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JANTX1N980DUR-1/TR | 17.3964 | ![]() | 9092 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N980 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N980DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 47 V | 62 v | 185欧姆 | |||
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![]() | CD5235B | 1.4497 | ![]() | 1247 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5235B | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5欧姆 | |||
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![]() | HZ18-2-E | 0.0500 | ![]() | 2786 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,164 | |||||||||||||
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BZD27C39P R3G | - | ![]() | 1698年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.12% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD27 | 1 w | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 30 V | 39 v | 40欧姆 | |||
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![]() | 1N5349/TR12 | 2.6250 | ![]() | 8245 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5349 | 5 w | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 2 µA @ 8.6 V | 12 v | 2.5欧姆 | ||
![]() | GDZ3V6B-E3-08 | 0.0360 | ![]() | 6695 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | GDZ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | GDZ3V6 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 µA @ 1 V | 3.6 v | 100欧姆 | |||
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![]() | JANTX1N4104UR-1/TR | 8.0864 | ![]() | 5425 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军队 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4104UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 7.6 V | 10 v | 200欧姆 | |||
![]() | NTE5136A | 1.3000 | ![]() | 286 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 5 w | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE5136A | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 22 v | 3.5欧姆 | ||||||
![]() | BZX79C22 | 0.0287 | ![]() | 9627 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX79 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZX79C22TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 1.5 V @ 100 ma | 50 NA @ 15.4 V | 22 v | 55欧姆 | ||
BZX84-C12-QR | 0.0319 | ![]() | 8457 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1727-BZX84-C12-QRTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 12.05 v | 25欧姆 | ||||
![]() | CDLL5248D | 8.4150 | ![]() | 1281 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 10兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-CDLL5248D | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 21欧姆 | ||||
![]() | ACZRW5253B-G | 0.0556 | ![]() | 6851 | 0.00000000 | comchip技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | ACZRW5253 | 500兆 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 19 V | 25 v | 35欧姆 | ||
![]() | BZT52B4V7 | 0.0412 | ![]() | 7798 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | BZT52B | 500兆 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZT52B4V7TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | ||
![]() | MMSZ5251BQ-7-F | - | ![]() | 9246 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | MMSZ5251 | 370兆 | SOD-123 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 31 MMSZ5251BQ-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 17 V | 22 v | 29欧姆 | |
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JANTXV1N750C-1/TR | 10.2410 | ![]() | 5342 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N750C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 v | 19欧姆 | ||||
![]() | BZT52B2V4-HE3-08 | 0.0454 | ![]() | 4488 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZT52 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | BZT52B2V4 | 410 MW | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 2.4 v | 85欧姆 | ||||
![]() | CDLL5522D | 16.2000 | ![]() | 3930 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-CDLL5522D | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 2 V | 4.7 v | 22欧姆 | ||||
![]() | 1SMB5928-AU_R1_000A1 | 0.5000 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 1SMB5928 | 1.5 w | SMB(do-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 7欧姆 | |||
![]() | CDS971Bur-1/tr | - | ![]() | 7393 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-CDS971BUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||
![]() | pzu2.4ba-qx | 0.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 320兆W | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 50 µA @ 1 V | 2.45 v | 100欧姆 | |||
![]() | BZX55C4V3-TAP | 0.2300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZX55 | (CT) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX55C4V3 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 1 V | 4.3 v | 75欧姆 |
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