SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
BAT54AHMFHT116 Rohm Semiconductor BAT54AHMFHT116 -
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ECAD 6813 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT54 肖特基 SSD3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 30 V 200ma(dc) 800 mv @ 100 ma 50 ns 2 µA @ 25 V 150°C (最大)
MBRB2020CT-TP Micro Commercial Co MBRB2020CT-TP 0.6848
RFQ
ECAD 2594 0.00000000 微商业公司 - 大部分 上次购买 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB2020 肖特基 D2PAK 下载 353-MBRB2020CT-TP Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 20 v 20a 840 mv @ 20 a 100 µA @ 20 V -55°C〜150°C
SBR30A100CTB-13-G Diodes Incorporated SBR30A100CTB-13-G -
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ECAD 1767年 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101,SBR® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SBR30 超级障碍 TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-SBR30A100CTB-13-GTR Ear99 8541.10.0080 800 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 100 v 15a 850 MV @ 15 A 100 µA @ 100 V -65°C〜150°C
PMEG060T080CLPE-QZ Nexperia USA Inc. PMEG060T080CLPE-QZ 0.7700
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ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn PMEG060 肖特基 CFP15B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 4a 660 mv @ 4 a 17 ns 1.8 µA @ 60 V 175°C
RB095T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB095T-60NZC9 2.0200
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ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB095 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-RB095T-60NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 6a 580 mv @ 3 a 300 µA @ 60 V 150°C
MURF2060CT Diotec Semiconductor murf2060ct 0.5320
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ECAD 6847 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-MURF2060CT 8541.10.0000 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 10a 2 V @ 10 A 50 ns 1 µA @ 600 V -50°C〜175°C
STPS10L45CT STMicroelectronics STPS10L45CT -
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ECAD 1125 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 STPS10 肖特基 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 5a 530 mv @ 5 a 150 µA @ 45 V 150°C (最大)
RFN6B2DTL Rohm Semiconductor RFN6B2DTL -
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ECAD 4713 0.00000000 Rohm半导体 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 2,500
MBR60200PT-BP Micro Commercial Co MBR60200PT-BP 1.6928
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ECAD 6592 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR60200 肖特基 TO-247-3 下载 353-MBR60200PT-BP Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 30a 900 mv @ 30 a 20 µA @ 200 V -55°C〜150°C
BAS16DY-QX Nexperia USA Inc. BAS16DY-QX 0.2100
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ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 标准 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 2独立 100 v 110mA(dc) 1 V @ 50 mA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C
SBR10U300CT-G Diodes Incorporated SBR10U300CT-G -
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ECAD 4288 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 SBR10 超级障碍 TO-220-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达受影响 31-SBR10U300CT-G Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 10a 920 MV @ 10 A 35 ns 200 µA @ 300 V -65°C〜175°C
40CPQ035 SMC Diode Solutions 40CPQ035 2.5100
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ECAD 9247 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 40CPQ 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 1655-40CPQ035 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 20a 490 mv @ 20 a 4 mA @ 35 V -55°C〜150°C
BAT54A-QR Nexperia USA Inc. BAT54A-QR 0.0328
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT54 肖特基 TO-236AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 30 V 200ma(dc) 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 150°C
SFF1006GH Taiwan Semiconductor Corporation SFF1006GH 0.5318
RFQ
ECAD 2038 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 SFF1006 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-SFF1006GH Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 10a 1.3 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C
V10K60C-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10K60C-M3/h 0.3368
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ECAD 4424 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-POWERTDFN 肖特基 Flatpak((5x6) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 112-V10K60C-M3/HTR Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 4.6a 590 mv @ 5 a 900 µA @ 60 V -40°C〜150°C
SD630CS_L2_00001 Panjit International Inc. SD630CS_L2_00001 0.7900
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ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SD630 肖特基 TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-SD630CS_L2_00001CT Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 6a 550 mv @ 3 a 200 µA @ 30 V -55°C〜125°C
SF1608GH Taiwan Semiconductor Corporation SF1608GH 0.7215
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ECAD 5300 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 SF1608 标准 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-SF1608GH Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 16a 1.7 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
WNSC2D30650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D30650CWQ 6.8600
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ECAD 2 0.00000000 Ween半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 WNSC2 SIC (碳化硅) TO-247-3 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 30a 1.7 V @ 15 A 0 ns 50 µA @ 650 V 175°C
BAS40-04 Taiwan Semiconductor Corporation BAS40-04 0.0581
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ECAD 6774 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS40 肖特基 SOT-23 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-BAS40-04TR Ear99 8541.10.0070 6,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 40 V 200mA 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 V -65°C〜125°C
MUR1060CT-BP Micro Commercial Co MUR1060CT-BP 0.4650
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ECAD 6947 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-3 MUR1060 标准 TO-220AB 下载 353-MUR1060CT-BP Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 10a 1.7 V @ 5 A 50 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
RB088BGE-30TL Rohm Semiconductor RB088BGE-30TL 1.6600
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ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RB088 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 5a 720 MV @ 5 A 3 µA @ 30 V 150°C
MD165K18D2 Yangjie Technology MD165K18D2 32.2313
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ECAD 800 0.00000000 Yangjie技术 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 标准 D2 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MD165K18D2 Ear99 8 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1800 v 165a 1.4 V @ 300 A 9 ma @ 1800 V -40°C〜150°C
MBR30150PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR30150pth 1.8582
RFQ
ECAD 6636 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR30150 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-mbr30150pth Ear99 8541.10.0080 900 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 30a 1.02 V @ 30 A 500 µA @ 150 V -55°C〜150°C
C3045CT-G Comchip Technology C3045CT-G -
RFQ
ECAD 7669 0.00000000 comchip技术 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 C3045 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 550 mv @ 15 A 500 µA @ 45 V -65°C〜150°C
MBRB15H60CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB15H60CT-E3/81 -
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ECAD 1945年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB15 肖特基 TO-263AB(D²Pak) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 7.5a 730 MV @ 7.5 A 50 µA @ 60 V -65°C〜175°C
APTDF400KK100G Microchip Technology APTDF400KK100G 133.4200
RFQ
ECAD 8874 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 底盘安装 LP4 APTDF400 标准 SP6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 1000 v 500a 2.7 V @ 400 A 290 ns 250 µA @ 1000 V
MBRB3060CTS Yangjie Technology MBRB3060CTS 0.3960
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 肖特基 TO-263 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MBRB3060CTSTR Ear99 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 30a 750 MV @ 15 A 200 µA @ 60 V -55°C〜150°C
V40DM63CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40DM63CHM3/i 2.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® (CT) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) V40DM63 肖特基 TO-263AC(SMPD) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 20a 680 mv @ 20 a 40 µA @ 60 V -40°C〜175°C
FFB20UP20DN Fairchild Semiconductor FFB20UP20DN 0.6300
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ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 D2PAK(TO-263) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 1.15 V @ 10 A 40 ns 10 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
MBR20200PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR20200PTH 1.6323
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ECAD 9061 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR20200 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-MBR20200PTH Ear99 8541.10.0080 900 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 20a 1.02 V @ 20 A 100 µA @ 200 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库