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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | byg22dhm3_a/i | 0.2251 | ![]() | 6329 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | byg22 | 雪崩 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.1 V @ 2 A | 25 ns | 1 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||
![]() | MBR60030CTR | 129.3585 | ![]() | 3746 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR60030 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR60030CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 300A | 750 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | BYM12-100-E3/97 | 0.1487 | ![]() | 9229 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | BYM12 | 标准 | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 20pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | SS12P4CHM3/87A | - | ![]() | 5545 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | SS12P4 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 6a | 520 mv @ 6 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | |||||
![]() | LLSD101B-13 | - | ![]() | 4800 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-213aa | 肖特基 | 迷你梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | LLSD101B-13DI | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 950 mv @ 15 ma | 1 ns | 200 NA @ 40 V | -55°C〜125°C | 15mA | 2.1pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | MMDL770T1G | 0.2800 | ![]() | 112 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | MMDL770 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 10 mA | 200 na @ 35 V | -55°C〜150°C | - | 1pf @ 20V,1MHz | |||||
![]() | PMEG3010EGW-QX | 0.0647 | ![]() | 1400 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | 1727-PMEG3010EGW-QXTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 560 mv @ 1 a | 150 µA @ 30 V | 150°C | 1a | 55pf @ 1V,1MHz | ||||||||
![]() | Murs160 | 0.3500 | ![]() | 4890 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 14pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | JANTX1N6768 | - | ![]() | 2225 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-257-3 | 标准 | TO-257 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.06 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 40 V | - | 8a | 150pf @ 5V,1MHz | ||||||
1N5624GPHE3/54 | - | ![]() | 1765年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 1N5624 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1 V @ 3 A | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 3a | 40pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | SB130-B | - | ![]() | 2790 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 肖特基 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -65°C〜125°C | 1a | - | ||||||
![]() | SBR4040CTFP | - | ![]() | 5494 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SBR4040 | 超级障碍 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 20a | 530 mv @ 20 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | |||||
![]() | SK56CHM6G | - | ![]() | 9472 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | SK56 | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 750 MV @ 5 A | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||
![]() | SS1040HEWS_R1_00001 | 0.4800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | SS1040 | 肖特基 | SOD-323HE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 580 mv @ 1 a | 100 µA @ 40 V | -40°C〜150°C | 1a | - | |||||
![]() | 1N5821 | 0.1788 | ![]() | 7613 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 1N5821 | 肖特基 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 3a | 200pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | SDS120J010H3 | 5.0100 | ![]() | 5247 | 0.00000000 | Sanan半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2L | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 5023-SDS120J010H3 | Ear99 | 8541.10.0000 | 300 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.5 V @ 10 A | 0 ns | 30 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 36a | 780pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | DSB5818/tr | - | ![]() | 9598 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 肖特基,反极性 | do-41 | - | 到达不受影响 | 150-DSB5818/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 195 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 600 mV @ 1 A | 100 µA @ 30 V | - | 1a | - | |||||||
es1lgh | 0.0779 | ![]() | 9300 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | ES1L | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 18pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | JANTXV1N6843CCU3 | - | ![]() | 2902 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/681 | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 3-SMD,平坦的铅 | 肖特基 | U3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.27 V @ 30 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 15a | 275pf @ 5V,1MHz | ||||||
![]() | ISL9R460P2 | - | ![]() | 2859 | 0.00000000 | Onmi | Stealth™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | ISL9 | 标准 | TO-220-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.4 V @ 4 A | 22 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 4a | - | |||||
![]() | S1BH | 0.4400 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 1.5 µs | 1 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | FGP30CHE3/73 | - | ![]() | 1666年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | FGP30 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 3a | 70pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | BA159-E3/73 | 0.3300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | BA159 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜125°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | MUR8L60 | - | ![]() | 5913 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-MUR8L60 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 8 A | 65 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 8a | - | ||||
![]() | VS-MURB1020CTHM3 | 0.7613 | ![]() | 7274 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt® | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Murb1020 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 5a | 990 mv @ 5 a | 24 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | ||||
![]() | S4KW10C-5D | - | ![]() | 7177 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | S4KW10 | 标准 | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 10000 v | 10 V @ 6 A | 2 µs | 4 µA @ 10000 V | -55°C〜150°C | 6a | - | |||||
![]() | VS-VS38ESR16M | - | ![]() | 4178 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | VS38 | - | 112-VS-VS38ESR16M | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | SR810-AP | 0.1755 | ![]() | 3072 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SR810 | 肖特基 | Do-201 AD | 下载 | 353-SR810-AP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 850 mv @ 8 a | 500 µA @ 100 V | -55°C〜125°C | 8a | 165pf @ 4V,1MHz | |||||||
SK26 | 0.0648 | ![]() | 5283 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2796-SK26TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 2 a | 500 µA @ 60 V | -50°C〜150°C | 2a | - | |||||||
![]() | NTE6059 | 13.9900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203aa,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE6059 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 300 v | 1.25 V @ 20 mA | 2 ma @ 300 V | -65°C 〜190°C | 70a | - |
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