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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DSSK28-01AS-tub | - | ![]() | 2543 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | - | - | DSSK28 | - | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | DSSK28-01AS管 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | - | - | - | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | MB200K01F3 | 20.6440 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 肖特基 | F3 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MB200K01F3 | Ear99 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 100a | 820 mv @ 100 a | 5 ma @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | VS-MBR4045WTPBF | - | ![]() | 2027 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | MBR40 | 肖特基 | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 20a | 590 mv @ 20 a | 1.75 ma @ 45 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | CDSV6-4448CD-G | 0.1062 | ![]() | 1521年 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | CDSV6-4448 | 标准 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2对普通阴极 | 80 V | 500mA(DC) | 1 V @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150°C (最大) | ||
![]() | DSTF30120CR | 2.7900 | ![]() | 5929 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | DSTF30120 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 120 v | 15a | 970 mv @ 15 A | 800 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | HSB278STR-E | 0.1400 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | SDURB1620CT | 0.3624 | ![]() | 6839 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Sdurb1620 | 标准 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | - | 1.2 V @ 8 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | BAV99_L99Z | - | ![]() | 7959 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | BAV99 | 标准 | SOT-563 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 70 v | 200mA | 1.25 V @ 150 mA | 60 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | VS-MBR1535CT-1-M3 | 0.6729 | ![]() | 7159 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MBR1535 | 肖特基 | TO-262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 15a | 570 mv @ 7.5 A | 100 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | C4D10120D | 11.9400 | ![]() | 741 | 0.00000000 | Wolfspeed,Inc。 | Z-Rec® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | C4D10120 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 9a | 1.8 V @ 5 A | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | BD8100CS_S2_00001 | 0.3969 | ![]() | 1294 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | BD8100 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 8a | 800 mv @ 4 a | 50 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | 689-3p | - | ![]() | 4587 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 底盘安装 | nd,模块 | 689-3 | 标准 | ND | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 15a | 1.2 V @ 10 A | 500 ns | 10 µA @ 300 V | 150°C (最大) | ||
![]() | MBRF1560CT-Y | 0.4530 | ![]() | 5833 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF1560 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-MBRF1560CT-Y | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 950 MV @ 15 A | 300 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | Murta30060r | 159.9075 | ![]() | 3583 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murta30060 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 600 v | 150a | 1.7 V @ 150 A | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | 89CNQ135SL | 15.4969 | ![]() | 9641 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | PRM2-SL | 89cnq | 肖特基 | PRM2-SL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 89CNQ135SLSMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 135 v | 40a | 1.14 V @ 40 A | 1.5 ma @ 135 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | VS-MBRD660CT-M3 | 0.8100 | ![]() | 4509 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MBRD660 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 3a | 700 mv @ 3 a | 100 µA @ 50 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | VB40170C-E3/4W | 3.2400 | ![]() | 4127 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | VB40170 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 170 v | 20a | 1.2 V @ 20 A | 250 µA @ 170 V | -40°C〜175°C | |||
![]() | MBRS25150CTHMNG | - | ![]() | 4741 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRS25150 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 25a | 1.02 V @ 25 A | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | BYT28-500,127 | 0.5574 | ![]() | 1250 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | BYT28 | 标准 | TO-220AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 500 v | 10a | 1.4 V @ 10 A | 60 ns | 10 µA @ 500 V | 150°C (最大) | |||
![]() | MBR4015LWT | - | ![]() | 4119 | 0.00000000 | Onmi | SwitchMode™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | MBR4015 | 肖特基 | TO-247-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 15 v | 20a | 420 mv @ 20 a | 5 ma @ 15 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | CMSSH-3AE tr pbfree | 0.5800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | CMSSH-3 | 肖特基 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 40 V | 200ma(dc) | 1 V @ 200 MA | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | DSA60C45PB | - | ![]() | 5646 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | DSA60C45 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 30a | 790 mv @ 30 a | 900 µA @ 45 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | MDMA200P1600SA | - | ![]() | 3929 | 0.00000000 | ixys | - | 大部分 | 积极的 | 模块 | MDMA200 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 9 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 200a | 1.13 V @ 200 A | 200 µA @ 1600 V | -40°C〜150°C | ||||
![]() | BAV756DW-7-F | 0.4500 | ![]() | 233 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BAV756 | 标准 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对CA + CC | 75 v | 150mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | MBR20150PT | - | ![]() | 6176 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | MBR20150 | 肖特基 | TO-247AD(TO-3P) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 20a | 1.02 V @ 20 A | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | WNSC5D20650CW6Q | - | ![]() | 1487 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | WNSC5 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | - | 1740-WNSC5D20650CW6Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 20a | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | ||||
![]() | V61103C-M3/p | 2.0800 | ![]() | 4112 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | V61103 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-V61103C-M3/p | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 30a | 740 mv @ 30 a | 2 mA @ 100 V | -40°C〜150°C | ||||
![]() | MMBD4148SE | 0.1100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Anbon 半导体((Int'l) | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4530-MMBD4148SECT | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 75 v | 150mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | RRE04EA6DTR | 0.7700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-23-5薄,TSOT-23-5 | RRE04 | 标准 | TSMD5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 600 v | 400mA | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 600 V | 150°C | |||
![]() | SBR10150CTL-13 | 0.7300 | ![]() | 711 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SBR10150 | 超级障碍 | TO-252-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 5a | 940 mv @ 5 a | 100 µA @ 150 V | -65°C〜150°C |
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