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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SE100PWTGHM3/i | 1.0100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 标准 | Slimdpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.14 V @ 10 A | 2.6 µs | 20 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 2.7a | 78pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | Jan1n5418/tr | 6.0900 | ![]() | 8678 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 标准 | B,轴向 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5418/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||
![]() | SR22W_R1_00001 | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | SR22 | 肖特基 | SMA(do-214ac) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 2a | - | |||
![]() | ES3BHM6G | - | ![]() | 4194 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | ES3B | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | RHRP860-R4647 | - | ![]() | 8543 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 供应商不确定 | 2156-RHRP860-R4647-600039 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | sft11g a1g | - | ![]() | 9783 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 在sic中停产 | 通过洞 | T-18,轴向 | SFT11 | 标准 | TS-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | SF18GL-BP | 0.0945 | ![]() | 3479 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | SF18 | 标准 | do-41 | 下载 | 353-SF18GL-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | Murf1560 | - | ![]() | 1219 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | 标准 | ITO-220AC | - | (1 (无限) | 到达受影响 | 1655-MURF1560 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 15 A | 50 ns | 25 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 15a | - | |||
![]() | 1N5404 | 1.2520 | ![]() | 1 | 0.00000000 | MDD | do-27 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | DO-27(do-201AD) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | - | 400 v | 1.2 V @ 3 A | -65°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | gr2ka | 0.0360 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-gr2katr | Ear99 | 5,000 | ||||||||||||||||
![]() | NRVBM120ET3G | - | ![]() | 4714 | 0.00000000 | Onmi | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-216aa | NRVBM120 | 肖特基 | Powermite | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 595 mv @ 2 a | 500 na @ 5 v | -65°C〜150°C | 1a | - | |||
![]() | 1N3262 | 21.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 标准 | do-9 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N3262 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 150 v | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 150 V | -65°C 〜190°C | 275a | - | |||
![]() | byw55-tr | 0.6400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | BYW55 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1 V @ 1 A | 4 µs | 1 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 2a | - | ||
![]() | SB330 | 0.2062 | ![]() | 2717 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 肖特基 | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-SB330TR | 8541.10.0000 | 1,700 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 490 mv @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -50°C〜150°C | 3a | - | ||||
![]() | UPS5817/TR13 | 0.5550 | ![]() | 2138 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-216aa | UPS5817 | 肖特基 | Powermite | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 450 MV @ 1 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||
![]() | 1N5618 bk | - | ![]() | 6020 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | 1N5618 | 标准 | GPR-1A | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 1 A | 2 µs | 500 NA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 1a | 35pf @ 12v,130kHz | ||||||
![]() | RL104GP-TP | 0.0412 | ![]() | 5492 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | 轴向 | RL104 | 标准 | A-405 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | GP02-35HM3/54 | - | ![]() | 5326 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | GP02 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 3500 v | 3 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 3500 V | -65°C〜175°C | 250mA | 3pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | B3100B-13-F | - | ![]() | 9135 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | B3100 | 标准 | SMB | - | 31-B3100B-13-F | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 670 mv @ 3 a | 200 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||
![]() | CGRB207-HF | 0.1018 | ![]() | 4580 | 0.00000000 | comchip技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 标准 | DO-214AA(SMB) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-CGRB207-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 2a | 10pf @ 4V,1MHz | ||||
SS26LWH | 0.3900 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | SS26 | 肖特基 | SOD-123W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 2 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||
![]() | 1N248C | 2.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N248C | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.19 V @ 90 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | |||
1N6677-1/tr | 4.5000 | ![]() | 2074 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/610 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 肖特基 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6677-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 500 mV @ 200 ma | 5 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 200mA | 50pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | BAS70/DG/B2215 | 0.0300 | ![]() | 132 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | 241NQ035 | - | ![]() | 1439 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D-67半粉 | 241NQ035 | 肖特基 | D-67半粉 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *241NQ035 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 35 v | 690 MV @ 240 A | 20 ma @ 35 V | 240a | 10300pf @ 5V,1MHz | |||
![]() | S1JHM3_A/h | 0.0825 | ![]() | 9469 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-S1JHM3_A/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 1.8 µs | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | MUR420S R6 | - | ![]() | 1154 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-MUR420SR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 875 mv @ 4 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 4a | 65pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | G4S06515QT | - | ![]() | 4219 | 0.00000000 | 全球电力技术有限公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | SIC (碳化硅) | 4-DFN(8x8) | - | 供应商不确定 | 4436-G4S06515QT | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 53a | 645pf @ 0v,1MHz | ||||||
![]() | PMEG10020ELR115 | 1.0000 | ![]() | 7755 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PMEG10020 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||
![]() | V8PL63-m3/i | 0.6500 | ![]() | 9918 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | V8PL63 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 6,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 580 mv @ 8 a | 180 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 8a | 1400pf @ 4V,1MHz |
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