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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMBZ5244B | - | ![]() | 4032 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBZ52 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 15欧姆 | ||
![]() | MM5Z47V | 0.0200 | ![]() | 111 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523F | MM5Z4 | 200兆 | SOD-523F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 NA @ 32.9 V | 47 V | 170欧姆 | |||
![]() | rd8.2js-az | 0.0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
![]() | BZT52B27 | 0.0355 | ![]() | 4094 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | 500兆 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2796-BZT52B27TR | 8541.10.0000 | 12,000 | 100 na @ 19 V | 27 V | 150欧姆 | |||||
JANTXV1N4959 | 7.7250 | ![]() | 1253 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4959 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 2.5欧姆 | ||||
![]() | BZT52B16-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 5571 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT52-G | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | BZT52B16 | 410 MW | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 12 V | 16 V | 13欧姆 | |||
![]() | JANTXV1N6343CUS | 57.1050 | ![]() | 5651 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6343CUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 47 V | 62 v | 125欧姆 | ||||
![]() | BZX84C39CC-HF | 0.0492 | ![]() | 3484 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.13% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C39 | 350兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-BZX84C39CC-HFTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 a | 50 na @ 27.3 V | 39 v | 130欧姆 | ||
![]() | BZG03C100-M3-18 | 0.1815 | ![]() | 1571年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZG03C-M | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6% | 150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | BZG03C100 | 1.25 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 µA @ 75 V | 100 v | 200欧姆 | ||
![]() | BZX84W-C36X | 0.0313 | ![]() | 4575 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX84W | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BZX84W | 275兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 25.2 V | 36 V | 90欧姆 | ||
![]() | HZK30TR-SE | 0.1700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | |||||||||||||
BZX84C16-E3-18 | 0.2300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZX84 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C16 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 NA @ 11.2 V | 16 V | 40欧姆 | ||||
![]() | PDZ6.8B/ZL115 | - | ![]() | 6779 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
![]() | PZU4.3B,115 | - | ![]() | 6236 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PZU4.3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
![]() | JANS1N4958US | - | ![]() | 3198 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF | 5 w | - | 下载 | 600-JANS1N4958US | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 25 µA @ 7.6 V | 10 v | 2欧姆 | ||||||
jankca1n750c | - | ![]() | 5769 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N750C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 4.7 v | 19欧姆 | |||||
1N4902A | 102.2250 | ![]() | 2562 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C〜100°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N4902 | 400兆 | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 v | 200欧姆 | |||||
![]() | NTE5230a | 22.2800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 10 W | do-4 | 下载 | Rohs不合规 | 2368-NTE5230A | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 180 v | 260欧姆 | ||||||
![]() | JANTX1N3595AUS | 13.1100 | ![]() | 3328 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 1N3595 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
1月1N7055-1/tr | 7.8000 | ![]() | 3000 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N7055-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 1.5 V | 4.8 v | 35欧姆 | |||||
JANTX1N4971US | 9.9000 | ![]() | 8953 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4971 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11欧姆 | |||
![]() | MMSS4689T1G | 0.0200 | ![]() | 105 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
![]() | PZ1AH4V7B-AU_R1_000A1 | 0.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123H | PZ1AH4V7 | 1 w | SOD-123HE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-PZ1AH4V7B-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 1 V | 4.7 v | 7欧姆 | ||
Jan1n749d-1/tr | 5.8919 | ![]() | 3360 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N749D-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 22欧姆 | ||||
![]() | SMBZ1091LT1 | 0.0200 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
![]() | 1n707a bk | - | ![]() | 5471 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-1N707ABK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 7.1 v | |||||||
![]() | 1N5380BRL | - | ![]() | 5138 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5380 | 5 w | 轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 91.2 V | 120 v | 170欧姆 | ||
![]() | 1N5348B/TR8 | 2.6850 | ![]() | 9456 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5348 | 5 w | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 A | 5 µA @ 8 V | 11 V | 2.5欧姆 | ||
![]() | MMSZ5260AS_R1_00001 | 0.0243 | ![]() | 7826 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | MMSZ5260 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,250,000 | 100 na @ 33 V | 43 V | 93欧姆 | |||
![]() | JANS1N4120DUR-1/TR | 137.5900 | ![]() | 9565 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4120DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200欧姆 |
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