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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N412B | 147.9750 | ![]() | 6816 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | REACH 不出行 | 150-1N412B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.2V@200A | 100V时为50μA | -65℃~200℃ | 100A | - | |||||
![]() | SDT2L40CP3-7B | 0.0916 | ![]() | 9422 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 0603(1608公制) | 肖特基 | X3-DSN1608-2 | 下载 | REACH 不出行 | 31-SDT2L40CP3-7BTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 520毫伏@2安 | 40V时为150μA | -55℃~150℃ | 2A | 285pF @ 4V、1MHz | |||||
![]() | SBRT20M80SP5-13D | - | ![]() | 6798 | 0.00000000 | 分散公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | PowerDI™5 | SBRT20 | 超级屏障 | PowerDI™5 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 80V | 660 毫伏 @ 20 安 | 80V时为200μA | -55℃~150℃ | 20A | - | |||
| STTH60L04W | - | ![]() | 1524 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | DO-247-2(直读) | STTH60 | 标准 | DO-247 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.2V@60A | 90纳秒 | 400V时为50μA | 175℃(最高) | 60A | - | |||
| BZX84B27W | 0.0180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 扬杰科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 4617-BZX84B27WTR | EAR99 | 3,000 | |||||||||||||||||
| ES2GA R3G | - | ![]() | 1012 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | ES2G | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.3V@2A | 35纳秒 | 400V时为10μA | -55℃~150℃ | 2A | 20pF@4V,1MHz | |||
![]() | SF34G A0G | 1.0300 | ![]() | 97 | 0.00000000 | 台积电 | - | 切带 (CT) | 的积极 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | SF34 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 950毫伏@3安 | 35纳秒 | 5μA@200V | -55℃~150℃ | 3A | 80pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | MBRF7H35HE3/45 | - | ![]() | 3746 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | MBRF7 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 35V | 630 毫伏 @ 7.5 安 | 35V时为50μA | -65℃~150℃ | 7.5A | - | |||
![]() | ES2J-LTP | 0.3700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | ES2J | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@2A | 35纳秒 | 5μA@600V | -65℃~175℃ | 2A | 15pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | WNSC6D16650CW6Q | 4.5600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | WNSC6 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.45V@16A | 0纳秒 | 650V时为80μA | 175℃ | 16A | 780pF @ 1V、1MHz | ||||
![]() | BAT46薄膜 | - | ![]() | 5691 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 蝙蝠46 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 100伏 | 450毫伏@10毫安 | 5μA@75V | 150℃(最高) | 150毫安 | 10pF@0V、1MHz | |||
![]() | US1JHE3_A/I | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | US1J | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@1A | 75纳秒 | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | 1A | 10pF@4V,1MHz | ||
![]() | GS2A-LTP | 0.0330 | ![]() | 7730 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | GS2A | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | GS2A-LTPMSTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.1V@2A | 5μA@50V | -55℃~150℃ | 2A | 20pF@4V,1MHz | ||
| VS-15ETH06-N3 | - | ![]() | 8131 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 弗雷德铂® | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | 15ETH06 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VS-15ETH06-N3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.2V@15A | 51纳秒 | 50μA@600V | -60℃~175℃ | 15A | - | ||
![]() | 短信1100 | 0.1263 | ![]() | 6104 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 肖特基 | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SMS1100TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 790 毫伏 @ 1 安 | 100V时为500μA | -50℃~150℃ | 1A | - | |||||
![]() | 赫拉802G | - | ![]() | 4167 | 0.00000000 | 台积电 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1801-HERA802G | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1V@8A | 50纳秒 | 10μA@100V | -55℃~150℃ | 8A | 65pF @ 4V、1MHz | ||
![]() | SK56BFL-TP | 0.1888 | ![]() | 4685 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | DO-221AA,SMB 纸张 | SK56 | 肖特基 | SMBF | 下载 | 353-SK56BFL-TP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 700 毫伏 @ 5 安 | 60V时为100μA | -55℃~150℃ | 5A | 220pF @ 4V,1MHz | |||||
![]() | SS22SHE3_A/I | - | ![]() | 3773 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | SS22 | 肖特基 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 550毫伏@2安 | 20V时为200μA | -55℃~150℃ | 2A | 130pF @ 4V、1MHz | |||
![]() | WNSC2D08650TJ | 1.2300 | ![]() | 3930 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 4-VSFN 裸露焊盘 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | 5-DFN (8x8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@8A | 0纳秒 | 40μA@650V | 175℃ | 8A | 260pF@1V、1MHz | |||
![]() | 1A5 | - | ![]() | 4182 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 通孔 | R-1,牙齿 | - | 标准 | R-1 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1V@1A | 5μA@600V | -65℃~125℃ | 1A | 15pF @ 4V,1MHz | ||||
| HSKLWH | 0.0906 | ![]() | 3511 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123W | 标准 | SOD-123W | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 1801-HSKLWHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.7V@800mA | 75纳秒 | 800V时为1μA | -55℃~150℃ | 800毫安 | 5pF@4V,1MHz | ||||
![]() | VS-S1039 | - | ![]() | 9108 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 最后一次购买 | S1039 | - | 112-VS-S1039 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | RBR5LAM30BTFTR | 0.6500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-128 | RBR5LAM30 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 30V时为150μA | 150℃(最高) | 5A | - | ||||
![]() | SR1100 | 0.2200 | ![]() | 6917 | 0.00000000 | 扬州扬杰电子科技有限公司 | - | 切带 (CT) | 的积极 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 肖特基 | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 850 毫伏 @ 1 安 | 100μA@100V | -55℃~150℃ | 1A | 40pF @ 4V,1MHz | |||||
![]() | CDBF0130L-HF | 0.0805 | ![]() | 7045 | 0.00000000 | 芯芯科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 1005(2512 公制) | CDBF0130 | 肖特基 | 1005/SOD-323F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 30V | 350毫伏@10毫安 | 10V时为10μA | 125℃(最高) | 100毫安 | - | |||
![]() | BY550-200 | 0.0932 | ![]() | 123 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-201AA、DO-27、矫正 | 标准 | DO-201 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-BY550-200TR | 8541.10.0000 | 1,250人 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1V@5A | 1.5微秒 | 5μA@200V | -50℃~175℃ | 5A | - | ||||
![]() | SK210-AQ | 0.1553 | ![]() | 3487 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-SK210-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 100伏 | 2A | |||||||||||
![]() | SUF30J-E3/73 | - | ![]() | 5910 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 通孔 | P600,屁股 | 苏夫30 | 标准 | P600 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 300 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2V@3A | 35纳秒 | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | 3A | - | ||
![]() | 1PS76SB40-QX | 0.0634 | ![]() | 9758 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 1727-1PS76SB40-QXTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 40V | 1V@40mA | 40V时为10μA | 150℃ | 120毫安 | 5pF @ 0V、1MHz | ||||
![]() | IDH04S60CAKSA1 | - | ![]() | 2443 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | CoolSiC™+ | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-220-2 | IDH04 | SiC(碳化硅)肖特基 | PG-TO220-2-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.9V@4A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 4A | 130pF@1V、1MHz |

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