SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
VS-30APF02-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30APF02-M3 3.4444
RFQ
ECAD 5730 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 30APF02 肖特基 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30APF02M3 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 790 mv @ 3 a 500 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 3a 115pf @ 5V,1MHz
VS-30APF04-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30APF04-M3 3.4444
RFQ
ECAD 5503 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 30APF04 标准 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30APF04M3 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.41 V @ 30 A 60 ns 100 µA @ 400 V -40°C〜150°C 30a -
VS-30APF04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30APF04PBF -
RFQ
ECAD 6523 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 30APF04 肖特基 TO-247AC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30APF04PBF Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.41 V @ 30 A 100 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 30a -
VS-30APF10PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30APF10PBF -
RFQ
ECAD 7098 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 30APF10 标准 TO-247AC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30APF10PBF Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.41 V @ 30 A 95 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 30a -
VS-30EPF04-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30EPF04-M3 3.4444
RFQ
ECAD 3719 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 30epf04 标准 TO-247AC修改了 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30EPF04M3 Ear99 8541.10.0080 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.41 V @ 30 A 100 µA @ 400 V -40°C〜150°C 30a -
VS-30EPH06HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30EPH06HN3 4.1648
RFQ
ECAD 3144 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 30EPH06 标准 TO-247AC修改了 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30EPH06HN3 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.6 V @ 30 A 31 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 30a -
VSSB310-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSB310-M3/52T 0.4600
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SB310 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 700 mv @ 3 a 250 µA @ 100 V -40°C〜150°C 1.9a 230pf @ 4V,1MHz
VSSB3L6S-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSB3L6S-M3/52T 0.1762
RFQ
ECAD 7023 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SB3L6 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSSB3L6SM352T Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 590 mv @ 3 a 1.2 ma @ 60 V -55°C〜150°C 2.6a 358pf @ 4V,1MHz
VS-30ETH06FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30ETH06FP-N3 3.0467
RFQ
ECAD 7026 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 30eth06 标准 TO-220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30ETH06FPN3 Ear99 8541.10.0080 1,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 2.6 V @ 30 A 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 30a -
VS-30WQ10FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ10FN-M3 0.6700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 30WQ10 肖特基 TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30WQ10FNM3 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 810 MV @ 3 A 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C 3.5a 92pf @ 5V,1MHz
VS-40EPF10-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40EPF10-M3 4.3899
RFQ
ECAD 5808 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 40epf10 标准 TO-247AC修改了 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS40EPF10M3 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.4 V @ 40 A 450 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 40a -
VS-5EWH06FNHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-5EWH06FNHM3 0.6468
RFQ
ECAD 1377年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 5EWH06 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS5EWH06FNHM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.85 V @ 5 A 25 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 5a -
VS-5EWH06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-5EWH06FN-M3 0.8800
RFQ
ECAD 6922 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 5EWH06 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS5EWH06FNM3 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.85 V @ 5 A 25 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 5a -
VS-60APF12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APF12PBF -
RFQ
ECAD 4620 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 60APF12 标准 TO-247AC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS60APF12PBF Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.4 V @ 60 A 480 ns 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 60a -
VS-60APU06-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APU06-N3 2.5000
RFQ
ECAD 96 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 60APU06 标准 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS60APU06N3 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.68 V @ 60 A 81 ns 50 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 60a -
VS-60EPS16PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60EPS16PBF -
RFQ
ECAD 9697 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 60eps16 标准 TO-247AC修改了 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS60EPS16PBF Ear99 8541.10.0080 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1 V @ 30 A 100 µA @ 1600 V -40°C〜150°C 60a -
VS-60EPU02-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60EP02-N3 7.0300
RFQ
ECAD 373 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 60epu02 标准 TO-247AC修改了 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.08 V @ 60 A 28 ns 50 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 60a -
VS-60EPU04-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60EPU04-N3 7.1600
RFQ
ECAD 265 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 60epu04 标准 TO-247AC修改了 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS60EPU04N3 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 60 A 85 ns 50 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 60a -
VS-6EWH06FNHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6EWH06FNHM3 1.0025
RFQ
ECAD 3246 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 6EWH06 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS6EWH06FNHM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.1 V @ 6 A 27 NS 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 6a -
VS-6TQ040SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6TQ040SPBF -
RFQ
ECAD 6359 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 6TQ040 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS6TQ040SPBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 600 mv @ 6 a 800 µA @ 40 V -55°C 〜175°C 6a 400pf @ 5V,1MHz
VS-80APF04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80APF04PBF -
RFQ
ECAD 7952 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 80APF04 标准 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS80APF04PBF Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 80 A 190 ns 100 µA @ 400 V -40°C〜150°C 80a -
VS-80APF10-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80APF10-M3 11.7200
RFQ
ECAD 7817 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 80APF10 标准 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.35 V @ 80 A 480 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 80a -
VS-80APF10PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80APF10PBF -
RFQ
ECAD 2138 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 80APF10 标准 TO-247AC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS80APF10PBF Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.35 V @ 80 A 480 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 80a -
VS-80EBU02HF4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80EBU02HF4 4.6084
RFQ
ECAD 2231 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 管子 积极的 底盘安装 PowerTab® 80EBU02 标准 PowerTab® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS80EBU02HF4 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 80 A 40 ns 50 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 80a -
VS-80EBU04HF4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80EBU04HF4 6.3100
RFQ
ECAD 215 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 管子 积极的 底盘安装 PowerTab® 80EBU04 标准 PowerTab® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 80 A 87 ns 50 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 80a -
VS-8ETH06FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH06FP-N3 2.1400
RFQ
ECAD 988 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 8ETH06 标准 TO-220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.4 V @ 8 A 25 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 8a -
VS-8ETH06-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH06-N3 -
RFQ
ECAD 5820 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 8ETH06 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS8ETH06N3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.4 V @ 8 A 25 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 8a -
VS-8ETL06FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETL06FP-N3 1.0959
RFQ
ECAD 5180 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 8etl06 标准 TO-220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS8ETL06FPN3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.4 V @ 8 A 25 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 8a -
VS-8ETX06FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETX06FP-N3 1.7900
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 8etx06 标准 TO-220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 3 V @ 8 A 17 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 8a -
VS-8EWF12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF12S-M3 3.3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 8EWF12 标准 TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS8EWF12SM3 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.3 V @ 8 A 270 ns 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 8a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库