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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRF16150 | - | ![]() | 9984 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | 肖特基 | ITO-220AC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-MBRF16150 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 MV @ 16 A | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 16a | - | |||||
![]() | 1N5822U | 81.7600 | ![]() | 137 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N5822 | 肖特基 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 3 a | 100 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 3a | - | |||||
![]() | BZX84C33Q | 0.0280 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZX84C33QTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3739R | - | ![]() | 8222 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | - | - | 1N3739 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1N3739R-PX | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | - | - | - | - | ||||||||
![]() | RS3GHR7G | - | ![]() | 4872 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | RS3G | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||
C3D10170H | - | ![]() | 8881 | 0.00000000 | Wolfspeed,Inc。 | Z-Rec® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-2 | C3D10170 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1700 v | 2 V @ 10 A | 0 ns | 60 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | 14.4a | 827pf @ 0v,1MHz | ||||||
![]() | puup8j | 0.7400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | puup | 标准 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 8 A | 26 NS | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | 58pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | S5BB-HF | 0.1091 | ![]() | 4316 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | S5BB | 标准 | SMB/DO-214AA | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-S5BB-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 5 A | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | 40pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | NRVHP420MFDT3G | 0.4291 | ![]() | 5734 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101,SwitchMode™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NRVHP420 | 标准 | 8-dfn(5x6)(SO8FL偶) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 2a | 1.1 V @ 6 A | 30 ns | 500 na @ 200 V | -55°C 〜175°C | ||||
![]() | S3JHM3_A/h | 0.1873 | ![]() | 1462 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | S3J | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-S3JHM3_A/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.15 V @ 2.5 A | 2.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | 1N4148UR-1E3/tr | 1.5162 | ![]() | 7943 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 1N4148 | 标准 | do-213aa | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4148UR-1E3/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1.2 V @ 100 ma | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | 1N4148WQ-7-F | 0.2000 | ![]() | 180 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | 1N4148 | 标准 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 300mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | D850N40TXPSA1 | - | ![]() | 3433 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 夹紧 | DO-200AB,B-PUK | D850N | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4000 v | 1.28 V @ 850 A | 50 ma @ 4000 V | -40°C〜160°C | 850a | - | ||||||
![]() | PVRM05C | - | ![]() | 1008 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 大部分 | 积极的 | PVRM05 | - | Rohs符合条件 | 1261-PVRM05C | 4,000 | |||||||||||||||||||
JANTXV1N6624US/TR | 18.2700 | ![]() | 9116 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准 | D-5A | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6624US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 900 v | 1.55 V @ 1 A | 60 ns | 500 NA @ 150 V | -65°C〜150°C | 1a | 10pf @ 10V,1MHz | ||||||
![]() | BAT54V-7-2477 | - | ![]() | 8314 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 上次购买 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | 肖特基 | SOT-563 | - | 31-BAT54V-7-2477 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 30 V | 200mA | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -65°C〜125°C | |||||||||
![]() | R7010405XXUA | - | ![]() | 5973 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | DO-200AA,A-PUK | R7010405 | 标准,反极性 | DO-200AA,R62 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.2 V @ 1500 A | 15 µs | 50 ma @ 400 V | -65°C〜150°C | 550a | - | |||||
![]() | MBR12060CTR | 68.8455 | ![]() | 4537 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR12060 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1083 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 120A(DC) | 750 mv @ 60 a | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MBR29AFC_R1_00001 | 0.0690 | ![]() | 1384 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | MBR29 | 肖特基 | smaf-c | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 288,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 800 mv @ 2 a | 50 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 2a | 75pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | VS-50WQ03FNTRR-M3 | 0.3226 | ![]() | 2858 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 50WQ03 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS50WQ03FNTRRM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 460 mv @ 5 a | 3 ma @ 30 V | -40°C〜150°C | 5.5a | 590pf @ 5V,1MHz | ||||
JANTXV1N5622US/TR | 16.6650 | ![]() | 3989 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准 | D-5A | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5622U/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 1 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | ||||||
![]() | 1N248B | 74.5200 | ![]() | 8529 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | DO-5(do-203ab) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N248B | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.19 V @ 90 A | 5 µs | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 37a | - | ||||||
![]() | G5S12016BM | - | ![]() | 8991 | 0.00000000 | 全球电力技术有限公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | - | 供应商不确定 | 4436-G5S12016BM | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 27.9a(DC) | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||||
![]() | SF41G B0G | - | ![]() | 5910 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF41 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 4 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 4a | 100pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | V20KL45-m3/h | 0.8700 | ![]() | 8744 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak((5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 600 mv @ 20 a | 1 mA @ 45 V | -40°C〜150°C | 5.4a | 3400pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | MUR260GPL-AP | 0.1049 | ![]() | 3584 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | MUR260 | 标准 | do-15 | 下载 | 353-MUR260GPL-AP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.35 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 2a | - | ||||||
![]() | SFAF502G C0G | - | ![]() | 7797 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SFAF502 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 975 mv @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | 70pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | VS-HFA32PA120C-N3 | 10.0040 | ![]() | 4469 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | hexfred® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | HFA32 | 标准 | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSHFA32PA120CN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 16a | 3 V @ 16 A | 30 ns | 20 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | |||
ESJLW RVG | 0.5200 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | ESJLW | 标准 | SOD-123W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 800 mA | 35 ns | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 800mA | 19pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | SK108-TP | - | ![]() | 9071 | 0.00000000 | 微商业公司 | SK | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | SK108 | 肖特基 | DO-214AB(HSMC) | 下载 | rohs3符合条件 | 353-SK108-TP | 过时的 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 850 mv @ 10 A | 1 mA @ 80 V | -55°C〜125°C | 10a | 500pf @ 4V,1MHz |
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