RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

单二极管（（57622）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f
SS22Q	0.0620	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的						-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-SS22QTR	Ear99		3,000
BAS116Q-13-F	0.0337	RFQ	1806年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS116	标准	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-BAS116Q-13-FTR	Ear99	8541.10.0070	10,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	85 v	1.25 V @ 150 mA	3 µs	5 na @ 75 V	-65°C〜150°C	215ma	2pf @ 0v，1MHz
RB168VYM100FHTR	0.4300	RFQ	14	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	2-SMD，平坦的铅	RB168	肖特基	tumd2m	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	840 mv @ 1 a	6.7 ns	300 NA @ 100 V	150°C （最大）	1a	-
PD3S220LQ-7	0.1938	RFQ	6150	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	PowerDi™323	PD3S220	肖特基	PowerDi™323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	490 mv @ 2 a		160 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	2a	46pf @ 10V，1MHz
SBRT3U40P1-7-52	0.0824	RFQ	9607	二极管合并	-	大部分	积极的	表面安装	PowerDi®123	SBRT3	超级障碍	PowerDi™123	下载				31-SBRT3U40P1-7-52	Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	40 V	490 mv @ 3 a		180 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	3a	-
DZ1100N22KHPSA2	501.5500	RFQ	8603	Infineon技术	-	托盘	积极的	底盘安装	模块	DZ1100	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	2200 v	1.11 V @ 3000 A		80 ma @ 2200 V	-40°C〜150°C	1100a	-
75HQ045	9.6670	RFQ	50	固态公司	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基	do-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2383-75HQ045	Ear99	8541.10.0080	10	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	710 MV @ 75 A		5 ma @ 45 V	-65°C〜175°C	75a	2600pf @ 5V，1MHz
VF30100S-M3/4W	0.7118	RFQ	7242	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	VF30100	肖特基	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	910 MV @ 30 A		1 mA @ 100 V	-40°C〜150°C	30a	-
1N4007-F	0.0220	RFQ	1407	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-1N4007-FTR	Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1 V @ 1 A		200 na @ 1000 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
1N1201	1.9500	RFQ	50	固态公司	-	盒子	积极的	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	do-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2383-1N1201	Ear99	8541.10.0080	10	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	150 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	12a	-
VS-400U80D	68.6900	RFQ	16	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	400U80	标准	DO-205AB（DO-9）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.62 V @ 1500 A		15 ma @ 800 V	-40°C 200°C	400a	-
SE30DT12-M3/i	2.0700	RFQ	1	Vishay通用半导体 -二极管部门	ESMP®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + TAB）	SE30DT12	标准	SMPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1200 v	1.29 V @ 30 A	3.4 µs	10 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	30a	132pf @ 4V，1MHz
MBR835	-	RFQ	1309	Onmi	-	大部分	过时的	通过洞	do-201aa，do-27，轴向		肖特基	轴向	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	35 v	550 mv @ 8 a		1 mA @ 35 V	-65°C〜125°C	8a	-
JANS1N6621US/TR	135.6150	RFQ	3948	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	SQ-MELF，a		标准	a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6621US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.6 V @ 2 A	45 ns		-65°C〜150°C	1.2a	-
RS1KFSH	0.0603	RFQ	9891	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	SOD-128	RS1K	标准	SOD-128	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	14,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	7pf @ 4V，1MHz
JANTXV1N5616US/TR	10.1400	RFQ	6815	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	SQ-MELF，a		标准	D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5616US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 400 V	-65°C 〜200°C	1a	-
S110	0.0200	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的						-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-S110TR	Ear99		3,000
UTR32	9.2550	RFQ	4532	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	a，轴向		标准	a，轴向	-			到达不受影响	150-UTR32	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.1 V @ 1 A	300 ns	3 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	2a	70pf @ 0v，1MHz
AU1PG-M3/84A	0.4600	RFQ	9	Vishay通用半导体 -二极管部门	ESMP®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	do-220aa	Au1	雪崩	DO-220AA（SMP）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.5 V @ 1 A	75 ns	1 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	1a	11pf @ 4V，1MHz
VS-SD200R24PC	72.7088	RFQ	6665	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-205ac，do-30，螺柱	SD200	标准	DO-205AC（DO-30）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	25	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	2400 v	1.4 V @ 630 A		15 ma @ 2400 V	-40°C〜150°C	200a	-
1N3899	48.5400	RFQ	2704	微芯片技术	-	大部分	积极的	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3899	标准	DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	20a	150pf @ 10V，1MHz
VS-E5TX3012S2LHM3	3.0000	RFQ	50	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1200 v	3.3 V @ 30 A	80 ns	50 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	30a	-
1N5711-1/tr	7.0800	RFQ	9291	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5711-1/tr	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	70 v	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C	33ma	2pf @ 0v，1MHz
RS2G-M3/52T	0.1142	RFQ	5664	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	DO-214AA，SMB	RS2G	标准	DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	750	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.3 V @ 1.5 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1.5a	20pf @ 4V，1MHz
MURS340	0.2440	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的						-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MURS340TR	Ear99		3,000
1N4153/tr	1.2600	RFQ	2702	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准，反极性	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4153/tr	Ear99	8541.10.0070	747	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	880 mv @ 20 ma	4 ns	50 na @ 50 V	-65°C 〜200°C	150mA	2pf @ 0v，1MHz
SDT5H100P5-13	0.1450	RFQ	5643	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	PowerDi™5	SDT5H100	肖特基	PowerDi™5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	620 MV @ 5 A		100 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	5a	-
GB25MPS17-247	-	RFQ	1657年	基因半导体	SIC SC Hottky MPS™	管子	过时的	通过洞	TO-247-2	GB25MPS17	SIC （碳化硅）	TO-247-2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1242-1344	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）	1700 v	1.8 V @ 25 A	0 ns	10 µA @ 1700 V	-55°C 〜175°C	52a	2350pf @ 1V，1MHz
DSB3A30	-	RFQ	6034	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB3A30	肖特基		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	500 mv @ 3 a		100 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	3a	-
SFA1008G	-	RFQ	2654	台湾半导体公司	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-2		标准	TO-220AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-SFA1008G	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.7 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	10a	50pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单二极管（（57622）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²