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![]() | JANTX1N5538DUR-1/TR | 42.0014 | ![]() | 7410 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5538DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 16.2 V | 18 V | 100欧姆 | |||
![]() | 1 PMT5915BE3/TR7 | - | ![]() | 4508 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 3.9 v | 7.5欧姆 | |||
![]() | 1N5923CPE3/TR12 | 1.2000 | ![]() | 5246 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N5923 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 6.5 V | 8.2 v | 3.5欧姆 | ||
![]() | CD034B-1 | - | ![]() | 3200 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-CDS3034B-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||
![]() | BZM55C2V4-TR3 | 0.2800 | ![]() | 1386 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZM55 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | BZM55C2V4 | 500兆 | 微型 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 600欧姆 | ||
1N4971USE3 | 8.3923 | ![]() | 7549 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4971USE3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11欧姆 | ||||
![]() | MMSZ5267B-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 4394 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | MMSZ5267 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 56 V | 75 v | 270欧姆 | |||
JANS1N4616D-1/TR | 134.7200 | ![]() | 6419 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4616D-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 2.2 v | 1.3欧姆 | ||||
![]() | BZX585-C24,115 | 0.0300 | ![]() | 251 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 300兆 | SOD-523 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX585-C24,115-954 | 10,764 | 1.1 V @ 100 mA | 50 NA @ 16.8 V | 24 V | 70欧姆 | |||||
![]() | BZM55B22-Tr | 0.3200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZM55 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | BZM55B22 | 500兆 | 微型 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 16 V | 22 v | 220欧姆 | ||
![]() | SZBZX84C9V1ET3G | 0.2400 | ![]() | 1357 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SZBZX84 | 225兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mv @ 10 ma | 500 na @ 6 V | 9.1 v | 15欧姆 | ||
![]() | BZT52C18HE3-TP | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微商业公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.39% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | BZT52C18 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 353-BZT52C18HE3-TPCT | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 12.6 V | 18 V | 45欧姆 | |
![]() | HZ36CP-JTK-E | 0.3800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
![]() | MMSZ5231B-E3-18 | 0.2700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | MMSZ5231 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17欧姆 | |||
![]() | CZRFR52C10-HF | 0.0805 | ![]() | 2993 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜125°C | 表面安装 | 1005 (2512公制) | CZRFR52 | 200兆 | 1005/SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 NA @ 7.5 V | 10 v | 15欧姆 | ||
![]() | 1N6025CRL | 0.0500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 500兆 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 84 V | 110 v | 650欧姆 | |||||||
![]() | mtzj24sd | 0.0305 | ![]() | 3134 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJ24 | 500兆 | do-34 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-MTZJ24SDTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 na @ 19 V | 24.24 v | 35欧姆 | |||
MMBZ5261C-G3-18 | - | ![]() | 3600 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBZ5261 | 225兆 | SOT-23-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 36 V | 47 V | 105欧姆 | ||||
![]() | 1N5376AE3/TR12 | - | ![]() | 3184 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±10% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5376 | 5 w | T-18 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 63 V | 87 v | 75欧姆 | |||
![]() | 1 PMT5917C/TR7 | - | ![]() | 2177 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 v | 5欧姆 | ||
![]() | MMXZ5245C-TP | 0.0488 | ![]() | 7750 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | MMXZ5245 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | 353-MMXZ5245C-TP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 100 ma | 100 na @ 11 V | 15 v | 16欧姆 | ||||
![]() | 1N750A | 0.1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-1N750A | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 4.7 v | 19欧姆 | ||||
jankcc1n6633 | - | ![]() | 8617 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | E,轴向 | 5 w | E,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-JANKCC1N6633 | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 250 µA @ 1 V | 3.6 v | 2.5欧姆 | |||||
CDLL980B | 2.9400 | ![]() | 4573 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL980 | 500兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 47 V | 62 v | 185欧姆 | |||
![]() | JANTX1N3030BUR-1/TR | 12.7801 | ![]() | 8531 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N3030BUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 20.6 V | 27 V | 35欧姆 | |||
![]() | 1N5748C | 3.7200 | ![]() | 1282 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5748 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 23 V | 33 V | 90欧姆 | ||
JANTXV1N4985D | 23.4600 | ![]() | 1583年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | E,轴向 | 5 w | E,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4985D | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 98.8 V | 130 v | 190欧姆 | |||||
![]() | JANTX1N2820B | - | ![]() | 6762 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/114 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | to-204ad | 1N2820 | 10 W | TO-204AD(TO-3) | - | 到达不受影响 | 2266-JANTX1N2820B | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 18.2 V | 24 V | 2.6欧姆 | |||
![]() | BZX584C4V7-TP | 0.0381 | ![]() | 7073 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±6.38% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BZX584 | 150兆 | SOD-523 | 下载 | 353-BZX584C4V7-TP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | ||||
![]() | GDZ8EPT2R6.2 | - | ![]() | 2269 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-GDZ8EPT2R6.2TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 |
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