SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
CDS5545DUR-1/TR Microchip Technology CDS5545DUR-1/TR -
RFQ
ECAD 5581 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 到达不受影响 150-CDS5545DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 50
BZX584B15 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B15 RSG 0.4800
RFQ
ECAD 113 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 SC-79,SOD-523 BZX584 150兆 SOD-523F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 10.5 V 15 v 30欧姆
BZV55C2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C2V4 0.0333
RFQ
ECAD 3577 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 BZV55C 500兆 迷你梅尔 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-BZV55C2V4TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 mA 50 µA @ 1 V 2.4 v 85欧姆
BZX84C43-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C43-G3-08 0.0353
RFQ
ECAD 5148 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX84-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84C43 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 50 NA @ 30.1 V 43 V 150欧姆
BZT52C27-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C27-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 4000 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZT52 胶带和卷轴((tr) 上次购买 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 BZT52C27 410 MW SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 20 V 27 V 80欧姆
BZX384C75-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C75-HG3-08 0.3900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 SC-76,SOD-323 BZX384 200兆 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 50 NA @ 700 mV 75 v 95欧姆
NZ8F4V7SMX2WT5G onsemi NZ8F4V7SMX2WT5G 0.0456
RFQ
ECAD 4769 0.00000000 Onmi NZ8F 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2.34% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 2-XDFN 250兆 2-x2dfnw((1x0.6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NZ8F4V7SMX2WT5GTR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 mv @ 10 ma 2 µA @ 1 V 4.7 v 100欧姆
SMBZ5938B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5938B-E3/52 0.4600
RFQ
ECAD 3534 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBZ5938 3 W DO-214AA(SMBJ) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 750 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 27.4 V 36 V 38欧姆
3EZ30_R2_00001 Panjit International Inc. 3EZ30_R2_00001 0.1080
RFQ
ECAD 2730 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 3EZ30 3 W do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-3EZ30_R2_00001CT Ear99 8541.10.0050 28,000 500 NA @ 22.5 V 30 V 16欧姆
BZD27C10PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C10PH 0.1173
RFQ
ECAD 6947 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±6% -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOD-123 BZD27 1 w SMA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-bzd27c10phtr Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 V @ 200 ma 7 µA @ 7.5 V 10 v 4欧姆
JANTXV1N6350CUS/TR Microchip Technology JANTXV1N6350CUS/TR 57.2550
RFQ
ECAD 6472 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - 150-JANTXV1N6350CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 91 V 120 v 600欧姆
JAN1N4134UR-1/TR Microchip Technology Jan1n4134ur-1/tr 7.8736
RFQ
ECAD 9858 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N4134UR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 69.2 V 91 v 1200欧姆
JAN1N747C-1/TR Microchip Technology Jan1n747c-1/tr 4.7481
RFQ
ECAD 2561 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N747C-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 1 V 3.6 v 24欧姆
AZ23C4V3 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C4V3 0.0786
RFQ
ECAD 7159 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 AZ23C 300兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-AZ23C4V3TR Ear99 8541.10.0050 3,000 1对公共阳极 4.3 v 95欧姆
JANTX1N3030DUR-1 Microchip Technology JANTX1N3030DUR​​ -1 46.6950
RFQ
ECAD 5843 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3030 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 20.6 V 27 V 35欧姆
BZX84B5V1-AQ Diotec Semiconductor BZX84B5V1-AQ 0.0431
RFQ
ECAD 7700 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -50°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 300兆 SOT-23-3(TO-236) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2796-BZX84B5V1-AQTR 8541.10.0000 3,000 2 µA @ 2 V 5.1 v 60欧姆
BZX384-B4V7,115 Nexperia USA Inc. BZX384-B4V7,115 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 BZX384 300兆 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 mA 3 µA @ 2 V 4.7 v 80欧姆
JAN1N4961US/TR Microchip Technology Jan1n4961us/tr 8.9700
RFQ
ECAD 4877 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 5 w E-Melf - 150-JAN1N4961US/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 9.9 V 13 V 3欧姆
GDZ30B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ30B-E3-08 0.0360
RFQ
ECAD 8909 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 GDZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±4% -55°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 GDZ30 200兆 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 23 V 30 V 200欧姆
TZX6V2B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX6V2B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX6V2 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 3 V 6.2 v 15欧姆
CZRA5935B-G Comchip Technology CZRA5935B-G 0.1352
RFQ
ECAD 1511 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 do-214ac,SMA CZRA5935 1.5 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 20.6 V 27 V 23欧姆
BZT52C3V9SHE3-TP Micro Commercial Co BZT52C3V9SHE3-TP 0.0488
RFQ
ECAD 6818 0.00000000 微商业公司 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-76,SOD-323 BZT52C3V9 300兆 SOD-323 下载 353-BZT52C3V9SHE3-TP Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 3 µA @ 1 V 3.9 v 90欧姆
HZS7C2TD-E Renesas Electronics America Inc HZS7C2TD-E 0.1000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0050 1
SMB3EZ10D5-TP Micro Commercial Co SMB3EZ10D5-TP -
RFQ
ECAD 6655 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 DO-214AA,SMB SMB3EZ10 3 W DO-214AA(SMB) - rohs3符合条件 353-SMB3EZ10D5-TPTR Ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 V @ 200 ma 3 µA @ 7.6 V 10 v 3.5欧姆
1PMT5927C/TR7 Microchip Technology 1 PMT5927C/TR7 2.7600
RFQ
ECAD 1106 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 3 W do-216aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 v 6.5欧姆
SMBJ5357B-TP Micro Commercial Co SMBJ5357B-TP 0.5000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5357 5 w DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 15.2 V 20 v 3欧姆
1N5341C-TP Micro Commercial Co 1N5341C-TP -
RFQ
ECAD 2123 0.00000000 微商业公司 - 大部分 过时的 ±5% -55°C 200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 1N5341 5 w do-15 - 353-1N5341C-TP Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 3 V 6.2 v 1欧姆
JANS1N6347D Microchip Technology JANS1N6347D 350.3400
RFQ
ECAD 9971 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-JANS1N6347D Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 69 V 91 v 270欧姆
MAZ40220LF Panasonic Electronic Components MAZ40220LF -
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ECAD 1681年 0.00000000 松下电子组件 - (CT) 过时的 ±8% - 通过洞 do-204Ag,do-34,轴向 MAZ4022 370兆 DO34-A2 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0050 2,000 900 mv @ 10 ma 120 µA @ 700 mV 2.2 v 100欧姆
1N4754G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4754G 0.0627
RFQ
ECAD 5268 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4754 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-1N4754GTR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 29.7 V 39 v 60欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库