SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
SB10-09P-TD-E onsemi SB10-09P-TD-E 0.4100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0080 1,000
FDH333_NL Fairchild Semiconductor FDH333_NL 0.2700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 标准 DO-35(do-204AH) 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <<200ma(io),任何速度 125 v 1.05 V @ 200 ma 3 na @ 125 V 175°c (最大) 200mA 6pf @ 0v,1MHz
SBRT20S100CTB-13 Diodes Incorporated SBRT20S100CTB-13 -
RFQ
ECAD 2890 0.00000000 二极管合并 Trenchsbr 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SBRT20 超级障碍 TO-263AB(D²Pak) 下载 (1 (无限) 31-SBRT20S100CTB-13TR 过时的 800 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 100 v 10a 800 mv @ 10 a 150 µA @ 100 V -55°C 〜175°C
286-803 WAGO Corporation 286-803 41.1000
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ECAD 4138 0.00000000 Wago Corporation - 盒子 积极的 可以插座 模块 286-8 标准 - 下载 不适用 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 1000 v 1a -25°C〜40°C
HSM380GE3/TR13 Microchip Technology HSM380GE3/TR13 1.0200
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ECAD 4992 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-215ab,SMC Gull机翼 HSM380 肖特基 do-215ab 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 80 V 810 MV @ 3 A 100 µA @ 80 V -55°C 〜175°C 3a -
MMBD2004S-7-F Diodes Incorporated MMBD2004S-7-F 0.4100
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ECAD 1978年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBD2004 标准 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 240 v 225ma(dc) 1 V @ 100 ma 50 ns 100 NA @ 240 V -65°C〜150°C
VS-150KR30A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150KR30A 31.0124
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ECAD 4047 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 上次购买 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 150kr30 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 300 v 1.33 V @ 471 A 35 ma @ 300 V -40°C 200°C 150a -
VS-50WQ06FNTRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50WQ06FNTRRHM3 0.9913
RFQ
ECAD 4965 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 50WQ06 肖特基 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS50WQ06FNTRRHM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 570 mv @ 5 a 3 ma @ 60 V -40°C〜150°C 5.5a 360pf @ 5V,1MHz
UES1302E3/TR Microchip Technology UES1302E3/tr 24.5400
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ECAD 3773 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 B,轴向 标准 B,轴向 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-ues1302e3/tr Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 925 mv @ 6 a 30 ns 5 µA @ 100 V 175°C 6a -
1N4307MJTX National Semiconductor 1N4307MJTX 28.8200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 国家半导体 * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 0000.00.0000 1
1N5395T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5395T/r 0.0400
RFQ
ECAD 35 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5395T/RTR 8541.10.0000 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
MURD560S-TP Micro Commercial Co Murd560S-TP 0.2461
RFQ
ECAD 6117 0.00000000 微商业公司 - 大部分 上次购买 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 Murd560 标准 DPAK((TO-252) 下载 353-MURD560S-TP Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 5 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55°C〜150°C 5a -
ESH1PDHE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PDHE3/85A -
RFQ
ECAD 9657 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-220aa ESH1 标准 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 900 mv @ 1 A 25 ns 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 1a 25pf @ 4V,1MHz
R42130 Microchip Technology R42130 102.2400
RFQ
ECAD 8780 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - 到达不受影响 150-R42130 1
SS22L RUG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L地毯 0.2625
RFQ
ECAD 1155 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab SS22 肖特基 SMA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 500 mv @ 2 a 400 µA @ 20 V -55°C〜150°C 2a -
F1T4G A1G Taiwan Semiconductor Corporation F1T4G A1G -
RFQ
ECAD 6628 0.00000000 台湾半导体公司 - (TB) 在sic中停产 通过洞 T-18,轴向 F1T4 标准 TS-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS05F30,L3F 0.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 2-SMD,没有铅 CBS05F30 肖特基 CST2B - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 50 µA @ 30 V 125°c (最大) 500mA 118pf @ 0v,1MHz
1N3162 Powerex Inc. 1N3162 -
RFQ
ECAD 7002 0.00000000 Powerex Inc. - 大部分 积极的 1N3162 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1
MBR2045CT-E1 Diodes Incorporated MBR2045CT-E1 -
RFQ
ECAD 6814 0.00000000 二极管合并 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 650 MV @ 10 A 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C
MBRT40020R GeneSiC Semiconductor MBRT40020R 118.4160
RFQ
ECAD 7892 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT40020 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBRT40020RGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 20 v 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
SF32G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF32G A0G -
RFQ
ECAD 5160 0.00000000 台湾半导体公司 - (TB) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 SF32 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 950 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C 3a 80pf @ 4V,1MHz
VS-15ETL06-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETL06-1-M3 0.5940
RFQ
ECAD 2783 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA 15ETL06 标准 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.05 V @ 15 A 270 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C 15a -
HER101BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER101BULK 0.2100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-HER101BULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V,1MHz
MBRL30300CT-BP Micro Commercial Co MBRL30300CT-BP 1.6679
RFQ
ECAD 1356 0.00000000 微商业公司 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBRL30300 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 353-MBRL30300CT-BP Ear99 8541.10.0070 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 30a 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 300 V -55°C〜150°C
S50305 Microchip Technology S50305 158.8200
RFQ
ECAD 6383 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - 到达不受影响 150-S50305 1
G3S06520H Global Power Technology Co. Ltd G3S06520H -
RFQ
ECAD 4715 0.00000000 全球电力技术有限公司 - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F - 供应商不确定 4436-G3S06520H 1 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 20 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 26a 1170pf @ 0v,1MHz
MUR3040 onsemi MUR3040 2.8500
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ECAD 17 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1
CMPD3003C TR PBFREE Central Semiconductor Corp cmpd3003c tr pbfree 0.6000
RFQ
ECAD 14 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CMPD3003 标准 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对普通阴极 180 v 200mA 1.15 V @ 300 mA 1 NA @ 125 V -65°C〜150°C
HN2D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D02FU,LF 0.4000
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ECAD 310 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 HN2D02 标准 US6 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 3独立 80 V 80mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125°c (最大)
S15GLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation S15GLW RVG 0.0867
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ECAD 4830 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123W S15G 标准 SOD-123W 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1.5 A 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 1.5a 10pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库