SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
MMBZ5244B Fairchild Semiconductor MMBZ5244B -
RFQ
ECAD 4032 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 ±5% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ52 300兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 100 na @ 10 V 14 V 15欧姆
MM5Z47V Fairchild Semiconductor MM5Z47V 0.0200
RFQ
ECAD 111 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 ±6% -55°C〜150°C 表面安装 SC-79,SOD-523F MM5Z4 200兆 SOD-523F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 50 NA @ 32.9 V 47 V 170欧姆
RD8.2JS-AZ Renesas Electronics America Inc rd8.2js-az 0.0500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0050 1
BZT52B27 Diotec Semiconductor BZT52B27 0.0355
RFQ
ECAD 4094 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -50°C〜150°C(TJ) 表面安装 SOD-123F 500兆 SOD-123F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2796-BZT52B27TR 8541.10.0000 12,000 100 na @ 19 V 27 V 150欧姆
JANTXV1N4959 Microchip Technology JANTXV1N4959 7.7250
RFQ
ECAD 1253 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4959 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 8.4 V 11 V 2.5欧姆
BZT52B16-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B16-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 5571 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT52-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-123 BZT52B16 410 MW SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 12 V 16 V 13欧姆
JANTXV1N6343CUS Microchip Technology JANTXV1N6343CUS 57.1050
RFQ
ECAD 5651 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - 到达不受影响 150-JANTXV1N6343CUS Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 47 V 62 v 125欧姆
BZX84C39CC-HF Comchip Technology BZX84C39CC-HF 0.0492
RFQ
ECAD 3484 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5.13% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84C39 350兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 641-BZX84C39CC-HFTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 a 50 na @ 27.3 V 39 v 130欧姆
BZG03C100-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C100-M3-18 0.1815
RFQ
ECAD 1571年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZG03C-M 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±6% 150°C(TJ) 表面安装 do-214ac,SMA BZG03C100 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 75 V 100 v 200欧姆
BZX84W-C36X Nexperia USA Inc. BZX84W-C36X 0.0313
RFQ
ECAD 4575 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BZX84W 275兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 25.2 V 36 V 90欧姆
HZK30TR-S-E Renesas Electronics America Inc HZK30TR-SE 0.1700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500
BZX84C16-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C16-E3-18 0.2300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX84 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84C16 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 11.2 V 16 V 40欧姆
PDZ6.8B/ZL115 NXP USA Inc. PDZ6.8B/ZL115 -
RFQ
ECAD 6779 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0050 3,000
PZU4.3B,115 NXP USA Inc. PZU4.3B,115 -
RFQ
ECAD 6236 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PZU4.3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
JANS1N4958US Semtech Corporation JANS1N4958US -
RFQ
ECAD 3198 0.00000000 Semtech Corporation MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 SQ-MELF 5 w - 下载 600-JANS1N4958US Ear99 8541.10.0050 1 25 µA @ 7.6 V 10 v 2欧姆
JANKCA1N750C Microchip Technology jankca1n750c -
RFQ
ECAD 5769 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-JANKCA1N750C Ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 1 V 4.7 v 19欧姆
1N4902A Microchip Technology 1N4902A 102.2250
RFQ
ECAD 2562 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -55°C〜100°C 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N4902 400兆 do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 12.8 v 200欧姆
NTE5230A NTE Electronics, Inc NTE5230a 22.2800
RFQ
ECAD 16 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 ±5% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 10 W do-4 下载 Rohs不合规 2368-NTE5230A Ear99 8541.10.0050 1 180 v 260欧姆
JANTX1N3595AUS Microchip Technology JANTX1N3595AUS 13.1100
RFQ
ECAD 3328 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 1N3595 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1
JAN1N7055-1/TR Microchip Technology 1月1N7055-1/tr 7.8000
RFQ
ECAD 3000 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 250兆 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N7055-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 1.5 V 4.8 v 35欧姆
JANTX1N4971US Microchip Technology JANTX1N4971US 9.9000
RFQ
ECAD 8953 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4971 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 27.4 V 36 V 11欧姆
MMSZS4689T1G onsemi MMSS4689T1G 0.0200
RFQ
ECAD 105 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0050 3,000
PZ1AH4V7B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PZ1AH4V7B-AU_R1_000A1 0.4200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOD-123H PZ1AH4V7 1 w SOD-123HE 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-PZ1AH4V7B-AU_R1_000A1DKR Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 1 V 4.7 v 7欧姆
JAN1N749D-1/TR Microchip Technology Jan1n749d-1/tr 5.8919
RFQ
ECAD 3360 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N749D-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 1 V 4.3 v 22欧姆
SMBZ1091LT1 onsemi SMBZ1091LT1 0.0200
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000
1N707A BK Central Semiconductor Corp 1n707a bk -
RFQ
ECAD 5471 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 过时的 - - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 250兆 do-35 下载 到达不受影响 1514-1N707ABK Ear99 8541.10.0050 1 7.1 v
1N5380BRL onsemi 1N5380BRL -
RFQ
ECAD 5138 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 T-18,轴向 1N5380 5 w 轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 91.2 V 120 v 170欧姆
1N5348B/TR8 Microchip Technology 1N5348B/TR8 2.6850
RFQ
ECAD 9456 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5348 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 5 µA @ 8 V 11 V 2.5欧姆
MMSZ5260AS_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5260AS_R1_00001 0.0243
RFQ
ECAD 7826 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-90,SOD-323F MMSZ5260 200兆 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 33 V 43 V 93欧姆
JANS1N4120DUR-1/TR Microchip Technology JANS1N4120DUR-1/TR 137.5900
RFQ
ECAD 9565 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4120DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 22.8 V 30 V 200欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库