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单层二极管（（76774）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZX584C4V7-HG3-08	0.3400	RFQ	4713	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101，BZX584C	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BZX584C	200兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000		3 µA @ 2 V	4.7 v	50欧姆
JANS1N4959C	415.7700	RFQ	2302	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANS1N4959C	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	10 µA @ 8.4 V	11 V	2.5欧姆
1SMA4748	0.0710	RFQ	2029	SMC二极管解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA		1 w	SMA（do-214ac）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 16.7 V	22 v	23欧姆
Jan1n3012rb	435.8700	RFQ	9819	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 2 A	10 µA @ 121.6 V	160 v	200欧姆
BZX85B18-Tr	0.3800	RFQ	19	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101，BZX85	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85B18	1.3 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000		500 NA @ 13 V	18 V	20欧姆
UZ808	22.4400	RFQ	8019	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向		3 W	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ808	Ear99	8541.10.0050	1
HZS27-1LTD-E	0.1000	RFQ	3589	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500
JANTX1N649UR-1/TR	-	RFQ	1723年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/240	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa			do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N649UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	1 V @ 400 MA	50 NA @ 600 V
JANTX1N4625C-1/TR	9.1770	RFQ	3198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4625C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1		5 µA @ 3 V	5.1 v	1500欧姆
PDZ2.7BGWJ	0.0307	RFQ	5485	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，PDZ-GW	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4.07％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	PDZ2.7	365兆w	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000	1.1 V @ 100 mA	20 µA @ 1 V	2.7 v	100欧姆
PZU5.6B3A115	-	RFQ	7245	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载					Ear99	8541.10.0050	1
BZV55B39 L0G	0.0357	RFQ	8699	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	BZV55B	500兆	迷你梅尔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000	1 V @ 100 ma	100 na @ 28 V	39 v	90欧姆
JAN1N4975CUS/TR	21.0273	RFQ	3430	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4975CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	2 µA @ 38.8 V	51 v	27欧姆
1N5253B-Tr	0.2300	RFQ	32	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5253	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 19 V	25 v	35欧姆
1N4683UR-1/TR	5.2400	RFQ	2825	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	186	1.5 V @ 100 ma	800 na @ 1 V	3 V
BZD17C12PH	0.2790	RFQ	6512	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOD-123	BZD17	1 w	SMA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-bzd17c12phtr	Ear99	8541.10.0050	10,000	1 V @ 200 MA	3 µA @ 9.1 V	12 v	7欧姆
1N5081	23.4000	RFQ	2168	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向		3 W	轴向	-			到达不受影响	150-1N5081	Ear99	8541.10.0050	1		1 µA @ 30.4 V	40 V	27欧姆
1N5926PE3/TR8	0.9150	RFQ	4957	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5926	1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 8.4 V	11 V	5.5欧姆
1N5924CE3/TR13	-	RFQ	1551年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5924	1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 7 V	9.1 v	4欧姆
1N5922C	6.0300	RFQ	4231	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5922	1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 6 V	7.5 v	3欧姆
JANS1N6343D	350.3400	RFQ	8325	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N6343D	Ear99	8541.10.0050	1	1.4 V @ 1 A	50 NA @ 47 V	62 v	125欧姆
SMBJ5918B/TR13	1.5600	RFQ	1654年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5918	2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 2 V	5.1 v	4欧姆
TZMA5V6-GS08	0.1497	RFQ	5769	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80	TZMA5V6	500兆	SOD-80最小	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,500	1.5 V @ 200 ma	100 na @ 1 V	5.6 v	40欧姆
CDLL5253A/TR	2.7132	RFQ	3490	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf		10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5253A/TR	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	100 na @ 19 V	25 v	35欧姆
NTE5135A	1.3000	RFQ	85	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		5 w	do-35	下载	rohs3符合条件			2368-NTE5135A	Ear99	8541.10.0050	1			20 v	3欧姆
1N4370AUR-1/TR	6.1600	RFQ	7843	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		400兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	159	1.1 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V	2.4 v	30欧姆
1N1365	44.3850	RFQ	9381	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N136	10 W	DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响	150-1N1365	Ear99	8541.10.0050	1			39 v	5欧姆
1月1N5969	-	RFQ	3942	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	1 mA @ 4.74 V	6.2 v	1欧姆
1N5955D	7.5450	RFQ	2828	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5955	1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 136.8 V	180 v	900欧姆
MMBZ5250B-7-G	-	RFQ	3952	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-		（1 （无限）	到达不受影响	MMBZ5250B-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单层二极管（（76774）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²