SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
VS-MURB2020CT-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-Murb2020CT-1HM3 1.0836
RFQ
ECAD 1797年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA Murb2020 标准 TO-262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSMurb2020CT1HM3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 850 mv @ 8 a 21 ns 15 µA @ 200 V -65°C〜175°C
VS-STPS40L15CT-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STPS40L15CT-N3 -
RFQ
ECAD 7072 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 STPS40 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSSTPS40L15CTN3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 15 v 20a 410 MV @ 19 A 10 ma @ 15 V -55°C〜125°C
VT1060CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT1060CHM3/4W -
RFQ
ECAD 6855 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VT1060 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT1060CHM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 5a 700 mv @ 5 a 700 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VT1060C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT1060C-M3/4W 0.6331
RFQ
ECAD 8855 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT1060 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT1060CM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 5a 700 mv @ 5 a 700 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VT1080CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT1080CHM3/4W -
RFQ
ECAD 7108 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VT1080 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT1080CHM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 5a 720 MV @ 5 A 400 µA @ 80 V -55°C〜150°C
VT2060G-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2060G-M3/4W 0.6331
RFQ
ECAD 5077 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT2060 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT2060GM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 580 mv @ 10 a 2 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VT3060GHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3060GHM3/4W -
RFQ
ECAD 9648 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VT3060 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT3060GHM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 730 MV @ 15 A 850 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VT3060G-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3060G-M3/4W 0.7781
RFQ
ECAD 1231 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT3060 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT3060GM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 730 MV @ 15 A 850 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VT40L45PW-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT40L45PW-M3/4W -
RFQ
ECAD 1486年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3 VT40L45 肖特基 to-3pw - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT40L45PWM34W Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 570 mv @ 20 a 5 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VT60L45PW-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT60L45PW-M3/4W -
RFQ
ECAD 5477 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3 VT60L45 肖特基 to-3pw 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 570 mv @ 30 a 7 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VT80L45PW-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT80L45PW-M3/4W -
RFQ
ECAD 3751 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3 VT80L45 肖特基 to-3pw - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT80L45PWM34W Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 40a 580 mv @ 40 a 9 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VS-16CTQ080G-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ080G-1PBF -
RFQ
ECAD 8357 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA 16CTQ080 肖特基 TO-262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VS16CTQ080G1PBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 8a 880 mv @ 16 A 280 µA @ 80 V 175°c (最大)
VS-16CTQ080-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ080-N3 -
RFQ
ECAD 9707 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 16CTQ080 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS16CTQ080N3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 8a 880 mv @ 16 A 550 µA @ 80 V 175°c (最大)
VS-16CTQ100G-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ100G-1PBF -
RFQ
ECAD 2270 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA 16CTQ100 肖特基 TO-262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VS16CTQ100G1PBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 8a 880 mv @ 16 A 280 µA @ 100 V 175°c (最大)
VS-16CTQ100GSPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ100GSPBF -
RFQ
ECAD 6628 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 16CTQ100 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VS16CTQ100GSPBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 8a 880 mv @ 16 A 280 µA @ 100 V 175°c (最大)
VS-16CTQ100-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ100-N3 -
RFQ
ECAD 5669 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 16CTQ100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS16CTQ100N3 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 8a 880 mv @ 16 A 550 µA @ 100 V 175°c (最大)
VS-20CTQ035HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ035HN3 1.6088
RFQ
ECAD 8529 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 20CTQ035 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS20CTQ035HN3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 10A(DC) 570 mv @ 10 A 2 ma @ 35 V 175°c (最大)
VS-20CTQ035-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ035-N3 -
RFQ
ECAD 4244 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 20CTQ035 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS20CTQ035N3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 20a 760 mv @ 20 a 2 ma @ 35 V 175°c (最大)
VS-20CTQ040SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ040SPBF -
RFQ
ECAD 4316 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 20CTQ040 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS20CTQ040SPBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 20a 760 mv @ 20 a 2 ma @ 40 V 175°c (最大)
VS-25CTQ035-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25CTQ035-N3 -
RFQ
ECAD 1535年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 25CTQ035 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS25CTQ035N3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 30a 710 MV @ 30 A 1.75 ma @ 35 V 150°C (最大)
VS-30CPQ050-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CPQ050-N3 1.9171
RFQ
ECAD 3559 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 30CPQ050 肖特基 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30CPQ050N3 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 30a 800 mv @ 30 a 800 µA @ 50 V 150°C (最大)
VS-30CPQ080-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CPQ080-N3 1.9171
RFQ
ECAD 9975 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 30CPQ080 肖特基 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30CPQ080N3 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 30a 1.05 V @ 30 A 550 µA @ 80 V 175°c (最大)
VS-30CPQ140-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CPQ140-N3 2.0191
RFQ
ECAD 7875 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 30CPQ140 肖特基 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30CPQ140N3 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 140 v 15a 1.19 V @ 30 A 100 µA @ 140 V 175°c (最大)
VS-30CTH02FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTH02FP-N3 1.6038
RFQ
ECAD 1370 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 30CTH02 标准 TO-220完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30CTH02FPN3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 15a 1.05 V @ 15 A 10 µA @ 200 V 175°c (最大)
VS-30CTQ035-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ035-N3 -
RFQ
ECAD 6101 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 30CTQ035 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30CTQ035N3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 30a 760 mv @ 30 a 2 ma @ 35 V 175°c (最大)
VS-30CTQ040-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ040-N3 -
RFQ
ECAD 9304 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 30CTQ040 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30CTQ040N3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 30a 760 mv @ 30 a 2 ma @ 40 V 175°c (最大)
VS-30CTQ100GSPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ100GSPBF -
RFQ
ECAD 6088 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 30CTQ100 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VS30CTQ100GSPBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 1.05 V @ 30 A 550 µA @ 100 V 175°c (最大)
VS-30L30CT-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30L30CT-1PBF -
RFQ
ECAD 6801 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA 30L30 肖特基 TO-262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VS30L30CT1PBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 15a 460 mv @ 15 A 1.5 ma @ 30 V -55°C〜150°C
VS-40CPQ080-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CPQ080-N3 4.4700
RFQ
ECAD 837 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 40CPQ080 肖特基 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 40a 910 MV @ 40 A 1.25 ma @ 80 V 175°c (最大)
VS-40CTQ150-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CTQ150-1PBF -
RFQ
ECAD 3783 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA 40CTQ150 肖特基 TO-262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS40CTQ1501PBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 20a 1.16 V @ 40 A 50 µA @ 150 V 175°c (最大)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库