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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
BYT52M-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT52M-TAP 0.7400
RFQ
ECAD 1022 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT52 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 1.4a -
BYT53A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT53A-TAP 0.2673
RFQ
ECAD 5834 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT53 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -55°C 〜175°C 1.9a -
BYT53D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT53D-TAP 0.2970
RFQ
ECAD 6069 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT53 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 1.9a -
BYT54A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT54A-TAP 0.2574
RFQ
ECAD 4862 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT54 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.5 V @ 1 A 100 ns 5 µA @ 50 V -55°C 〜175°C 1.25a -
BYT54G-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT54G-TAP 0.2772
RFQ
ECAD 7184 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT54 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.5 V @ 1 A 100 ns 5 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 1.25a -
BYT54K-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT54K-TAP 0.2970
RFQ
ECAD 4924 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT54 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.5 V @ 1 A 100 ns 5 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 1.25a -
BYT54M-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT54M-TAP 0.7400
RFQ
ECAD 2519 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT54 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.5 V @ 1 A 100 ns 5 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 1.25a -
BYT56A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT56A-TAP 0.4950
RFQ
ECAD 5636 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYT56 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.4 V @ 3 A 100 ns 5 µA @ 50 V -55°C 〜175°C 3a -
BYT56M-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT56M-TAP 1.1500
RFQ
ECAD 477 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYT56 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.4 V @ 3 A 100 ns 5 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 3a -
BYT77-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT77-TAP 0.5247
RFQ
ECAD 3141 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYT77 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.2 V @ 3 A 250 ns 5 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 3a -
BYV27-050-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV27-050-TAP 0.2970
RFQ
ECAD 8446 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv27 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 55 v 1.07 V @ 3 A 25 ns 1 µA @ 55 V -55°C 〜175°C 2a -
BYV27-600-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV27-600-TAP 0.8300
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv27 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.35 V @ 3 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 2a -
BYV37-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV37-TAP 0.2574
RFQ
ECAD 9932 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv37 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.1 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 2a -
BYV98-100-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV98-100-TAP 0.5643
RFQ
ECAD 6267 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv98 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.1 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 4a -
BYV98-200-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV98-200-TAP 0.5940
RFQ
ECAD 2948 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv98 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 4a -
BYW172G-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW172G-TAP 0.5742
RFQ
ECAD 3863 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW172 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.5 V @ 9 A 100 ns 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW178-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW178-TAP 0.5940
RFQ
ECAD 3250 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW178 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.9 V @ 3 A 60 ns 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW72-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW72-TAP 1.0900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW72 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 3 A 200 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW73-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW73-TAP 0.5247
RFQ
ECAD 4315 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW73 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.1 V @ 3 A 200 ns 5 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW74TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW74TAP 0.5346
RFQ
ECAD 3167 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW74 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.1 V @ 3 A 200 ns 5 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW75TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW75TAP 0.5445
RFQ
ECAD 7930 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW75 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.1 V @ 3 A 200 ns 5 µA @ 500 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW83TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw83tap 0.5247
RFQ
ECAD 6020 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byw83 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BYW85-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW85-TAP 0.5445
RFQ
ECAD 8050 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW85 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BYX82TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byx82Tap 0.2475
RFQ
ECAD 1668年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 byx82 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 2a 20pf @ 4V,1MHz
1N4005GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4005GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 6730 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4005 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 600 V -50°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4006-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006-E3/53 -
RFQ
ECAD 2212 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4006 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 800 V -50°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4006GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 5017 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4006 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 800 V -50°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4007GP-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GP-E3/53 -
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPE-E3/53 -
RFQ
ECAD 2106 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPEHE3/53 -
RFQ
ECAD 2749 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库