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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VF30100S-M3/4W | 0.7118 | ![]() | 7242 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | VF30100 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 910 MV @ 30 A | 1 mA @ 100 V | -40°C〜150°C | 30a | - | |||
![]() | 1N4007-F | 0.0220 | ![]() | 1407 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2516-1N4007-FTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1 V @ 1 A | 200 na @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | 1N1201 | 1.9500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N1201 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 150 v | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 150 V | -65°C 〜200°C | 12a | - | |||
VS-400U80D | 68.6900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 400U80 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.62 V @ 1500 A | 15 ma @ 800 V | -40°C 200°C | 400a | - | ||||
![]() | SE30DT12-M3/i | 2.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) | SE30DT12 | 标准 | SMPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.29 V @ 30 A | 3.4 µs | 10 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 30a | 132pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | MBR835 | - | ![]() | 1309 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 肖特基 | 轴向 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 35 v | 550 mv @ 8 a | 1 mA @ 35 V | -65°C〜125°C | 8a | - | ||||
JANS1N6621US/TR | 135.6150 | ![]() | 3948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准 | a,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6621US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.6 V @ 2 A | 45 ns | -65°C〜150°C | 1.2a | - | |||||
RS1KFSH | 0.0603 | ![]() | 9891 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RS1K | 标准 | SOD-128 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 7pf @ 4V,1MHz | |||
JANTXV1N5616US/TR | 10.1400 | ![]() | 6815 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/429 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准 | D-5A | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5616US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | ||||
![]() | S110 | 0.0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-S110TR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||
UTR32 | 9.2550 | ![]() | 4532 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 标准 | a,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-UTR32 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.1 V @ 1 A | 300 ns | 3 µA @ 300 V | -65°C〜175°C | 2a | 70pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | AU1PG-M3/84A | 0.4600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-220aa | Au1 | 雪崩 | DO-220AA(SMP) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 1 A | 75 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 1a | 11pf @ 4V,1MHz | ||
VS-SD200R24PC | 72.7088 | ![]() | 6665 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ac,do-30,螺柱 | SD200 | 标准 | DO-205AC(DO-30) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2400 v | 1.4 V @ 630 A | 15 ma @ 2400 V | -40°C〜150°C | 200a | - | ||||
![]() | 1N3899 | 48.5400 | ![]() | 2704 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3899 | 标准 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.4 V @ 63 A | 200 ns | 50 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 20a | 150pf @ 10V,1MHz | |||
![]() | VS-E5TX3012S2LHM3 | 3.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 3.3 V @ 30 A | 80 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 30a | - | |||
1N5711-1/tr | 7.0800 | ![]() | 9291 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 肖特基 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5711-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65°C〜150°C | 33ma | 2pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | RS2G-M3/52T | 0.1142 | ![]() | 5664 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | RS2G | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 20pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | MURS340 | 0.2440 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MURS340TR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||
1N4153/tr | 1.2600 | ![]() | 2702 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准,反极性 | DO-35(do-204AH) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N4153/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 747 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 880 mv @ 20 ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | -65°C 〜200°C | 150mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | SDT5H100P5-13 | 0.1450 | ![]() | 5643 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | PowerDi™5 | SDT5H100 | 肖特基 | PowerDi™5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 620 MV @ 5 A | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||
GB25MPS17-247 | - | ![]() | 1657年 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-2 | GB25MPS17 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-1344 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1700 v | 1.8 V @ 25 A | 0 ns | 10 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | 52a | 2350pf @ 1V,1MHz | ||
![]() | DSB3A30 | - | ![]() | 6034 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | DSB3A30 | 肖特基 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 3 a | 100 µA @ 30 V | -65°C〜125°C | 3a | - | ||||
![]() | SFA1008G | - | ![]() | 2654 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-SFA1008G | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 10a | 50pf @ 4V,1MHz | ||
SS315LW RVG | 0.4900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | SS315 | 肖特基 | SOD-123W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 3 a | 10 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||
![]() | SS36-7001HE3_A/i | - | ![]() | 7318 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | SS36 | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 750 mv @ 3 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||
VS-150UR100D | 32.5700 | ![]() | 3951 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 150UR100 | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.47 V @ 600 A | 15 ma @ 1000 V | -40°C〜180°C | 150a | - | ||||
![]() | BZT52B22SQ | 0.0280 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZT52B22SQTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | SET010211 | - | ![]() | 3235 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | 底盘,螺柱坐骑 | 模块 | set01 | 标准 | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 1.1 V @ 9 A | 30 ns | 10 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 15a | - | |||
![]() | RS1FLM-M3/h | 0.3400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | 标准 | DO-219AB(SMF) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.2 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | 7pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | 1N2248A | 44.1600 | ![]() | 1623年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2248A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 100 V | -65°C 〜200°C | 22a | - |
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