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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N6771 | 199.5300 | ![]() | 4684 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-257-3 | 1N6771 | 标准 | TO-257 | - | 到达不受影响 | 150-1N6771 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 8A(DC) | 1.06 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 160 V | - | |||
![]() | MURF30020R | - | ![]() | 4843 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 150a | 1 V @ 150 A | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MUR1620CTRH | - | ![]() | 2666 | 0.00000000 | Onmi | - | 托盘 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | Mur16 | 标准 | TO-220 | - | rohs3符合条件 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 8a | 1.2 V @ 8 A | 85 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | ||
![]() | SET040123 | - | ![]() | 8664 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | 底盘安装 | 模块 | set04 | - | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | - | 500 v | 10a | 1.6 V @ 18 A | 50 ns | 20 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | VS-STPS30L60CWPBF | - | ![]() | 4077 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | STPS30 | 肖特基 | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 800 mv @ 30 a | 480 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBR3090PTHC0G | - | ![]() | 9610 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | MBR3090 | 肖特基 | TO-247AD(TO-3P) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 90 v | 30a | 500 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | DDB6U145N16LHOSA1 | 170.6400 | ![]() | 9772 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DDB6U145 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | - | 3独立 | 1600 v | - | 1.43 V @ 150 A | 5 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||
BAV70,215 | 0.1500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV70 | 标准 | TO-236AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 215ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | |||
![]() | 1S953 | 0.1100 | ![]() | 177 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 1S95 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||
![]() | VS-8DKH02HM3/i | 0.4125 | ![]() | 4586 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 8DKH02 | 标准 | Flatpak 5x6 (双) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 4a | 960 mv @ 4 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | MBRB1090CT-E3/4W | 0.5996 | ![]() | 4110 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB1090 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 90 v | 5a | 850 mv @ 5 a | 100 µA @ 90 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | MBRS30H45CT MNG | - | ![]() | 3093 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRS30 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 30a | 900 mv @ 30 a | 200 µA @ 45 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | MSRT100140D | 87.1935 | ![]() | 9947 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT100 | 标准 | 三个塔 | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-MSRT100140D | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 100a | 1.1 V @ 100 A | 10 µA @ 1400 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | VFT3045C-M3/4W | 1.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | VFT3045 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 570 mv @ 15 A | 2 ma @ 45 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | MBR2045CTP | 0.8400 | ![]() | 273 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR2045 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | - | 840 mv @ 20 a | 1 mA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBRT40045RL | - | ![]() | 3689 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 45 v | 200a | 600 mV @ 200 A | 5 ma @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | GSBAT54CT | 0.2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-523 | 肖特基 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 30 V | 200mA | 500 mv @ 30 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125°C | |||
![]() | CBR20P65PC | 5.1900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SIC (碳化硅) | TO-220-3L | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 21a | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 25 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | SBM1060VDC_R2_00001 | 1.0500 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SBM1060 | 肖特基 | TO-263 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-SBM1060VDC_R2_00001CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 5a | 520 mv @ 5 a | 220 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | V15K150C-M3/i | 0.4320 | ![]() | 6213 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak((5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-V15K150C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 3.2a | 1.08 V @ 7.5 A | 300 µA @ 150 V | -40°C〜150°C | ||||
![]() | FFPF30U60DNTU | - | ![]() | 7926 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | FFPF30 | 标准 | TO-220F-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 30a | 2.3 V @ 30 A | 90 ns | 15 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | UF1601CT_T0_00001 | 0.3213 | ![]() | 2419 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | UF1601 | 标准 | TO-220AB | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-UF1601CT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 16a | 1 V @ 8 A | 50 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | |
![]() | V40PWL63CHM3/i | 0.7025 | ![]() | 6017 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 肖特基 | Slimdpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-V40PWL63CHM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 20a | 680 mv @ 20 a | 400 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | MDD312-14N1 | 155.9600 | ![]() | 2467 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | Y1-CU | MDD312 | 标准 | Y1-CU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 310a | 1.32 V @ 600 A | 30 ma @ 1400 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | RBQ30NS45ATL | - | ![]() | 5193 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBQ30 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 650 mv @ 15 A | 200 µA @ 45 V | 150°C | |||
![]() | MBR30100CTP | 0.9800 | ![]() | 7381 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR30100 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1655-1055 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | - | 850 MV @ 15 A | 1 mA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | SBLB25L20CTHE3/45 | - | ![]() | 8542 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SBLB25L20 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 12.5a | 490 mv @ 12.5 A | 900 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MSRTA500160A | 101.4000 | ![]() | 5289 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRTA500160 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1600 v | 500A(DC) | 1.2 V @ 500 A | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | FST12020 | 70.4280 | ![]() | 9170 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | TO-249AB | 肖特基 | TO-249AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FST12020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 120A(DC) | 650 MV @ 120 A | 2 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR20100CT-G | - | ![]() | 8330 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR20100 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 20a | 950 mv @ 20 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C |
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