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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR29AFC_R1_00001 | 0.0690 | ![]() | 1384 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | MBR29 | 肖特基 | smaf-c | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 288,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 800 mv @ 2 a | 50 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 2a | 75pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | VS-50WQ03FNTRR-M3 | 0.3226 | ![]() | 2858 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 50WQ03 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS50WQ03FNTRRM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 460 mv @ 5 a | 3 ma @ 30 V | -40°C〜150°C | 5.5a | 590pf @ 5V,1MHz | ||||
JANTXV1N5622US/TR | 16.6650 | ![]() | 3989 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准 | D-5A | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5622U/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 1 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | ||||||
![]() | 1N248B | 74.5200 | ![]() | 8529 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | DO-5(do-203ab) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N248B | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.19 V @ 90 A | 5 µs | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 37a | - | ||||||
![]() | G5S12016BM | - | ![]() | 8991 | 0.00000000 | 全球电力技术有限公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | - | 供应商不确定 | 4436-G5S12016BM | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 27.9a(DC) | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||||
![]() | SF41G B0G | - | ![]() | 5910 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF41 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 4 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 4a | 100pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | V20KL45-m3/h | 0.8700 | ![]() | 8744 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak((5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 600 mv @ 20 a | 1 mA @ 45 V | -40°C〜150°C | 5.4a | 3400pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | MUR260GPL-AP | 0.1049 | ![]() | 3584 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | MUR260 | 标准 | do-15 | 下载 | 353-MUR260GPL-AP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.35 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 2a | - | ||||||
![]() | SFAF502G C0G | - | ![]() | 7797 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SFAF502 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 975 mv @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | 70pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | VS-HFA32PA120C-N3 | 10.0040 | ![]() | 4469 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | hexfred® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | HFA32 | 标准 | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSHFA32PA120CN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 16a | 3 V @ 16 A | 30 ns | 20 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | |||
ESJLW RVG | 0.5200 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | ESJLW | 标准 | SOD-123W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 800 mA | 35 ns | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 800mA | 19pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | SK108-TP | - | ![]() | 9071 | 0.00000000 | 微商业公司 | SK | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | SK108 | 肖特基 | DO-214AB(HSMC) | 下载 | rohs3符合条件 | 353-SK108-TP | 过时的 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 850 mv @ 10 A | 1 mA @ 80 V | -55°C〜125°C | 10a | 500pf @ 4V,1MHz | |||||||
![]() | BAV99/8,235 | 1.0000 | ![]() | 8888 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV99 | 标准 | SOT-23 | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 100 v | 215ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | ||||||
BAS70H-QX | 0.0595 | ![]() | 7546 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1727-BAS70H-QXTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 10 µA @ 70 V | 150°C | 70mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||
![]() | FR306-TP | - | ![]() | 2649 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | FR306 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | 65pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | MBR20150SCTF-E1 | - | ![]() | 2135 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 肖特基 | TO-220F-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 50 µA @ 150 V | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | BZT52B30平方英尺 | 0.0280 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZT52B30SQTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | RS2AHE3/5BT | - | ![]() | 8494 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | RS2 | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 20pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | VT6045CHM3/4W | - | ![]() | 3452 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | VT6045 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VT6045CHM34W | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 30a | 640 mv @ 30 a | 3 ma @ 45 V | -40°C〜150°C | ||||
![]() | PMEG6010CPA115 | - | ![]() | 6045 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PMEG6010 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | UPS140E3/TR13 | 0.4950 | ![]() | 1977年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-216aa | UPS140 | 肖特基 | Powermite | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 450 MV @ 1 A | 400 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||
![]() | MP740-E3/54 | - | ![]() | 6648 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | MP740 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | - | 1a | - | |||||||
![]() | D16-4150E3/tu | - | ![]() | 6891 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 16 浸(0.300英寸,7.62mm) | 标准 | 16二滴 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 8独立 | 75 v | - | 1 V @ 200 MA | 4 ns | 100 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||||||
SB560A-E3/54 | 0.6300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SB560 | 肖特基 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 5 a | 500 µA @ 60 V | -65°C〜150°C | 5a | - | ||||||
![]() | V8P22C-M3/i | 0.2970 | ![]() | 7508 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | 到达不受影响 | 112-V8P22C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 3.1a | 900 mv @ 4 a | 80 µA @ 200 V | -40°C〜175°C | |||||||
![]() | V10K202DUHM3/i | 0.5118 | ![]() | 4057 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak 5x6 (双) | 下载 | 到达不受影响 | 112-V10K202DUHM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 100 v | 1.9a | 890 mv @ 5 a | 15 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||
![]() | MURB1020CT-TP | - | ![]() | 5906 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Murb1020 | D2PAK | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 353-Murb1020CT-TPTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | |||||||||||||
![]() | V10K202CHM3/h | 0.7374 | ![]() | 4939 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak((5x6) | 下载 | 到达不受影响 | 112-V10K202CHM3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 2.8a | 870 mv @ 5 a | 15 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | |||||||
![]() | HER101T/r。 | 0.0500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-HER101T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | 1N5402T-G | 0.1260 | ![]() | 3654 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 1N5402 | 标准 | DO-27(do-201AD) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 200 V | -65°C〜125°C | 3a | - |
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