SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
1N6771 Microchip Technology 1N6771 199.5300
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ECAD 4684 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-257-3 1N6771 标准 TO-257 - 到达不受影响 150-1N6771 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 8A(DC) 1.06 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 160 V -
MURF30020R GeneSiC Semiconductor MURF30020R -
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ECAD 4843 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 200 v 150a 1 V @ 150 A 25 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MUR1620CTRH onsemi MUR1620CTRH -
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ECAD 2666 0.00000000 Onmi - 托盘 过时的 通过洞 TO-220-3 Mur16 标准 TO-220 - rohs3符合条件 供应商不确定 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 200 v 8a 1.2 V @ 8 A 85 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C
SET040123 Semtech Corporation SET040123 -
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ECAD 8664 0.00000000 Semtech Corporation - 大部分 在sic中停产 底盘安装 模块 set04 - - 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) - 500 v 10a 1.6 V @ 18 A 50 ns 20 µA @ 500 V -55°C〜150°C
VS-STPS30L60CWPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STPS30L60CWPBF -
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ECAD 4077 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 STPS30 肖特基 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 800 mv @ 30 a 480 µA @ 60 V -55°C〜150°C
MBR3090PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3090PTHC0G -
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ECAD 9610 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR3090 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 90 v 30a 500 µA @ 90 V -55°C〜150°C
DDB6U145N16LHOSA1 Infineon Technologies DDB6U145N16LHOSA1 170.6400
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ECAD 9772 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 模块 DDB6U145 标准 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4 - 3独立 1600 v - 1.43 V @ 150 A 5 ma @ 1600 V -40°C〜150°C
BAV70,215 Nexperia USA Inc. BAV70,215 0.1500
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ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV70 标准 TO-236AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 215ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
1S953 Renesas Electronics America Inc 1S953 0.1100
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ECAD 177 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 1S95 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 1
VS-8DKH02HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8DKH02HM3/i 0.4125
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ECAD 4586 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-POWERTDFN 8DKH02 标准 Flatpak 5x6 (双) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 200 v 4a 960 mv @ 4 A 25 ns 2 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
MBRB1090CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1090CT-E3/4W 0.5996
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ECAD 4110 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB1090 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 90 v 5a 850 mv @ 5 a 100 µA @ 90 V -65°C〜150°C
MBRS30H45CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS30H45CT MNG -
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ECAD 3093 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRS30 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 900 mv @ 30 a 200 µA @ 45 V -55°C 〜175°C
MSRT100140D GeneSiC Semiconductor MSRT100140D 87.1935
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ECAD 9947 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT100 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT100140D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1400 v 100a 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 1400 V -55°C〜150°C
VFT3045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT3045C-M3/4W 1.9800
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ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VFT3045 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 570 mv @ 15 A 2 ma @ 45 V -40°C〜150°C
MBR2045CTP SMC Diode Solutions MBR2045CTP 0.8400
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ECAD 273 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR2045 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v - 840 mv @ 20 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MBRT40045RL GeneSiC Semiconductor MBRT40045RL -
RFQ
ECAD 3689 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 45 v 200a 600 mV @ 200 A 5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
GSBAT54CT Good-Ark Semiconductor GSBAT54CT 0.2000
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ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-523 肖特基 SOT-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 30 V 200mA 500 mv @ 30 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125°C
CBR20P65PC Bruckewell CBR20P65PC 5.1900
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ECAD 10 0.00000000 布鲁克韦尔 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 SIC (碳化硅) TO-220-3L - rohs3符合条件 (1 (无限) 10 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 21a 1.7 V @ 10 A 0 ns 25 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
SBM1060VDC_R2_00001 Panjit International Inc. SBM1060VDC_R2_00001 1.0500
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SBM1060 肖特基 TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-SBM1060VDC_R2_00001CT Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 5a 520 mv @ 5 a 220 µA @ 60 V -55°C〜150°C
V15K150C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15K150C-M3/i 0.4320
RFQ
ECAD 6213 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-POWERTDFN 肖特基 Flatpak((5x6) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 112-V15K150C-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 3.2a 1.08 V @ 7.5 A 300 µA @ 150 V -40°C〜150°C
FFPF30U60DNTU onsemi FFPF30U60DNTU -
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ECAD 7926 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 FFPF30 标准 TO-220F-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 30a 2.3 V @ 30 A 90 ns 15 µA @ 600 V -65°C〜150°C
UF1601CT_T0_00001 Panjit International Inc. UF1601CT_T0_00001 0.3213
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ECAD 2419 0.00000000 Panjit International Inc. - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 UF1601 标准 TO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-UF1601CT_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 16a 1 V @ 8 A 50 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜150°C
V40PWL63CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40PWL63CHM3/i 0.7025
RFQ
ECAD 6017 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 肖特基 Slimdpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-V40PWL63CHM3/ITR Ear99 8541.10.0080 4,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 20a 680 mv @ 20 a 400 µA @ 60 V -40°C〜150°C
MDD312-14N1 IXYS MDD312-14N1 155.9600
RFQ
ECAD 2467 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y1-CU MDD312 标准 Y1-CU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1400 v 310a 1.32 V @ 600 A 30 ma @ 1400 V -40°C〜150°C
RBQ30NS45ATL Rohm Semiconductor RBQ30NS45ATL -
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ECAD 5193 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB RBQ30 肖特基 LPD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 650 mv @ 15 A 200 µA @ 45 V 150°C
MBR30100CTP SMC Diode Solutions MBR30100CTP 0.9800
RFQ
ECAD 7381 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR30100 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 1655-1055 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v - 850 MV @ 15 A 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
SBLB25L20CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB25L20CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 8542 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SBLB25L20 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 20 v 12.5a 490 mv @ 12.5 A 900 µA @ 20 V -55°C〜150°C
MSRTA500160A GeneSiC Semiconductor MSRTA500160A 101.4000
RFQ
ECAD 5289 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRTA500160 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1600 v 500A(DC) 1.2 V @ 500 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
FST12020 GeneSiC Semiconductor FST12020 70.4280
RFQ
ECAD 9170 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FST12020GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 20 v 120A(DC) 650 MV @ 120 A 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBR20100CT-G Comchip Technology MBR20100CT-G -
RFQ
ECAD 8330 0.00000000 comchip技术 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20100 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 20a 950 mv @ 20 a 100 µA @ 100 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库