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二极管阵列（（16722）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
UGF10BCTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF10BCTHE3_A/p -
RFQ
 ECAD 8522 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 UGF10 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 5a 1.1 V @ 5 A 25 ns 10 µA @ 100 V -40°C〜150°C
UGF10DCTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF10DCTHE3_A/p -
RFQ
 ECAD 4629 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 UGF10 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 5a 1.1 V @ 5 A 25 ns 10 µA @ 200 V -40°C〜150°C
UGF18ACTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF18ACTHE3_A/p -
RFQ
 ECAD 5923 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 UGF18 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 18a 1.1 V @ 9 A 30 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C
UGF18BCTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF18BCTHE3_A/p -
RFQ
 ECAD 6612 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 UGF18 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 18a 1.1 V @ 9 A 30 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C
UGF18DCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF18DCT-E3/45 -
RFQ
 ECAD 7851 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 UGF18 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 18a 1.1 V @ 9 A 30 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C
UGF8JCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF8JCT-E3/45 -
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 UGF8 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 4a 1.75 V @ 4 A 50 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜150°C
V30100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30100C-E3/4W 1.7200
RFQ
 ECAD 802 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V30100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 15a 800 mv @ 15 A 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
V30120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30120C-E3/4W 1.8800
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V30120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 120 v 15a 970 mv @ 15 A 800 µA @ 120 V -40°C〜150°C
V30200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30200C-E3/4W 2.7600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V30200 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 15a 1.1 V @ 15 A 160 µA @ 200 V -40°C〜150°C
SBR200-16JS onsemi SBR200-16JS -
RFQ
 ECAD 4933 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 SBR200 肖特基 TO-220毫升 下载 （1 （无限） 到达不受影响 869-1023 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 160 v 20a 850 mv @ 10 A 200 µA @ 160 V -55°C〜150°C
SBR100-10J onsemi SBR100-10J -
RFQ
 ECAD 4902 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 SBR100 肖特基 TO-220毫升 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 10a 850 mv @ 5 a 100 µA @ 50 V -55°C〜150°C
SBT80-10LS onsemi SBT80-10L -
RFQ
 ECAD 2282 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 SBT80 肖特基 TO-220FI（LS） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 8a 800 mv @ 3 a 100 µA @ 50 V -55°C〜150°C
SBT150-04J onsemi SBT150-04J -
RFQ
 ECAD 7984 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 SBT150 肖特基 TO-220毫升 下载 （1 （无限） 到达不受影响 869-1031 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 15a 550 mv @ 6 a 200 µA @ 20 V -55°C〜150°C
SBT350-06J onsemi SBT350-06J -
RFQ
 ECAD 8964 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 SBT350 肖特基 TO-220毫升 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 35a 600 mv @ 15 A 500 µA @ 30 V -55°C〜150°C
MMBD7000HC-7-F Diodes Incorporated MMBD7000HC-7-F 0.1900
RFQ
 ECAD 8511 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MMBD7000 标准 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 300mA（DC） 1.25 V @ 150 mA 4 ns 3 µA @ 100 V -65°C〜150°C
SBR60A100CT Diodes Incorporated SBR60A100CT 2.6800
RFQ
 ECAD 6521 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 SBR60 超级障碍 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 SBR60A100CTDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 30a 840 mv @ 30 a 500 µA @ 100 V -55°C 〜175°C
SBR20U40CT-G Diodes Incorporated SBR20U40CT-G 1.7100
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 SBR20 超级障碍 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 10a 470 mv @ 10 A 500 µA @ 40 V -65°C〜150°C
SBR40U60CTE Diodes Incorporated SBR40U60CTE 2.0000
RFQ
 ECAD 8530 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA SBR40 超级障碍 TO-262 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 60 V 20a 600 mv @ 20 a 500 µA @ 60 V -65°C〜150°C
SBR40U120CTE Diodes Incorporated SBR40U120CTE 2.5700
RFQ
 ECAD 8966 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA SBR40 超级障碍 TO-262 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 120 v 20a 860 mv @ 20 a 500 µA @ 120 V -65°C〜150°C
MBR10100CT-BP Micro Commercial Co MBR10100CT-BP 1.0100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 微商业公司 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR1010 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 10a 850 mv @ 5 a 200 µA @ 100 V -55°C〜150°C
MBRB10100CT-TP Micro Commercial Co MBRB10100CT-TP 0.9500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MBRB10100 肖特基 D2PAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 10a 850 mv @ 5 a 100 µA @ 100 V -50°C〜150°C
MBRB20100CT-TP Micro Commercial Co MBRB20100CT-TP 1.1600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MBRB20100 肖特基 D2PAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 20a 850 mv @ 10 A 150 µA @ 100 V -55°C〜150°C
STPS30L120CFP STMicroelectronics STPS30L120CFP 1.6300
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 STPS30 肖特基 TO-220FP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 120 v 15a 880 mv @ 15 a 200 µA @ 120 V 150°C （最大）
STPS4030CT STMicroelectronics STPS4030CT -
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 STPS403 肖特基 TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 20a 490 mv @ 20 a 1 ma @ 30 V 150°C （最大）
MSCD120-08 Microsemi Corporation MSCD120-08 -
RFQ
 ECAD 7290 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 D1 标准 D1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 120a 1.43 V @ 300 A 6 ma @ 800 V
MSCD200-12 Microsemi Corporation MSCD200-12 51.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 D2 标准 SD2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 200a 1.3 V @ 300 A 9 ma @ 1200 V
MSCD36-12 Microsemi Corporation MSCD36-12 -
RFQ
 ECAD 3901 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 D1 标准 D1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 36a 1.25 V @ 100 A 5 ma @ 1200 V
MSCD60-08 Microsemi Corporation MSCD60-08 -
RFQ
 ECAD 8975 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 D1 标准 D1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 800 v 60a 1.3 V @ 200 A 5 ma @ 800 V
MSCD60-12 Microsemi Corporation MSCD60-12 20.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 D1 标准 D1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 60a 1.3 V @ 200 A 5 ma @ 1200 V
MSKD100-12 Microsemi Corporation MSKD100-12 -
RFQ
 ECAD 8618 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 D1 标准 D1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对普通阴极 1200 v 100a 1.35 V @ 300 A 5 ma @ 1200 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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