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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SB10-09P-TD-E | 0.4100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | |||||||||||||||||
![]() | FDH333_NL | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | DO-35(do-204AH) | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 125 v | 1.05 V @ 200 ma | 3 na @ 125 V | 175°c (最大) | 200mA | 6pf @ 0v,1MHz | ||||||
![]() | SBRT20S100CTB-13 | - | ![]() | 2890 | 0.00000000 | 二极管合并 | Trenchsbr | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SBRT20 | 超级障碍 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | (1 (无限) | 31-SBRT20S100CTB-13TR | 过时的 | 800 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 800 mv @ 10 a | 150 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | |||||||
![]() | 286-803 | 41.1000 | ![]() | 4138 | 0.00000000 | Wago Corporation | - | 盒子 | 积极的 | 可以插座 | 模块 | 286-8 | 标准 | - | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 1000 v | 1a | -25°C〜40°C | |||||||||
![]() | HSM380GE3/TR13 | 1.0200 | ![]() | 4992 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | HSM380 | 肖特基 | do-215ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 810 MV @ 3 A | 100 µA @ 80 V | -55°C 〜175°C | 3a | - | |||||
MMBD2004S-7-F | 0.4100 | ![]() | 1978年 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBD2004 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 240 v | 225ma(dc) | 1 V @ 100 ma | 50 ns | 100 NA @ 240 V | -65°C〜150°C | |||||
VS-150KR30A | 31.0124 | ![]() | 4047 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 150kr30 | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 300 v | 1.33 V @ 471 A | 35 ma @ 300 V | -40°C 200°C | 150a | - | ||||||
![]() | VS-50WQ06FNTRRHM3 | 0.9913 | ![]() | 4965 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 50WQ06 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS50WQ06FNTRRHM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 570 mv @ 5 a | 3 ma @ 60 V | -40°C〜150°C | 5.5a | 360pf @ 5V,1MHz | ||||
![]() | UES1302E3/tr | 24.5400 | ![]() | 3773 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 标准 | B,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-ues1302e3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 925 mv @ 6 a | 30 ns | 5 µA @ 100 V | 175°C | 6a | - | |||||
![]() | 1N4307MJTX | 28.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5395T/r | 0.0400 | ![]() | 35 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N5395T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1.5a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||
![]() | Murd560S-TP | 0.2461 | ![]() | 6117 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | Murd560 | 标准 | DPAK((TO-252) | 下载 | 353-MURD560S-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 5 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||
![]() | ESH1PDHE3/85A | - | ![]() | 9657 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-220aa | ESH1 | 标准 | DO-220AA(SMP) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 900 mv @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 1a | 25pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | R42130 | 102.2400 | ![]() | 8780 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-R42130 | 1 | ||||||||||||||||||||
SS22L地毯 | 0.2625 | ![]() | 1155 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | SS22 | 肖特基 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 400 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||
![]() | F1T4G A1G | - | ![]() | 6628 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 在sic中停产 | 通过洞 | T-18,轴向 | F1T4 | 标准 | TS-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | CBS05F30,L3F | 0.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | CBS05F30 | 肖特基 | CST2B | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 50 µA @ 30 V | 125°c (最大) | 500mA | 118pf @ 0v,1MHz | |||||||
![]() | 1N3162 | - | ![]() | 7002 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 1N3162 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MBR2045CT-E1 | - | ![]() | 6814 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 10a | 650 MV @ 10 A | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRT40020R | 118.4160 | ![]() | 7892 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT40020 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT40020RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 200a | 750 MV @ 200 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | SF32G A0G | - | ![]() | 5160 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF32 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | VS-15ETL06-1-M3 | 0.5940 | ![]() | 2783 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | 15ETL06 | 标准 | TO-262AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.05 V @ 15 A | 270 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 15a | - | ||||
![]() | HER101BULK | 0.2100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-HER101BULK | 8541.10.0000 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||
MBRL30300CT-BP | 1.6679 | ![]() | 1356 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBRL30300 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 353-MBRL30300CT-BP | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 30a | 1.1 V @ 15 A | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | S50305 | 158.8200 | ![]() | 6383 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-S50305 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | G3S06520H | - | ![]() | 4715 | 0.00000000 | 全球电力技术有限公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | - | 供应商不确定 | 4436-G3S06520H | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 26a | 1170pf @ 0v,1MHz | ||||||||
![]() | MUR3040 | 2.8500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | cmpd3003c tr pbfree | 0.6000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPD3003 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 180 v | 200mA | 1.15 V @ 300 mA | 1 NA @ 125 V | -65°C〜150°C | |||||
![]() | HN2D02FU,LF | 0.4000 | ![]() | 310 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | HN2D02 | 标准 | US6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 3独立 | 80 V | 80mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c (最大) | |||||
S15GLW RVG | 0.0867 | ![]() | 4830 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | S15G | 标准 | SOD-123W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1.5 A | 1 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 1.5a | 10pf @ 4V,1MHz |
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