1N977DUR-1 | 24.2250 | ![]() | 7402 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N977 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 36 V | 47 V | 105欧姆 | |||
![]() | BZV55B7V5 | 0.0504 | ![]() | 5882 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | BZV55B | 500兆 | 迷你梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZV55B7V5TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 100 ma | 100 na @ 5 V | 7.5 v | 7欧姆 | |||
![]() | BZT55C27 | 0.0350 | ![]() | 6314 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SOD-80变体 | 500兆 | QMMELF | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZT55C27TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 20 V | 27 V | 80欧姆 | ||||
BZD27C160P RQG | - | ![]() | 6057 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.55% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 120 V | 162 v | 350欧姆 | ||||
JANTXV1N968C-1/TR | 8.0332 | ![]() | 6175 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N968C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 15 V | 20 v | 25欧姆 | |||||
![]() | BZT52B56 | 0.0180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 200兆 | SOD-323 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZT52B56STR | Ear99 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 42 V | 56 v | 135欧姆 | |||||
![]() | MMXZ5229B-TP | 0.0375 | ![]() | 9887 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | MMXZ5229 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 100 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 22欧姆 | |||
MMBZ5262B-E3-08 | - | ![]() | 8563 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBZ5262 | 225兆 | SOT-23-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 39 V | 51 v | 125欧姆 | |||||
![]() | 1N5955APE3/TR12 | - | ![]() | 9562 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±10% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N5955 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 136.8 V | 180 v | 900欧姆 | ||||
![]() | BZX84-C2V7/DG/B2215 | 1.0000 | ![]() | 7362 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||
MMSZ5257B | 1.0000 | ![]() | 5408 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | SOD-123 | MMSZ52 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 25 V | 5.1 v | 41欧姆 | ||||
![]() | CDLL5278BE3/tr | 3.1255 | ![]() | 8900 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | do-213aa | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5278BE3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 123 V | 170 v | 1900欧姆 | |||||
![]() | 1pgsmb5951 | 0.1689 | ![]() | 7556 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 1pgsmb59 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 3 W | DO-214AA(SMB) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 91.2 V | 120 v | 360欧姆 |
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