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Zener（（78978）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
TZX22C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX22C-TAP 0.0287
RFQ
 ECAD 5682 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101，TZX （TB） 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 TZX22 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 17 V 22 v 65欧姆
BZX384C22-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C22-G3-18 0.0389
RFQ
 ECAD 4750 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX384-G 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -55°C〜150°C 表面安装 SC-76，SOD-323 BZX384C22 200兆 SOD-323 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 15.4 V 22 v 55欧姆
BZX84-C15/CH235 NXP USA Inc. BZX84-C15/CH235 -
RFQ
 ECAD 4331 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.10.0050 10,000
BZX84B3V0-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B3V0-HE3-08 0.2600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101，BZX84 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 ±2％ -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BZX84B3V0 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 1 V 3 V 95欧姆
BZT52-B33-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-B33-AU_R1_000A1 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-BZT52-B33-AU_R1_000A1CT Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 100 na @ 25 V 33 V 80欧姆
BZT52C3V6Q-7-F Diodes Incorporated BZT52C3V6Q-7-F 0.0384
RFQ
 ECAD 8633 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5.56％ -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123 BZT52 370兆 SOD-123 下载 到达不受影响 31-BZT52C3V6Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 1 V 3.6 v 90欧姆
CZRW55C3V9-G Comchip Technology CZRW55C3V9-G -
RFQ
 ECAD 8354 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±5％ -65°C〜150°C 表面安装 SOD-123 CZRW55 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 3 µA @ 1 V 3.9 v 90欧姆
BZX584B3V9 Yangjie Technology BZX584B3V9 0.0200
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-79，SOD-523 150兆 SOD-523 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-BZX584B3V9TR Ear99 8,000 900 mv @ 10 ma 3 µA @ 1 V 3.9 v 90欧姆
UFZVFHTE-173.6B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-173.6B 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±3.56％ 150°C（TJ） 表面安装 SC-90，SOD-323F UFZVFHTE 500兆 UMD2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 1 V 3.6 v 60欧姆
Z4KE130A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z4KE130A-E3/54 0.1635
RFQ
 ECAD 2950 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -55°C〜150°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 Z4KE130 1.5 w DO-204AL（DO-41） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Z4KE130AE354 Ear99 8541.10.0050 5,500 1 V @ 500 MA 500 NA @ 99.2 V 130 v 800欧姆
JANTX1N4130CUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N4130CUR-1/TR 24.9641
RFQ
 ECAD 6866 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4130CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 51.7 V 68 v 700欧姆
BZT03C120-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C120-TAP 0.2640
RFQ
 ECAD 3739 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 （TB） 积极的 ±5.42％ 175°C（TJ） 通过洞 SOD-57，轴向 BZT03C120 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 91 V 120 v 250欧姆
1N4773A Microchip Technology 1N4773A 121.6650
RFQ
 ECAD 9663 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C〜100°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4773 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 9.1 v 200欧姆
MM5Z11V Fairchild Semiconductor MM5Z11V -
RFQ
 ECAD 7089 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 ±5％ -55°C〜150°C 表面安装 SC-79，SOD-523F MM5Z1 200兆 SOD-523F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 8 V 11 V 20欧姆
PD3Z284C13-7 Diodes Incorporated PD3Z284C13-7 0.1479
RFQ
 ECAD 7106 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜150°C 表面安装 PowerDi™323 PD3Z284 500兆 PowerDi™323 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 100 na @ 8 V 13 V 10欧姆
1N4129-1 Microchip Technology 1N4129-1 2.4450
RFQ
 ECAD 3600 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4129 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 47.1 V 62 v 500欧姆
1N4120UR-1/TR Microchip Technology 1N4120ur-1/tr 3.9400
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 249 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 22.8 V 30 V 200欧姆
JAN1N4967CUS/TR Microchip Technology JAN1N4967CUS/TR 23.7000
RFQ
 ECAD 6506 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 5 w E-Melf - 150-JAN1N4967CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 18.2 V 24 V 5欧姆
CZ5337B BK Central Semiconductor Corp CZ5337B bk -
RFQ
 ECAD 8775 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 过时的 ±5％ -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 do-201aa，do-27，轴向 5 w DO-201-201 下载 （1 （无限） CZ5337BBK Ear99 8541.10.0050 500 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 1 V 4.7 v 2欧姆
CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ36 （TE85L，Q，M） 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F CRZ36 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 28.8 V 36 V 30欧姆
CD5270B Microchip Technology CD5270B 1.4497
RFQ
 ECAD 2348 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 死 500兆 死 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD5270B Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 69 V 91 v 400欧姆
1N5243B Microchip Technology 1N5243B 2.0700
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5243 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N5243BMS Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 500 NA @ 9.9 V 13 V 13欧姆
JANHCA1N985B Microchip Technology Janhca1n985b 9.8154
RFQ
 ECAD 2836 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/117 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa，do-7，轴向 500兆 DO-7（do-204AA） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n985b Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 76 V 100 v 500欧姆
SZ1SMB5919BT3G onsemi SZ1SMB5919BT3G 0.8300
RFQ
 ECAD 7259 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA，SMB SZ1SMB5919 3 W SMB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 5.6 v 2欧姆
BZX79C43_T50R onsemi BZX79C43_T50R -
RFQ
 ECAD 3674 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±5％ -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 BZX79C43 500兆 do-35 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 100 ma 50 NA @ 30.1 V 43 V 150欧姆
CDLL5523D Microchip Technology CDLL5523D 16.2000
RFQ
 ECAD 5218 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 到达不受影响 150-CDLL5523D Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 2.5 V 5.1 v 26欧姆
BZX84W-B75X Nexperia USA Inc. BZX84W-B75X 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 BZX84W 275兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 50 na @ 52.2 V 75 v 255欧姆
KDZTR3.9A Rohm Semiconductor kdztr3.9a 0.1836
RFQ
 ECAD 5064 0.00000000 Rohm半导体 KDZ 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±5％ - 表面安装 SOD-123F kdztr3.9 1 w PMDU - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 40 µA @ 1 V 3.9 v
BZX85B3V3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B3V3-Tr 0.3800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101，BZX85 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 BZX85B3V3 1.3 w DO-204AL（DO-41） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 40 µA @ 1 V 3.3 v 20欧姆
JANS1N4959 Microchip Technology JANS1N4959 103.9500
RFQ
 ECAD 3249 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 B，轴向 5 w B，轴向 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 8.4 V 11 V 2.5欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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