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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | V2P6LHM3/i | 0.0875 | ![]() | 1827年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-220aa | V2P6 | 肖特基 | DO-220AA(SMP) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-V2P6LHM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 600 mv @ 2 a | 480 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 2a | 255pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | BZX84C3V9Q | 0.0280 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZX84C3V9QTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | SK510SMA | 0.2325 | ![]() | 7472 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2796-SK510SMATR | 8541.10.0000 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 100 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 5a | - | ||||
![]() | PMEG3050BEP-QX | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | 肖特基 | SOD-128/CFP5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 450 mv @ 5 a | 250 µA @ 30 V | 150°C | 5a | 800pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | S5D-AU_R1_000A1 | - | ![]() | 7366 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | S5D | 标准 | SMC(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-S5D-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 5 A | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 5a | 80pf @ 4V,1MHz | ||
JANS1N5551US/TR | 106.5450 | ![]() | 5649 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/420 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 标准 | B,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5551US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.2 V @ 9 A | 2 µs | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||
![]() | SK34-TP-HF | - | ![]() | 9952 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | SK34 | 肖特基 | SMC(do-214ab) | 下载 | 353-SK34-TP-HF | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 3 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | 250pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | WNSC201200WQ | 9.3555 | ![]() | 8594 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-2 | WNSC2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.6 V @ 20 A | 0 ns | 220 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | 20a | 1020pf @ 1V,1MHz | |||
![]() | BAT54VV,115 | - | ![]() | 5705 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | BAT54 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BAT54VV,115-954 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | VS-78-4581 | - | ![]() | 4864 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | 78-4581 | - | 112-VS-78-4581 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S28 | 0.0300 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-S28Tr | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | EGL41A-E3/97 | 0.1417 | ![]() | 3380 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | EGL41 | 标准 | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 20pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | 1N5418/tr | 7.3050 | ![]() | 4441 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 标准 | B,平方米 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5418/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||
![]() | FFSP4065BDN-F085 | 10.8800 | ![]() | 7296 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | FFSP4065 | SIC (碳化硅) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 20a | 866pf @ 1V,100kHz | ||
![]() | P3D06002T2 | 2.1000 | ![]() | 5217 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06002T2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 10 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | ||||||||
![]() | HBL2080RP | 2.0000 | ![]() | 9251 | 0.00000000 | Onmi | * | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 1N4594R | 102.2400 | ![]() | 9345 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N4594R | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 200 A | 50 µA @ 1000 V | -65°C 〜200°C | 150a | - | |||||
![]() | JANS1N5969CUS/TR | - | ![]() | 6387 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | E,轴向 | E,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5969CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 1 mA @ 4.74 V | ||||||||||
![]() | TPMR6G | 0.2682 | ![]() | 2527 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | TPMR6 | 标准 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TPMR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.2 V @ 6 A | 60 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 6a | 60pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | 1N486B | 1.0000 | ![]() | 1948年 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 250 v | 1 V @ 100 ma | 50 NA @ 225 V | 175°C | 200mA | - | ||||
![]() | NRVBS3200NT3G | 0.5900 | ![]() | 6794 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | NRVBS3200 | 肖特基 | SMB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 840 mv @ 3 a | 1 mA @ 200 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||
![]() | MURS540A-BP | 0.2788 | ![]() | 3237 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | MURS540 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 353-MURS540A-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 5 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 5a | 35pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | HS24040 | - | ![]() | 5871 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 半粉 | 肖特基 | 半粉 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 MV @ 240 A | 12 ma @ 40 V | 240a | 10500pf @ 5V,1MHz | ||||||
![]() | SSP8H100SH | 0.6600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 920 MV @ 8 A | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 8a | 204pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | 1N3595ur-1/tr | 5.9717 | ![]() | 8569 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N3595UR-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 125 v | 1 V @ 200 MA | 3 µs | 1 NA @ 125 V | -65°C〜175°C | 150mA | - | |||
![]() | MUR860 | 0.3960 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 管子 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MUR860 | Ear99 | 1,000 | ||||||||||||||||
![]() | GS1001FL-AU_R1_000A1 | - | ![]() | 9129 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 汽车,AEC-Q101,GS1000FL-AU | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SOD-123F | GS1001 | 标准 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-GS1001FL-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 1 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 1a | 4pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | PX8560EDSGR2ER1230AXUMA1 | - | ![]() | 5409 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX8560ED | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||
GS2004HE_R1_00001 | 0.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123H | GS2004 | 标准 | SOD-123HE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-GS2004HE_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 2 A | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 2a | 12pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | SFAF1006GH | - | ![]() | 8985 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | 标准 | ITO-220AC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-SFAF1006GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 10a | 140pf @ 4V,1MHz |
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