电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYT52M-TAP | 0.7400 | ![]() | 1022 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | BYT52 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | 1.4a | - | |
![]() | BYT53A-TAP | 0.2673 | ![]() | 5834 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | BYT53 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C 〜175°C | 1.9a | - | |
![]() | BYT53D-TAP | 0.2970 | ![]() | 6069 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | BYT53 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 1.9a | - | |
![]() | BYT54A-TAP | 0.2574 | ![]() | 4862 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | BYT54 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.5 V @ 1 A | 100 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C 〜175°C | 1.25a | - | |
![]() | BYT54G-TAP | 0.2772 | ![]() | 7184 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | BYT54 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 1 A | 100 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 1.25a | - | |
![]() | BYT54K-TAP | 0.2970 | ![]() | 4924 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | BYT54 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.5 V @ 1 A | 100 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 1.25a | - | |
![]() | BYT54M-TAP | 0.7400 | ![]() | 2519 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | BYT54 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.5 V @ 1 A | 100 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | 1.25a | - | |
![]() | BYT56A-TAP | 0.4950 | ![]() | 5636 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | BYT56 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.4 V @ 3 A | 100 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C 〜175°C | 3a | - | |
![]() | BYT56M-TAP | 1.1500 | ![]() | 477 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | BYT56 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.4 V @ 3 A | 100 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | 3a | - | |
![]() | BYT77-TAP | 0.5247 | ![]() | 3141 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | BYT77 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.2 V @ 3 A | 250 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 3a | - | |
![]() | BYV27-050-TAP | 0.2970 | ![]() | 8446 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | Byv27 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 55 v | 1.07 V @ 3 A | 25 ns | 1 µA @ 55 V | -55°C 〜175°C | 2a | - | |
![]() | BYV27-600-TAP | 0.8300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | Byv27 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.35 V @ 3 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 2a | - | |
![]() | BYV37-TAP | 0.2574 | ![]() | 9932 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | Byv37 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.1 V @ 1 A | 300 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 2a | - | |
![]() | BYV98-100-TAP | 0.5643 | ![]() | 6267 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | Byv98 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.1 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 4a | - | |
![]() | BYV98-200-TAP | 0.5940 | ![]() | 2948 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | Byv98 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.1 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 4a | - | |
![]() | BYW172G-TAP | 0.5742 | ![]() | 3863 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | BYW172 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 9 A | 100 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 3a | - | |
![]() | BYW178-TAP | 0.5940 | ![]() | 3250 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | BYW178 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.9 V @ 3 A | 60 ns | 1 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 3a | - | |
![]() | BYW72-TAP | 1.0900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | BYW72 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.1 V @ 3 A | 200 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 3a | - | |
![]() | BYW73-TAP | 0.5247 | ![]() | 4315 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | BYW73 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.1 V @ 3 A | 200 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C 〜175°C | 3a | - | |
![]() | BYW74TAP | 0.5346 | ![]() | 3167 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | BYW74 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.1 V @ 3 A | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 3a | - | |
![]() | BYW75TAP | 0.5445 | ![]() | 7930 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | BYW75 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.1 V @ 3 A | 200 ns | 5 µA @ 500 V | -55°C 〜175°C | 3a | - | |
![]() | byw83tap | 0.5247 | ![]() | 6020 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | Byw83 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1 V @ 3 A | 7.5 µs | 1 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | |
![]() | BYW85-TAP | 0.5445 | ![]() | 8050 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | BYW85 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1 V @ 3 A | 7.5 µs | 1 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | |
![]() | byx82Tap | 0.2475 | ![]() | 1668年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | byx82 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 4 µs | 1 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 2a | 20pf @ 4V,1MHz | |
![]() | 1N4005GP-M3/73 | - | ![]() | 6730 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4005 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | -50°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | 1N4006-E3/53 | - | ![]() | 2212 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4006 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | 1N4006GP-M3/73 | - | ![]() | 5017 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4006 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | 1N4007GP-E3/53 | - | ![]() | 3639 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4007 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |
![]() | 1N4007GPE-E3/53 | - | ![]() | 2106 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4007 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |
![]() | 1N4007GPEHE3/53 | - | ![]() | 2749 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4007 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库