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整流器（（74344）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f
MBR30150CTL	0.6431	RFQ	9125	SMC二极管解决方案	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	MBR30150	肖特基	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	MBR30150CTLSMC	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	-	900 mv @ 15 A		1 ma @ 150 V	-55°C〜150°C
SFF1006G	1.0800	RFQ	1	台湾半导体公司	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	SFF1006	标准	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	400 v	10A（DC）	1.3 V @ 5 A	35 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C
VS-8CVH02-M3/i	0.8700	RFQ	350	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	8CVH02	标准	Slimdpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	4,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	4a	1.14 V @ 8 A	25 ns	4 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
1N5821G	-	RFQ	5313	Onmi	-	大部分	过时的	通过洞	do-201aa，do-27，轴向	1N5821	肖特基	轴向	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		500 mv @ 3 a		2 ma @ 30 V	-65°C〜125°C	3a	-
MBRF300200R	-	RFQ	5409	基因半导体	-	大部分	过时的	底盘安装	TO-244AB	MBRF3002	肖特基	TO-244AB	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	200 v	150a	920 MV @ 150 A		1 mA @ 200 V	-55°C〜150°C
SF36G B0G	-	RFQ	9267	台湾半导体公司	-	大部分	在sic中停产	通过洞	DO-201 AD，轴向	SF36	标准	Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.3 V @ 3 A	35 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
UG6005PTHC0G	-	RFQ	9386	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	通过洞	TO-247-3	UG6005	标准	TO-247AD（TO-3P）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	300 v	60a	1.25 V @ 30 A	25 ns	5 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C
JANTX1N6621	15.8700	RFQ	9222	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的	通过洞	a，轴向	1N6621	标准	a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		440 v		1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 NA @ 440 V	-65°C〜150°C	2a	10pf @ 10V，1MHz
VS-HFA06TB120S-M3	1.6400	RFQ	6	Vishay通用半导体 -二极管部门	hexfred®	管子	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HFA06	标准	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1200 v		3.9 V @ 12 A	80 ns	5 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	6a	-
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SF21-TP	-	RFQ	2927	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	通过洞	do-204ac，do-15，轴向	SF21	标准	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	4,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		950 mv @ 2 a	35 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜125°C	2a	60pf @ 4V，1MHz
MBR1060-LS	-	RFQ	4414	二极管合并	-	大部分	过时的	通过洞	TO-220-2	MBR1060	肖特基	TO-220AC	-				31-mbr1060-ls	过时的		1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		60 V		950 MV @ 10 A		100 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	10a	400pf @ 4V，1MHz
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ES2B/1	-	RFQ	2996	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	DO-214AA，SMB	ES2B	标准	DO-214AA（SMB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	750	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		900 mv @ 2 a	30 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	18pf @ 4V，1MHz
20ETF06FP	-	RFQ	1906年	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-2完整包	20ETF06	标准	TO-220AC Full Pack	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.3 V @ 20 A	160 ns	100 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	20a	-
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VS-RA160FA120	23.8300	RFQ	103	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	RA160	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	2独立	1200 v	91a	1.27 V @ 100 A		150 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C
1N5819 R1G	-	RFQ	1697年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5819	肖特基	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		600 mV @ 1 A		1 mA @ 40 V	-55°C〜125°C	1a	55pf @ 4V，1MHz
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SF2L6G	0.1101	RFQ	2458	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	通过洞	do-204ac，do-15，轴向	SF2L6	标准	DO-204AC（DO-15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.3 V @ 2 A	35 ns	1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	2a	20pf @ 4V，1MHz
MBRTA600150	-	RFQ	6296	基因半导体	-	大部分	过时的	底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	300A	880 mv @ 300 A		4 mA @ 150 V	-55°C〜150°C
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MBRTA80020L	-	RFQ	2991	基因半导体	-	大部分	过时的	底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	20 v	400a	580 mv @ 400 A		3 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
SB3100L_AY_00001	0.1296	RFQ	1656年	Panjit International Inc.	-	（CT）	积极的	通过洞	DO-201 AD，轴向	SB3100	肖特基	Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	80,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		740 mv @ 3 a		50 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	3a	-
CSFB204-G	0.1328	RFQ	3795	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	DO-214AA，SMB	CSFB204	标准	DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.25 V @ 2 A	35 ns	5 µA @ 400 V	150°C （最大）	2a	-
MBR320AFC_R1_00001	0.4300	RFQ	143	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-221ac，sma平面线索	MBR320	肖特基	smaf-c	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-MBR320AFC_R1_00001DKR	Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		900 mv @ 3 a		50 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	3a	85pf @ 4V，1MHz
NTSW60200CTG	-	RFQ	6880	Onmi	-	管子	过时的	通过洞	TO-247-3	NTSW60	肖特基	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	30a	1.9 V @ 30 A		100 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
MA4L11100A	-	RFQ	2451	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	-	MA4L1110	标准	无铅	-	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <<200ma（io），任何速度		80 V			3 ns		-	-	-
MBR1660	1.0000	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-220-2		肖特基	TO-220AC	下载					Ear99	8541.10.0080	302	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		60 V		750 MV @ 16 A		1 mA @ 60 V	-65°C〜150°C	16a	450pf @ 4V，1MHz
mur1660f-bp	0.4950	RFQ	2550	微商业公司	-	大部分	积极的	通过洞	TO-220-2隔离选项卡	Mur1660	标准	ITO-220AC	下载				353-MUR1660F-BP	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.5 V @ 16 A	50 ns	5 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	16a	65pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

整流器（（74344）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²