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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N6930UTK1 | 259.3500 | ![]() | 5436 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-1N6930UTK1 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | bay73tr | - | ![]() | 1016 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | Bay73 | 标准 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 30,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 125 v | 1 V @ 200 MA | 1 µs | 5 na @ 100 V | 175°c (最大) | 500mA | 8pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | 2A04-TP | - | ![]() | 1904年 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 2A04 | 标准 | do-15 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | MBR2050CT C0G | - | ![]() | 3513 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR2050 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 20a | 950 mv @ 20 a | 100 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | P1000m | 0.4856 | ![]() | 54 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-p1000mtr | 8541.10.0000 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.05 V @ 10 A | 1.5 µs | 10 µA @ 1000 V | -50°C〜175°C | 10a | - | ||||||
![]() | SDURF2020 | 0.8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.15 V @ 20 A | 35 ns | 15 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | - | - | |||||
![]() | BY229B-800-E3/81 | - | ![]() | 5867 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | BY229 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.85 V @ 20 A | 145 ns | 10 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 8a | - | ||||
![]() | uf1khr1g | - | ![]() | 8967 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | UF1K | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | CLH06(TE16L,Q) | - | ![]() | 9941 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLH06 | 标准 | l-flat™(4x5.5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 35 ns | - | 5a | - | ||||||||
RGP25K-E3/54 | 0.6465 | ![]() | 6678 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | RGP25 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 2.5 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 2.5a | 60pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | R42140T | 59.8350 | ![]() | 4581 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | R42140 | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.2 V @ 200 A | 50 µA @ 1400 V | -65°C 〜200°C | 125a | - | ||||||
![]() | GS1A_R1_00001 | 0.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | GS1 | 标准 | SMA(do-214ac) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-GS1A_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 1 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | ||||
MSC010SDA070BCT | 6.0450 | ![]() | 1142 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | 到达不受影响 | 150-MSC010SDA070BCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 700 v | 24a | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 200 µA @ 700 V | -55°C 〜175°C | |||||||
![]() | SBR10200CTB-13 | - | ![]() | 2326 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SBR10200 | 超级障碍 | TO-263AB(D²Pak) | - | (1 (无限) | 31-SBR10200CTB-13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 5a | 920 MV @ 5 A | 20 ns | 50 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | |||||
![]() | Jan1n7047cct3 | 114.5700 | ![]() | 5159 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/737 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-257-3 | 肖特基 | TO-257 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 16a | 1.13 V @ 16 A | 500 µA @ 150 V | -65°C〜150°C | ||||||||
![]() | JANTX1N3070UR-1/TR | - | ![]() | 3785 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/169 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 标准 | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N3070UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 175 v | 1 V @ 100 ma | 50 ns | 100 NA @ 175 V | -65°C〜175°C | 100mA | - | |||||
![]() | UH4PCCHM3_A/i | 0.3816 | ![]() | 6744 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | UH4 | 标准 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 1.05 V @ 2 A | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55°C 〜175°C | 2a | 21pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | SD165SC150B.T1 | 2.5212 | ![]() | 1103 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SD165 | 肖特基 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0040 | 49 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 890 mv @ 30 a | 1 ma @ 150 V | -55°C 〜200°C | 30a | 1000pf @ 5V,1MHz | |||||
![]() | BAW56W/混合 | - | ![]() | 9333 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAW56 | 标准 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 934069646115 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 90 v | 150mA(DC) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | |||
FES16HT-E3/45 | 1.5900 | ![]() | 975 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | FES16 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.5 V @ 16 A | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -65°C〜150°C | 16a | - | |||||
![]() | MBRS130T3H | - | ![]() | 2733 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | MBRS130 | 肖特基 | SMB | - | rohs3符合条件 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 600 mV @ 1 A | 1 ma @ 30 V | -65°C〜125°C | 1a | - | |||||
Jan1n5621us/tr | 8.5800 | ![]() | 2190 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/429 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准 | D-5A | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5621US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.6 V @ 3 A | 300 ns | 500 NA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||
![]() | STPS2530CG | - | ![]() | 7764 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STPS2530 | 肖特基 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 12.5a | 530 MV @ 12.5 A | 1 ma @ 30 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | JANTXV1N5712UBD | 118.6800 | ![]() | 4580 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/444 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 4-SMD,没有铅 | 肖特基 | UB | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 16 V | 1 V @ 35 MA | 150 na @ 16 V | -65°C〜150°C | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||||
![]() | IDB12E120ATMA1 | - | ![]() | 6344 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDB12 | 标准 | pg-to263-3-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.15 V @ 12 A | 150 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 28a | - | |||||
![]() | US1M-TPS04 | 0.0365 | ![]() | 4992 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | US1M | 标准 | DO-214AC(SMA) | - | 353-US1M-TPS04 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | 1N2131 | 74.5200 | ![]() | 2193 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | DO-5(do-203ab) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2131 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 70a | - | |||||||
![]() | BAS40-05HYT116 | 0.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 10 µA @ 40 V | 150°C | |||||
![]() | NTE6107 | 260.6400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 螺柱坐骑 | 螺柱 | 标准 | T-70 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE6107 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.6 V @ 1500 A | 11 µs | 50 ma @ 1600 V | -65°C〜175°C | 450a | - | ||||||
![]() | STPS1L30A | 0.4300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | STPS1 | 肖特基 | SMA(do-214ac) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 395 mv @ 1 a | 200 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 1a | - |
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